化学配比相关论文
近年来,在我国经济的转型和产业结构调整的浪潮下,智能制造已成为制造业发展中的主攻方向。工业机器人是智能制造的重要组成部分,......
磷化铟（InP）是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,具有很多的优越特性,是制备半导体器件的衬底材料,在光源、光纤通信、高速大型计算机等领域得......
硒化镓（GaSe）晶体是一种综合性能优异的非线性光学晶体材料,在中远红外波段以及太赫兹波段都有重要应用。GaSe还可以作为二维材料应......
Controlling Bandgap of Organometal Halide Perovskite via Hybrid Evaporate-Solution Process for Photo
对CH3NH3PbI3而言，相变会对PL发光光谱影响较大，制备了叉指型MAPbCl3薄膜紫外光电探测器，而且这种CH3NH3PbCl3薄膜探测器比单晶探测器......
一、导言 铁-铝、铁-硅合金是软磁材料中两个重要系列.它们相异原子间的引力大于相同原子间的引力,并可以形成连续的替位式固溶体......
一、引言 有人预言,理想A15Nb_3Si的T_c可达25～28K,高于任何已知的超导体。因此,人们对A15Nb_3Si的合成工作怀有很大兴趣,十多年来......
一年来,国内外物理学家掀起了一股“超导热”。原因很明显,新超导材料把转变温度T_c提高到液氮温区,这正是科学界长期以来所梦寐......
前人研究表明:La_2O_3、Sm_2O_3和Gd_2O_3均与PbO形成通式为RE_2O_3·4PbO的中间化合物。我们曾发现Eu_2O_3-PbO系有一个化学配比......
我们已经报导了用非晶工艺的方法制备出了均匀、致密的掺Pb铋系超导体。本文报导用非晶体来研究退火过程中的相形成。Bi_2O_3,PbO......
智利使用重铬酸钠 -硫酸溶液浸出辉钼矿精矿以脱除硫化铜杂质。试验结果表明 ,温度对溶铜也有显著影响 ,而硫酸浓度在超过化学配比......
生长了系列掺杂低铁(质量分数分别为0×10-6,3×10-6,5×10-6,10×10-6,25×10-6,50×10-6、100×10-6)的近化学配比铌酸锂(SLN)晶......
本文报告了硅中注入大剂量Ｏ＋或Ｎ＋离子形成ＳＩＭＯＸ或ＳＩＭＮＩ的计算机模拟结果，分析了ＳＩＭＯＸ与ＳＩＭＮＩ形成的不同机制，在注氧形成ＳＩＭＯＸ结构的计算机模拟程序的基础上发展了注......
本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的......
综述了离子束科学技术领域新的重要进展──从作为半导体掺杂手段的低剂量（１０１１～１０１６／ｃｍ２）离子注入到高剂量（１０１７～１０１８／ｃｍ２）离子注入合成新材料的离子束合成技术。......
黄色V_2O_5在一定能量密度紫外激光的作用下.导电性能发生了显著的变化,从原来的绝缘体转变为半导体,同时表面颜色也发生了变化.利......
用分子束外延法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了高质量的四元合金Ｚｎ（１－ｘ）ＭｇｘＳｙＳｅ（１－ｙ）薄膜．在对所生长的样品进行俄歇电子能谱、Ｘ射线衍射和喇曼散射研究后，提出了一种确定......
本文介绍了采用激光化学汽相淀积（LCVD）技术淀积氮化硅薄膜微透镜的系统与工艺的设计。实践表明，按要求建立了LCVD的实验装置后，只要适......
介绍了一种利用激光化学气相沉积（LCVD）技术，在平面石英玻璃衬底上沉积平凸形Si3N4球面介质膜用作微透镜，包括LCVD的实验装置及其沉积......
研究了在３０８ｎｍ准分子激光辐照下，Ｖ２Ｏ５非晶薄膜性质的变化．利用Ｘ射线衍射、Ｘ射线光电子能谱及扫描电子显微镜等多种测试方法进行了分析比较，确定Ｖ２Ｏ５非......
