光致抗蚀剂相关论文
光致抗蚀剂是制造微电子器件和印刷线路板的一种关键化学品.本文主要介绍光致抗蚀剂的研究发展情况.针对目前我国集成电路多代同堂......
我国微电子进入新的飞速发展时期,新的生产线在不断兴建,集成电路设计公司已超过300多家.但大量的都是中小设计公司,对制版和流片......
聚对羟基苯乙烯和环己基乙烯基醚反应得到缩醛保护的产物.该聚合物易溶于常见的有机溶剂,具有较好的热稳定性,在248nm处透明性良好......
以对苯乙烯磺酸钠、乙酰氧基苯乙烯和甲基丙烯酸酯为单体通过自由基聚合反应得到多元共聚物,进一步与鎓盐卤化物交换反应得到含光......
本文对含碘鎓盐光产酸剂和染料增感剂的化学增幅型i-线正性光致抗蚀剂进行了研究。4,4 ,-二甲苯基三氟甲磺酸碘鎓盐可以被染料增感,......
分子玻璃光致抗蚀剂材料因其具有单分散性、无定形性、可获得高分辨率图形及低线边缘粗糙度等优点,已受到了较大的关注。本文设计并......
本研究以α-溴代苯乙酮、四氢噻吩、三氟甲磺酸及九氟丁基磺酸钾等为原料,制备了两种硫鎓盐化合物.由于这类产物在应用中对金属离......
在过去的十年中,研究了各种分子玻璃体抗蚀剂,以电子束抗蚀剂研究的较多,也包括极紫外、248-nm和i-线抗蚀剂。包括了负型和正型抗蚀剂......
澳酚蓝水溶液的紫外吸收会随着体系中酸的量变化,以此为基础,用一种简单新颖的方法测定了三种不同的光产酸剂在聚乙二醇膜层中在低......
以4,4-二氨基二苯醚(ODA)与4,4-联苯醚二酐(ODPA)共聚反应得到聚酰胺酸(PAA),再用甲醇在酸催化下进行酯化反应.可制得不同比例的一......
Ultraviolet/ozone and oxygen plasma treatments for improving the contact of carbon nanotube thin fil
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一、引言随着大规模集成电路(LSI)向着超大规模集成电路(VLSI)发展,即要求每一基片上集成十万个元件以上、一万门电路以上,对图象......
一台设备被设计并且集合了分析分子的玻璃(MG ) 除去在极端下面的光致抗蚀剂紫外(EUV ) 暴露。与不同部件和 tert-butoxycarbonyl ......
紫外光学在光刻方面的巨大作用随着光刻变成信息时代的“铣床”,允许更短波长通过的光学技术现在似乎成了继续改善性能的最有希望的......
光刻集成电路生产过程所用的照明波长推动着形状尺寸的变化,即波长越短,可使成像特征越小。为制作下一代计算机用的集成电路片,光刻系......
用干涉光刻制作新型显示元件劳仑斯·里弗莫尔国家实验室的研究人员正用光干涉光刻而不用掩模制作微孔或微点列阵。这种形成微小组......
利用离子束对光导HgCdTe芯片阳极氧化膜、CrΑAu电极和HgCdTe芯片的成形进行刻蚀,要求HgCdTe芯片表面温度不能超过80℃
The ion beam HgCdTe chip anodized ......
报道了用光致抗蚀剂作牺牲层材料制作可动微机械结构的一种新技术。用这种技术制作可动微机械,动件和固定件同时制作。要求的掩模数......
采用Kaufman离子源刻蚀微透镜列阵并采用实时检测系统对刻蚀深度进行了控制。提出了测量微透镜列阵衍射效率的一种方法。对测量误......
叙述了采用氩离子束刻蚀的方法制作线列长方形拱面石英微透镜阵列.所制单元石英微透镜底部的外形尺寸为(300×106)um2,平均冠高7.07μm,......
介绍了新型CMOS-SEED灵巧象素结构原理及相关的倒装焊技术,采用厚光致抗蚀剂作掩模,通过磁控溅射和真空蒸发相结合,解决了与CMOS-SEED有关的In凸点阵列成型......
公开号 CN1204698A 申请人 国际商业机器公司 地址 美国纽约州 公开了气相淀积的BARC和制备基于非晶碳薄膜的可调且可去除的抗反射涂......
利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作128×128元面阵硅场发射器件,采用扫描电子显微镜(SEM)和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列......
利用光刻及氩离子束刻蚀制作面阵硅场发射器件,采用扫描电子显微镜和表面探针等分析所制样品的表面微结构形貌,定性讨论了刻蚀用氩离......
阐述了利用离子束刻蚀技术制作线列长方状拱面石英微透镜阵列的工艺方法,对所制微光学元件的光学性能进行了测试和讨论,所制成的石英......
讨论了制作大面阵矩底拱面状微透镜阵列的工艺条件,给出了氩离子束刻蚀制作红外焦平面用面阵微透镜的离子束刻蚀速率的经验关系式,通......
采用光刻热熔法及离子束溅射刻蚀制作面阵石英柱微透镜阵列.表面探针和扫描电子显微镜的测试表明,在不同的工艺条件下制成的柱微透镜......
介绍了目前用于提高亚半微米投影光刻机成像分辨力、增大焦深的新技术及主要研究方向.对大数值孔径和短波长技术、倾斜(离轴)照明技术......
对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束刻蚀技术进行了讨论和分析.实验结果表明,衬底材料不同时,制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求......
利用光刻/离子束刻蚀制作大面阵硅微透镜阵列,采用SEM和表面探针测试等手段分析所制样品的形貌特点,定性讨论制备工艺的不同对所制器......
制备波导光栅的相位掩膜技术*马少杰李燕徐迈林久令(中国科学院长春物理研究所,长春130021)(中国科学院激发态物理开放研究实验室,长春130021)关键词光......
超大规模集成电路(VLSI)线宽的不断缩小,促进了光刻技术的发展和分辨率的提高,使分辨率已进入到深亚微米区域。光学光刻分辨率的提高是依靠......
该文章成文于多年以前,但其中所述的实验方法及结论对于如何选用内层蚀刻干膜仍具有指导意义。该论文中虽仅以干膜作为研究对象,但......
提出了一种制作 12 8× 12 8球冠型GaAs凹折射微透镜阵列新的方法———曲率倒易法。扫描电子显微镜(SEM )显示微透镜阵列为表面轮......
利用光刻热熔成形工艺及离子束刻蚀制作 12 8× 12 8元凹微透镜阵列。所制硅及石英凹微透镜的典型基本图形分别为凹球冠形、凹柱形......
美国国家能源部的科学家开发出一种新型环保技术,可以大大减少生产电脑芯片和集成电路时所使用的腐蚀性物质,同时不会产生大量废水。......
抗蚀剂曝光的模拟与光刻系统空间像模拟紧密相连 ,一般是用标量衍射方法在特殊几何形状的光源分布和特殊掩摸结构的条件下计算的 ,......
前言 图象转移是PCB生产过程中的关键步骤。随着HDI板和微导通孔板的生产实践以及普通印制板生产技术的提高,传统的接触成像已不......
对YG6硬质合金电化学蚀刻工艺进行了研究 ,提出了采用光致抗蚀剂作保护膜 ,在生成一定钝化膜的情况下进行电化学蚀刻的方法。在一......
据专利文献介绍,取代的1,5-二苯基-1,4-戊二烯-3-酮,有些在光致抗蚀剂体系中可用作指示染料和光引发剂,有些则能用于新的呈像体系......