硅集成电路相关论文
本文基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了一种参数提取方法和一些设计准则,成功地将共......
最近,美国伊利诺斯大学的研究人员利用超薄塑料和橡胶基底集成电路材料,制成了一种新型可拉伸硅集成电路(1C)。这些IC能在工作时被折叠......
硅集成电路亮起来了这是英国《自然》杂志1996年11月第384卷上斯坦福大学Miler教授一篇专文的题目[1].事情还是从多孔硅(PS)发光所引起的.多孔硅在室温下高......
IC组装方法的选择越来越重要而突出,它将极大影响着最终产品的成本、性能和其它多种重要特性。 传统上,塑料和陶瓷组装是为了保护......
自从发现多孔硅室温发射可见光现象以来,硅基纳米结构第Ⅳ族半导体发光研究引起了广泛关注。这不仅可以使传统的、成熟的硅平面工......
回顾了晶体管发明50周年的历史和我国微电子学的创立史,展望了目前基于尺寸缩小原理的微电子学的前景,提出了今后微电子发展的几个领域......
SOI(SilicononInsulator)技术被认为是21世纪的硅集成电路技术.近年来,国际上出现了一种引人注目的SOI制备新技术———智能剥离(Smartcut)技术.它的出现为解决SOI技术中质量......
你希望永远活在世上吗?到2050年,你也许真的能够实现自己的愿望——假如你愿意把自己的身体抽成真空,在硅集成电路中找到安身之地......
利用光刻/离子束刻蚀制作大面阵硅微透镜阵列,采用SEM和表面探针测试等手段分析所制样品的形貌特点,定性讨论制备工艺的不同对所制器......
常规的体硅基础电路通常只能工作在200℃以下,SOI(Silicon-On-In-sulator)电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求,并分析了SOI电路在高......
SOI——突破硅材料与硅集成电路限制的新技术与体硅材料和器件相比,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无......
4 硅集成电路在战略武器中的应用战略武器对整个战场形势和战术胜负乃至战争全局起着举足轻重的作用。我们在此仅举几例战略武器,......
3.3 在雷达接收机中的应用现代战争对雷达接收机具有很高的要求,既要满足提高雷达性能、增加功能,又要减轻重量、缩小体积、提高......
由“Next-Generation I/O”和“Future I/O”这两种相互竞争的规范融合而成的InfiniBand规范1.0版,已于2000年10月24日获批准认可......
<正> 目前市场应用的最主要的半导体材料是单晶硅,约占IC电路的95%。但据理论分析硅集成电路线宽的极限尺寸是0.035-0.05rum,无法满......
美国朗讯公司贝尔实验室的科学家最近研制成功沟道长度只有一个分子大小的有机晶体管,为发展新一代廉价而易装配的、基于碳的化合物......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
“信息革命”的进展本世纪70年代初以后,现代资本主义世界大萧条的一个最显著状态,显然是信息技术大规模变化的进展。这过程以及......
微处理机用于自动化生产的功能已被机器人集中体现出来。在10多年前,机器人只在儿童故事和科学幻想小说中出现。但是,硅集成电路......
随着硅集成电路工艺的发展以及对器件可靠性和稳定性的要求越来越高,器件表面的保护需要采取更加有效的措施。尽管硅的热氧化膜—......
由于与硅集成电路工艺兼容的张应变锗薄膜在光电器件如光电探测器、调制器,特别是发光器件中具有潜在的应用前景,使其得到了广泛关......
SOI技术在上世纪80年代开始发展,其性能优势得到业界公认,如抗辐射、低功耗、高速、工艺简单等,被认为是“二十一世纪的硅集成电路......
硅微电子技术的“物理极限”硅微电子技术是不是可以按照《摩尔定律》永远发展下去呢?目前硅的集成电路大规模生产技术已经达到90n......
1987年8月加拿大联邦政府宣布四年内(1987—1990年)给加拿大自然科学与了程研究理事会增加经费1300万(加元)。这笔预算的分配是: ......
半个多世纪以来,在1个硅芯片上置放的晶体管数量从1个增长到近10亿个,极大地增强了数字设备执行逻辑操作和存储数据的能力,也充分......
为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正......
由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热......
据报导,美帝 IBM 370系统145型计算机利用硅集成电路存贮器代替传统的磁芯存贮器来存贮该机的数据和指令。该机的中央处理机完全......
一、引言: 随着硅集成电路的迅速成发展,以及对器件的可靠性,移定性要求越来越高,人们普遍地认识到二氧化硅(SiO_2)虽然制备简单,......
图1为用分立电子元件装配成的各种三维模块组件。其中包括焊接和熔接模块组件、小型模块组件和微型模块组件(图中最左边的)。每种......
过去十五年中硬件工艺的发展,促使计算机系统的体系结构不断改变和计算机应用范围的日益扩大。单个硅集成电路片子的可能最高元件......
早在七十年代,就有人发现,脱氧核糖核酸处在不同状态下,可产生有信息和无信息,这与晶体管的导通或截止,脉冲信号的有或无等非常相似,这就......
你希望永远活在世上吗?到2050年,你也许真的能够实现自己的愿望——假如你愿意把自己的身体抽成真空,在硅集成电路中找到安身之地......
硅集成电路的测试技术一般是采用比较大的接触探针装置。在测试园片阵列时,由于它存在固有的寄生引线电感和电容,因此就限制了测......
本文叙述用于硅集成电路中的铝-钛金属化工艺,这种金属化能产生高电导的电接触,而对硅的溶解可以忽略。然而,如果反应的产物TiAl_3......
1 摘要 CMOS数字集成电路目前给出了低成本、设计容易、操作简单以及很低的功耗等优良性能,这里要讲的是在什么场合下使用以及如......
能存储、转移、控制分立电荷包,并能高速工作的器件是十分有用的。当提高可见光和近红外区的灵敏度时,这种器件将具有难以想象的......
对硅集成电路制造过程中造成失效的各种可能原因进行了分析,包括以下几个方面:一、机械加工工艺1.划片与切片(1)边缘的破碎(2)片......
Hiraki等人已经发表过硅原子在远低于共溶点的温度下从硅单晶中离去并快速地向复盖于其上的Au和Pt膜迁移,实际上在该温度下,当金......