硅单晶相关论文
直拉硅单晶的生长过程涉及多场多相耦合与复杂的物理化学变化,其中工艺参数的波动是导致晶体直径不均匀的重要原因,如何实现工艺参......
本文研究了低衰减太阳电池硅单晶的几种制备方法，并比较各种方法对降低电池光致诱导衰减的效果，同时探讨了这些制备方法对硅片电阻率......
通过拉晶实验，发现热对流、晶转、拉速等对掺磷Ｎ〈ｌｌｌ〉高阻硅单晶径向电阻率均匀性影响很大。热对流小，晶转快，拉速大能有效提高单晶径向......
近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳......
利用FEAMG-CZ软件模拟研究了cusp磁场对称面(定义为0高斯面)与熔体自由表面距离对直拉硅固液界面氧浓度分布的影响。结果表明：随着O......
目前中照后的区熔单晶一般都在８５０°Ｃ进行热处理以消除辐照损伤并使〈’３０〉Ｓｉ嬗变形成的磷原子达到电激活，但一些３英寸的Ｎ〈１１１〉常规无旋涡原始......
本文主要介绍了Φ5″区熔硅单晶的生长,及NTD后的热处理,并对整个研制过程中晶体生长理论的几个关键性问题进行了讨论.......
纯化石英坩埚所用高纯石英砂,改变其中Na、K元素的含量,研究了石英坩埚中Na、K元素含量的不同对硅单晶拉制的影响。结果表明,降低N......
活化法测量硅单晶中子嬗变掺杂的辐照热中子注量时,由于活化探测器与硅的目标反应截面随中子能量的变化曲线存在一定差异,导致测量......
随着光伏行业的快速发展,对硅单晶的品质和长晶装备的稳定性的要求也不断提高。直拉法是生产硅单晶的主要方法,通过提高单晶炉副室......
本文从用户的角度比较了国产石英坩埚和进口坩埚在产品标准、原料、纯度和产品性能方面的差异，并对国内石英坩埚企业的发展提出了一......
通过拉晶实验，研究了炉室气压、拉晶速率和成晶时间等晶体生长工艺条件对直拉重掺锑单晶电阻率的影响。实验结果表明，炉室气压、拉晶......
用扫描探针显微镜(SPM)观察了能量76keV、剂量1.7×l0~(17)cm~(-2)的N_(10)~+团簇离子注入Si(lll)单晶表面的形貌。发现在此条件下......
阐述了硅单晶中非平衡载流子寿命与注入水平的函数关系以及少子寿命与复合寿命的区别,通过变光强测量得到一组寿命与注入水平的实......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
目前在单晶硅制备中,国外多采用纯氩气氛拉晶工艺(或在氩中掺1—5％的微量氢气)。氩气性能的稳定,不仅可以将炉中结晶潜热及时排出,......
用直拉法生长硅单晶时,采用热解石墨制作的加热器及保温罩代替一般的石墨制件,有效地避免了碳对硅单晶的沾污。
Czochralski grow......
在真空下用CZ法生长硅单晶时,经热力学分折和实验研究证明,硅单晶中碳的主要来源除石墨托与石英坩埚间的反应生成CO外,气氛中氧化......
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于1959年。国家教委于1985年批准为重点实验室,1987年11月通过国家级验收。该实验室由阙端麟教授......
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于1959年,1985年被国家教委批准为重点实验室,1987年11月通过国家级验收。实验室由阙端麟教授为......
最近我们用高分辨电镜方法研究了750℃50—100h退火后直拉硅单晶中的氧沉淀。选择750℃退火的原因有二:①大规模集成电路工艺正在......
浙江大学高纯硅及硅烷实验室,始建于一九五九年,一九八五年被国家教委批准为重点实验室,一九八七年十一月通过国家级验收。实验室......
金属物理教研室主要负责金属应力腐蚀断裂机理的研究。发展了氢致开裂理论,通过大量的实验研究,证实了多种材料都存在氢致型性变......
本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验......
在党的基本路线指引下,浙江大学材料系科学研究工作蓬勃开展,近年来得很多重大成果,其中获得国家级发明奖的就有十项。获奖项目如......
国家自然科学基金委员会材料与工程科学部于1993年3月29～31日在北京大学组织召开了首次“发光多孔硅材料”研讨会。北京大学、复旦......
采用有限元方法模拟了硅单晶Cz炉内的熔体流动及传输过程,研究了表面张力温度系数对熔体流动和氧浓度的影响。结果表明,自由表面的......
提拉法(Czochralski)是工业化生长硅单晶最广泛使用的方法,晶体生长炉内高温辐射及对流对生长晶体质量十分关键。同时考虑生长炉内......
硅中掺入等价元素Ｇｅ，可以提高硅单晶的机械强度。本文报道了用三点弯曲法、冲击法对不同Ｇｅ含量硅片机械强度的研究结果及影响ＣＺＳｉ机械强度的......
通过实验系统地研究了硅中氧、氮、碳含量和状态以及硅片表面损伤对室温下硅片抗弯强度的影响规律，讨论了室温抗弯强度与高温抗形变......
利用电化学阳极腐蚀的方法制备了多孔硅膜，实验发现多孔硅膜为多层结构，表面层为纳米结构，其余为微米结构，多孔硅的物理及化学结构的研......
对采用中子嬗变掺杂(NTD)技术生产硅单晶作了研究,给出了几种不同气氛下成晶的NTD硅单晶对器件性能影响的试验结果及数据分析.
Th......
通过热场实验、拉晶参数实验与电阻率控制实验，研究了重掺砷＜１１１＞硅单晶的位制工艺，制备出无位错的Φ１００ｍｍ单晶，成品率达３３．８５％。还探讨了简便、高效的......
作者利用双晶Ｘ射线衍射技术，研究了不同切割速率下硅晶片的切割损伤。实验得出切割速率不影响损伤层的厚度，但影响损伤层内的微观应力......
北京有研总院研制成功我国第一根直径12英寸直拉硅单晶我国第一根直径12英寸(300mm)、等长度400mm、晶体重量81公斤的直拉硅单晶,......
ＮＴＴ在室温下验证单电子晶体管的工作ＮＴＴ（日本电信电话）ＬＳＩ研究所在３００Ｋ温度已验证硅单电子晶体管的工作。改变栅电压，能使一个一个电子飞向在源漏间......
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0......
用红外光谱等方法研究了硅中氮的电学行为．结果指出：氮对热施主无明显的促进和抑制作用；ＮＣＺＳｉ中不存在“热受主”，ＮＣＺＳｉ的电学性质上的特点是氮氧......
在“九五”期间,我国将加大投资,实施909工程,以促进集成电路产业的良好发展。作为909工程的主体,华虹项目的主要内容是建一条采......
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800......