利用Sol Gel法制备了优质KTN陶瓷靶材 ,用PLD技术成功地在P Si(10 0 )衬底上沉积出了较纯净钙钛矿相 (>98% )的KTN薄膜 ,并对所制......
本文利用最小自由能法计算了Ｈ２－ＮＦ３体系和Ｃ２Ｈ４－ＮＦ３体系的ＤＦ化学激光器燃烧室中的化学平衡组分，获得了不同体系ＤＦ化学激光器氧化剂与燃料的最佳配比，着重......
在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２，在此基础上生长了Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格并观察到其光致发光（ＰＬ）谱
In silicon molecul......
以Pb（NO3）2、TiCl3和ZrOCl2为电解质，就利用电化学还原法及退火晶化处理在不锈钢基底上制备钙钛矿型PZT薄膜进行了研究。结果表明：在一......
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行......
LaTiO3是一种典型的强关联电子材料,其(110)薄膜为通过晶格对称性、应变等的设计调控外延结构的物理性质提供了新的机会.本文研究......
陈念贻、江乃雄等应用键参数模式识别方法,用电子计算机对未知的金属间化合物进行预报.最近,我们对计算机预报结果进行实验验证,......
本工作合成了轻稀土氯化物与题目不饱和冠醚所形成的三种新的轻稀土配合物。元素分析数据说明稀土氯化物与配体的化学配比是1:1。......
本文系应用在量热弹中燃烧试样的方法来测量Cr-Si系统化合物的标准生成热;应用“混合”法测定其热焓和热容,及应用“古伊”法测量......
金红石(TiO_2)是一种常见的矿物,它以多种地质产状出现。通常认为这种矿物不象人工缺氧金红石(TinO(?)),它不存在非化学配比状况,......
采用化学键参数-模式识别方法总结的金属间化合物的形成、晶型和化学配比规律,建立了能检索、预报二元金属间化合物的专家系统——......
随着硅集成电路工艺的发展以及对器件可靠性和稳定性的要求越来越高,器件表面的保护需要采取更加有效的措施。尽管硅的热氧化膜—......
通过控制烧结温度和冷却气氛的方法，合成了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ的四种相——正交相－Ⅰ，正交相－Ⅱ，四方相－Ⅰ和四方相－Ⅱ，并对它们进行了鉴定，研究了四种相之间的......
熔体温度的精准测量和合理控制是快速合成化学配比磷化铟(InP)的关键,并直接影响晶体质量。由于单晶炉内温度梯度较大并且熔体表面......
采用磷注入法合成磷化铟(InP)熔体,用液封直拉(LEC)法生长了不同化学配比的掺铁(Fe)InP单晶。用红外吸收光谱研究了化学配比对掺Fe......
期刊
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有诸多优异特性,作为衬底材料广泛应用于光电子与微电子领域。熔体组分配比度能......
本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积（ＬＣＶ）球面微透镜的技术。我们建立了一套ＬＣＶＤ的实验装置，用该装置在平面石英玻璃衬底上，成功地沉积......
我们知道,Nb3Si有三种同素异构体,其中L12相(Cu3Au型)是由粉末烧结得到的[1],A15相Nb3Si可能是一种高温超导体,但一般只能得到偏离......
高效能水泥曹龙高效能水泥（ＨｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＣｅｍｅｎｔ）是新概念。其含义是水泥生产和使用的各阶段均有好的效果和性能。即同时满足水泥生产阶段高标号（最低强度......
用热分解法在玻璃衬底上制备了Ｃｕ添加的Ｂｉ，Ａｌ：ＤｙＩＧ磁光薄膜，对其静态读、写性能进行了详细的研究。Ｃｕ添加的薄膜可获得高的矫顽力和好的矩形化，对记......
利用对向靶溅射（ＦＴＳ）沉积出（１１１）择优取向的单相ＴｉＮ膜，膜硬度（ＨＶ）最高可达３８００，择优取向随基板偏压增高，可由（１１１）转向（２００），晶格常数随氮气分压增高而增大，这是氮原子进......
利用离子束增强沉积工艺，在硅基片上制备Si3N4／Si多层红外干涉滤波薄膜结果表明，N2+N的辅助轰击对于合成接近化学配比的Si3N4薄膜起了......
