器件结构相关论文
热活化延迟荧光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF）材料是许多研究人员用来制备高性能OLED器件的主要选择之一,但TADF......
铜铟镓硒（Cu（In,Ga）Se2,CIGS）太阳能电池,目前是薄膜太阳能电池中转换效率最高的,以其优异的特性和稳定的器件性能,在科研界备受关注,......
本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析......
本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.......
设计一种与双极工艺兼容的可集成硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与传统双极工艺集成的工艺制程。仿真分析......
平面结构和介孔结构是钙钛矿太阳能电池(Perovskite Solar Cells)通常采用的两种器件结构类型。然而，不同器件结构如何影响器件性能......
本文主要从材料的选取、器件的结构和工作机理等三部分展开讨论，并对有机单晶发光场效应晶体管存在的问题和未来进行了分析和展望。......
本文首先简要介绍硅微电子工业的发展状态、限制及对策。为了保持硅微电子工业的继续发展，主要的对策是利用新的结构材料以及新的器......
该项研究采用了双信号(温度和激光)监测和双参数(流动恒温介质温度和LD驱动电流)反馈控制，器件结构上的精细考虑，如使用超高斯涂膜的......
随着深亚微米时代的到来,工艺的不断进步,器件尺寸成比例缩小,IC的抗静电能力显得更加重要,本文综述了部分器件结构,参数及工艺流......
本文介绍了光伏行业的发展现状以及与之相应晶体硅太阳电池产业技术发展状况,从晶体硅太阳电池材料、制造技术方面介绍了提高产品......
本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质......
本文简述了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构、性能，分析了其发展历程，从能耗、制造工艺及设计方面研究了IGBT技术发展的现状，并进一步......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
随着移动互联网、大数据和云计算等技术的发展，用户对通信速度和质量的要求不断提高，对支撑城域网和局域网的短距光纤通信网提出了新......
硅基片上模式复用系统在多个本征模式中携带传输的信号，能够有效地提高系统传输的带宽，具有小体积、高集成度的优点。构建片上模式复......
OLED经过三十余年的发展，在效率和寿命方面均取得了极大的突破，产业化事业也在有条不紊地向前推进着。高效长寿命OLED器件的实现离不......
高幅值、高频率和宽带宽超声信号可以显著提高超声的作用效果和分辨能力，在现代超声应用，如医学成像与治疗、无损检测中具有广阔的需......
目前碳化硅(SiC)被广泛视为下一代功率器件的材料,因为它比硅的电压更高,损耗更低。然而,虽然碳化硅器件具有很大的发展前景,但该......
本文在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能主要是跨导的影......
将PEDOT／PSS（poly-3,4-ethylenedioxythiophene/polystyrenesulfone acid)导电基片用于制备柔性有机小分子电致发光器件，研究了清洗工......
基于非对称晶体的逆压电效应(IPPE),通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN HFET在外电场作用下沟道中2DEG浓......
在最近的年里，器官的薄电影的太阳能电池的表演获得了快速的进步， 3%5% 的力量变换效率(p ) 通常被获得，它是困难的以前获得年并且现......
A series of alcohol soluble amino-functionalized carbazole-based copolymers were synthesized via Suzuki coupling reactio......
制备了有机紫外光探测器(OUV-PD),器件结构为ITO/m-MTDATA(30nm)/m-MTDATA:BAlq(40~60nm,1∶1)/BAlq(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),并......
设计合成了一种1,1-位为二(4-(N,N-二甲基胺基)苯基的新型噻咯单体,并与2,7-芴单体聚合得到六苯基噻咯单体投料量为1%、10%、20%的......
合成了三种1,10-邻菲罗啉苯并咪唑衍生物,即2-苯基(4-溴)-咪唑[4,5-f][1,10]-邻菲罗啉(A1),2-苯基(4-甲氧基)-咪唑[4,5-f][1,10]-......
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望......
可编程逻辑器件(PLD)长期来一直受到人们普遍的欢迎.一开始,PLD不仅结构简单,而目密度也高.利用Abel等描述语言或原理图可以很方便......
链状共轭聚合物的带隙能与可见光能相当，在一定条件下都具有特殊的颜色，可用于多色显示元件。本文评述和介绍了近年来关于用共轭聚合......
集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其......
半导体雪崩光电探测器许多科学仪器，从深深建在地下的探测太阳中微子的巨型水箱，到用于生物研究的荧光探测器，均以每次探测一个光子能......
本文介绍30种通用DSP器件的结构。虽然DSP器件品种繁多,令人眼花缭乱,但若手头有这一手册,就能拨开迷雾,立见首选。
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通过探索温差电致冷元件的损伤层，提出“平均电导率”等概念。
By exploring the damage layer of the thermoelectric cooling el......
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏......
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺......
报道了GaAs／InGaAs异质结双杨功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作，讨论了所采用的一些关键工艺，给出了器件性能。在12GHz下，......
日本电信电话(NEC)公司试制面发光型半导体激光器。该激光器在室温条件下,以190μA的最小阔值电流成功地进行脉冲振荡,阈值电流一......
提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器......
本文综述了有关新型的GaAs／AlGaAs体系双色量子阱红外探测器的结构特性和光电特性的研究工作．双色探测器工作在3～5μm及8～12μm大气窗......
