击穿电压相关论文
氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
学位
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有......
随着电力电子器件的迅猛发展,从日常使用的家用电气、交通工具到航天航空,处处都体现着电力电子器件的身影,因此如何提高器件的击......
学位
单光子雪崩光电二极管（SPAD）凭借其极高的增益可以探测光子量级的极微弱光,被广泛的应用在激光测距、激光雷达、量子密钥分配、医疗......
氧化镓（Ga2O3）作为一种新型的超宽禁带半导体材料，与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比，具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特......
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
采用1,1,2,2-四氢全氟-1-癸醇对异佛尔酮二异氰酸酯三聚体的1个异氰酸酯基进行封端，将封端后的三聚体替代部分异佛尔酮二异氰酸酯与......
功率MOSFET由于可以实现高速的开关,有着较高的输入阻抗,并且易于被驱动,在功率器件中占有着重要的地位。但是功率MOSFET器件的击......
近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。相比于......
作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅（SiC）具有高临界电场、高热导率等特性，以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通......
功率集成电路技术是连接信息世界和现实世界的重要技术。集成电路技术不仅带来了信息技术、人工智能技术的蓬勃发展,而且对其他产......
基于脂润滑球轴承动态击穿电压测试方法，即击穿电压越大，油脂导电性越差，考察基础油黏度、有机胺类型对脲基脂导电性的影响，同时评定不......
本文基于仿真和实验方法，开展了100VN 沟槽MOSFET的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈......
GaN功率器件具有高电子迁移率、高耐压、大电流密度等特点。但目前仍存在诸多关键科学问题亟待解决,如:常规GaN HEMT器件在关断状......
功率半导体器件是各类用电设备的核心部件。随着手机快充、电动汽车、无刷电机和锂电池的兴起,对中压金属氧化物半导体场效应晶体......
屏蔽栅场效应管SGT-MOSFET（Shield-gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）,作为新型功率开关MOSFET,通过在槽栅......
为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压VCBO、VCEO的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘......
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
GaN材料作为宽禁带半导体,具备优良的材料特性,被广泛应用于功率半导体器件中,具有较高的研究价值。国内外GaN基功率二极管的相关......
绝缘栅控型的功率器件在功率半导体器件市场中占据了相当大的比重,其中最典型的器件为功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field......
第三代宽禁带半导体材料氮化镓（Gallium Nitride,Ga N）具有高击穿电压、高电子迁移率、高热稳定性等诸多优良特性,是制备功率器件非......
高压绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）凭借耐压高、开关快、电流大的优点广泛应用于轨道交通、智能电网......
随着电子器件的发展,高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器件中,以高压横向双扩散金属氧化物半导体管（Lateral D......
设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件（FG-LDMOS）,该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽，再经热氧化后填充作为场板的......
具备耐压能力强、高频性能、易集成等诸多优点的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semico......
学位
100V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）被广泛应用于汽车电子及智能......
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。然......
以芳纶纤维和玄武岩纤维为原料,通过造纸湿法抄造制备复合绝缘纸,系统地研究了复合绝缘纸的力学性能、绝缘性能、热稳定性、胶液渗......
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工......
植物绝缘油的燃点较高,且环保性较好,但击穿电压相对矿物绝缘油较小.使用纳米粒子对植物绝缘油进行改性,能够提升植物绝缘油的击穿......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
高压集成电路被广泛的应用于AC/DC转化、高压栅驱动、LED照明驱动等领域,应用前景广泛。作为高压集成电路的核心开关器件,LDMOS（Lat......
学位
横向功率MOSFET因其具有开关速度快和便于集成等优点,在功率集成电路领域占据重要地位。功率器件中存在一个重要的折中关系,即比导......
功率半导体器件是一类可用于电能处理的半导体器件,具有高灵活性和高效率的特点。随着电能在人类生产生活中的应用越来越广泛,对电......
随着国家对集成电路产业的扶持力度越来越大,国产半导体产品的需求量也越来越大,功率器件是半导体产业的重要组成部分,它不需要特......
近年来,表面介质阻挡放电等离子体激励器(Surface dielectric barrier discharge plasma actuator,SDBD-PA)已经成为流动控制领域......
相比于传统VDMOS,超结耐压层结构和高k介质耐压层结构VDMOS能实现更高的击穿电压和更低的导通电阻.通过仿真软件,对3D圆柱形高k VD......
对氢终端金刚石MOSFET进行物理仿真,仿真了栅介质厚度为100 nm的氧化铝栅介质的金刚石MOSFET,得到器件的最大漏电流密度超过400 mA......
横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor,LDMOS）作......
电力变压器是电网运行的关键设备之一.变压器绝缘油作为油浸式变压器的核心材料,通过对变压器油的日常监测,提前预测变压器油的击......
随着智能化电网规模的逐步扩大,对电网的供电质量和安全可靠运行的要求也越来越高.变压器作为电力系统中最核心的设备之一,承担着......
传统的功率器件一直是用纵向的低掺杂漂移层作为耐压支持层,但近年来,一种称为“超结”的CoolMOS器件逐渐流行,这种“超结”结构很......
基于绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体场效应器件（SOI-LDMOS）具有自隔离效果好、可靠性高、消除衬底辅助耗尽效应等优点。广......
为对比牵引电机用国产与进口间位芳纶纸的性能,测试分析了国产A纸、B纸及进口纸的结构、力学性能和介电性能.分别采用3种纸制作了......
准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响......
随着电力电子以及信息和通信技术行业的发展,传统硅基功率器件的性能已经不能满足现今高功率密度的应用要求。近年来,碳化硅材料因......
单片智能功率芯片具有高低压兼容、集成度高以及寄生参数小的特点,广泛应用于中小功率家用电器领域。厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双......
随着功率集成技术的不断发展,横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）因其......
