界面态相关论文
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响，对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化。结果表明，在SiGe HBT器件......
＜正＞通过对 Al 电极/HfA10/Si 组成的金属一氧化物一半导体电容（MOS-C）的深能级瞬态谱（DLTS）研究,HfA10和 Si 的界面区域缺陷的性质可以......
SiC因其优越的电学特性，已发展成为高压功率器件领域的翘楚。然而，SiC与SiO2界面存在高密度界面态，使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于Si......
期刊
碳化硅（SiC）材料具有较宽的带隙,较高的电子迁移率和优越的导热性,因此在电子器件开发中极有吸引力。众所周知,绝缘特性的SiO2层具有......
自旋发光二极管是一种重要的自旋电子器件,该器件是在自旋电子学结合半导体材料而开展的关于自旋注入、操纵和探测的半导体自旋电......
在过去的六十年间,硅基半导体互补场效应（CMOS）场效应晶体管沿着摩尔定律,朝着器件尺寸不断微缩、晶体管密度不断增加的方向快速发展......
雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode,APD）广泛应用于光纤通信、激光测距和量子成像等领域中。其中Ge/Si APD由于具有Ge的工作波段......
近年来,人们对空间探索工作的飞速开展,在空间辐射环境中运行的航天器也越来越多,对能长期工作于辐射、极低温等恶劣极端环境中的......
电子产品的发展由于功率MOS器件的出现进入到了一个节能高效的新阶段。为了进一步降低特性阻抗,提高集成度,功率MOS器件的研究重心......
界面态具有巨大的实际应用价值,因此寻找界面态是一个既有科学意义也有应用前景的课题.在本文中,我们通过把二维正方晶格声子晶体......
由于天然资源有限,香料和制药行业对肉桂醇的广泛需求可以通过肉桂醛的羰基基团的选择性加氢制得（不优选碳碳双键）。但是,由于碳-碳......
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
一氧化氮退火是目前业内界面钝化的主流工艺，而钝化效果与一氧化氮退火的条件密切相关，因此选取合适的退火条件提高界面质量显得尤为......
水声定位技术是深海定位和目标跟踪中最重要和最可靠的技术之一。然而,如何产生一种能够抵抗周围噪声、干扰信号和各种缺陷的稳健......
报道了对SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法的研究结果.在器件物理层面上分析了造成器件阈值电压发生漂移的原因,MOS界面陷阱、近界......
期刊
信息时代的到来,对人们处理信息的速度提出了崭新的要求。目前半导体技术的发展制约着信息的高效、快速处理,利用光子代替电子成为......
Photon-assisted high frequency capacitance voltage method to estimate the interface state density of
界面态，界面态的影响，界面态的表征与测量，界面态的单位:cm-2eV-15,遇到的实际情况，光辅助法测量原理，SiOx层所致的材料性能。......
用AMPS1D软件模拟计算了CdTe薄膜电池中背接触层的结构和掺杂水平等因素对电池性能的影响。引入ZnTe或Cd1-χZnχTe复合背接触层都......
周期变截面波导在频域上通常会产生布拉格禁带，其特性与结构参数密切相关，特别是，占空比的变化会导致布拉格禁带具有不同的拓扑性质。......
在高真空系统中，将C/n-GaAs和C/p-GaAs两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±1V 时，它们的整流比分别大于10和10，以......
本文介绍了中带电压法、电荷泵法和双晶体管法等运用于MOS结构器件中分离由辐射效应引起的界面态电荷与氧化层陷阱电荷的方法,主要......
氢气分子一直吸引着科学家们的研究兴趣，这不仅是因为氢气分子本身具有很多奇特的性质(例如氢气固体是一种典型的量子固体)，而且氢气......
基于传输矩阵法,通过计算一维有限光子结构的阻抗,研究了由反转对称层状光子结构构成的组合结构中界面态存在的条件。对于分别由反......
纳米复合材料具有优异的介电、热学及力学性能,广泛用于微电子、高电压绝缘等领域,二维纳米填料具有长纵比大、表面能低,以及易于......
将由两个一维介质层光子晶体组成的异质结拓展为超晶格结构,分析了该结构的能带和透射谱。该超晶格结构可以产生多个界面隧穿态,它......
本文介绍一种简便实用的测量少数载流子寿命的新方法－ＭＯＳ电容测量法。它对测量样品的要求不高，可在生产过程中实时测量，测量方法、数据处......
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释......
用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈......
本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对......
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下，Ｐ沟和Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的漏电流变化特性。结果表明，ＰＭＯＳＦＥＴ的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的......
对ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构Ｌ８２Ｃ８７电路的电离辐射效应、退火特性及损伤机理进行了研究，探讨了用ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４复合栅结构对大规模集成电路进行抗辐射加固的可行性。
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本文报道一种低阻高化学稳定的Al∶Ti合金的制备方法及其在a－SiTFT中的应用．所获Al∶Ti合金电极材料的电阻率可达6．6μΩ·cm，与纯铝的......
在新结构薄膜电致发光器件中,电极处的势垒的高度决定电子的注入数量.在电极界面处插入不同的薄膜材料,可以改变势垒的高度,并对电......
通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反......
在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出......
综合报道南开大学光电子所为提高TFT矩阵性能与图形完整性方面所做的系列研究工作。它包括材料及器件优化研究，冗余技术的研究以及......
ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２０１％的ａＳｉＧｅ单结电池。
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本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂......
本文通过对Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２材料的选择和镀制，得到了驱动电压为７０Ｖ的交流薄膜电致发光屏，给出了具体的工艺参数，并讨论了影响其性能的因素．
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本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探......
本文研究了固定漏电压、栅脉冲ＡＣ应力条件下ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件特性的退化情况．不同高低电平栅脉冲的应力实验结果表明，ＡＣ热载流子应力条件下器件特性......
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压......
