光电子集成相关论文
本文从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述了目前支撑光网络关键性光电子器件的发展现状,指出光器件集成芯片,光电子系......
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP......
光电子集成是当前光电技术和信息工程领域的新趋势和研究热点, 其中光源集成化和工艺相容性已成为制约其进一步发展和应用的关键问......
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮氧化硅(SiON)所形成的包括通道波导、条汉志、倒脊型波导等多种结构的特性,通过对测试结果......
本文通过大量实验,采用键合及背腐蚀方法研制成功 SOI 光波导,传输损耗仅0.85dB/cm.
In this paper, a large number of experime......
韩国光电子集成回路的研究1.引言韩国Ⅲ-Ⅴ族半导体的研究开始于70年代中期,仅在几个大学进行。80年代初,有较多大学、政府和工业实验室认识......
重庆光电技术研究所简介重庆光电技术研究所是国内专门从事半导体光电器件及其应用技术研制和开发的研究所,1969年底始建于重庆市永川境......
综述了1994年以来国内外在GexSi1-x/Si光波导及其器件结构、工艺等方面的最新研究进展
The latest research progress of GexSi1-x / Si optical ......
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl(Ga)As∶InP和InGaAs∶InAlAs的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上MSM(金属-半导体-金属)光探测器的......
重庆光电技术研究所于1969年底始建于重庆市永川境内,1996年10月搬迁至重庆市南坪。 该所主要从事电荷耦合器件(CCD)、红外焦平面......
研究了在硅基底上采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮氧化硅(SiON)所形成的包括通道波导、条波导、倒脊型波导等多种结构的特性。通过对测试结......
本文报道了一种简便有效的多孔硅(PS)后处理新方法,即在(NH4)2S/C2H5OH溶液中浸泡PS,并用紫外光辐照激发.后处理PS的光致发光(PL)强度约为未经处理的5倍;样品处理后......
2001120430掺Er3+玻璃光波导放大器的进展[中]/陈海燕… //半导体光电.-2000,21(6).-381-3832001120431MMI型GaAs1×N和N×N集成光......
光隔离器是光纤通信系统和精密光学测量系统中常用到的一种光学器件。在光路中 ,它的主要作用是阻止光被其他物体反射回来沿原路的......
对接生长技术可以独立优化不同区域的波导结构,有利于制作高性能的半导体光电子集成器件.文中采用MOCVD对接生长技术制作了SGDBR激......
研究单位:北京邮电大学光通信与光电子学研究院;中国电子科技集团公司第13研究所课题负责人:任晓敏课题组成员:任晓敏黄辉黄永清王......
在计算技术和光网络等信息技术高速发展的信息化、智能化时代,为应对数据中心和超级计算机对数据带宽的需求和能耗的限制,发展低能......
高亮度硅量子点是实现硅光电子集成的关键部件,针对利用硅原子的自组织生长方法制备的硅量子点具有浓度低、发光弱等缺点,研究了利......
笔者于1997年参加了在美国San Jose举行的电子图像学术会议,并顺访了美国的4所大学。电子图像会议是Photonics West活动的一部分......
提出了一种适用于光电子集成CMOS-SEED灵巧像素光互连网络的二维光纤束列阵结构和制作方法, 采用精密加工的光纤列阵定位槽和光学监控系统, 成......
为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正......
本文描述超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)的设计思想、系统的结构和性能,着重介绍超高真空的获得和系统的特点,将为“第二代硅”SiGe/Si异质结材料......
本文评介了新技术、新材料和新工艺在薄膜技术的应用及其最新发展。
This article reviews the application of new technologies......
由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热......
一、光电子技术国际笔谈纪要1987~88年,作者曾在《科技导报》和《自然杂志》发表《电子技术向光子技术的进化》一文,提出最近的明......
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率......
中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。研究人员将SOI(绝缘衬底上的硅)与表......
人类社会正在步入一个高度信息化、自动化的新时代。信息产业与能源、交通并列被列为现代化社会的三要素,成为当前国际间综合国力......
日本松下电器制作出InGaAsP/InP激光晶体管,在室温附近已实现连续振荡。激光晶体管是具有半导体激光器和异质结双极晶体管(HBI)两......
从最近在日本神户举行的IOOC′89国际会议上报导的光电子集成(OEIC)方面的最新研究成果看来,目前OEIC发展的突出特点是:集成度大......
日本日立中研研制出GaAs系半导体激光器与驱动用FET集成化的光电子集成器件。该器件具有高速工作、高可靠性、低噪声等优点。半导......
本文着重介绍了单模光纤传输系统光电器件的现状及其发展趋势。在光源方面,强调了边发射LED在局域网及用户网中的应用;而在探测器......
由极性半导体GaAs,GaP 等和非极性半导体Ge,Si等构成的异质结构,为高速集成和光电子集成技术的发展提供了新的机会,同时也为基础物理研究提出了新......
光通信技术的创始人高锟博士(Dr.Charles K.Kao)于1986年10月率领 ITT 高级代表团来京沪访问,他亲自宣读了关于光纤技术和光电子集......
描述了采用外延迁移技术制作光电子集成电路的Si衬底砷化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果.发光器件是在外延迁移后流片......
由于Si是一种禁带宽度只有1.1eV的间接带隙材料,其发光效率极低,因此长期以来Si被认为是一种不可能用于制作可见光区光电器件的材料.但近一两年......
光波集成线路前程似锦象当年将分立电子元件作成集成电路引起电子学革命性发展一样,今天将光学和电子学元件作成光电子单个集成线路......
日本电报电话公司光电子实验室日本电报电话公司光电子实验室正在从事建立信息通信时代基础的先进光子技术研究、包括从新材料到光......
发光多孔硅材料的研究作为21世纪的关键新技术而受到重视,因为可用便宜而且工艺成熟的硅材料制备发光器件,实现全硅光电子集成.由......
研究了155Mb/sLD光发射马区动器.光接收前置放大器、光接收前放+主放等长波长光电子集成组件,适合当前SDH光纤通信技术发展的需要.对上述3种155Mb/s光电子集......