发光中心相关论文
荧光粉是白光LED中不可或缺的组成部分,开发出性能优异的荧光粉成为众多科研人员追求的目标。A2B’B"O6型钙钛矿氧化物具有丰富结......
本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,从理论角度研究了Mn2+/Eu3+共掺杂对Zn2 GeO4长余辉基质材料光学性能调制的机理.根据......
采用射频磁控溅射技术制备了Ge-SiO薄膜,在N气氛下进行了不同温度的退火处理,分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性.对薄膜的结构......
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发......
采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发......
长余辉发光材料是研究和应用较早的发光材料,主要应用于紧急照明和医疗探针。热释光技术通过加热,将物体之前存贮的能量以光的形式......
通过调节基质组份比例,研究了SrAl2xO3x 1:Eu2 ,Dy3 (x=1-2)荧光粉晶体结构,发光性质及长余辉特性。选取硝酸锶和硝酸铝作为基质原......
钨酸铅晶体是一种新型无机闪烁材料，本文切割并用X射线衍射法定向了用改进的坩埚下降法生长的两块无色透明钨酸铅晶体。用群论分析......
采用高效、便捷的燃烧合成工艺,通过调整多项工艺参数,制备出了高性能Eu~(2+)掺杂的Ca-α-Sialon体系荧光粉。对原始反应物中燃烧......
采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性......
用经典的方法合成了面式-三(2-(4-三氟甲基苯基)吡啶)合铱配合物(fac-Ir(tfmppy)3),并得到了其晶体结构。在CH2Cl2溶液中Ir(tfmppy......
采用溶胶-凝胶法制备了BaO-TiO2-3SiO2∶Eu3+发光材料,通过DTA-TG、IR、XRD、SEM、激发和发射光谱图对材料的结构和发光性能进行了......
采用高温固相法,在还原气氛下制备出Al2O3/蒙脱土:Eu2+光致发光材料。研究了原料配比、烧结温度、保温时间以及激活剂Eu2+的含量对......
分析了三种测量方法──多次激活、加剂量法和钉子技术的优缺点，并对细粒石英前剂量方法进行了专门研究。结果表明，细粒五英前剂量方......
对长石共生方钠石荧光矿物材料进行了结构表征及发光特性研究。XRD分析显示,样品中的主要矿相为方钠石,次要矿相为长石。XRD和TG-D......
对于众多能量转换材料来说,其量子效率往往都受限于一些带来能量损耗的不良过程。例如,上转换发光效应可以吸收两个或多个低能量光......
采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同......
在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍......
讨论了稀土掺杂的硫化锌薄膜电致发光器件中被激发的发光中心的场致离化机理；根据弗朗兹，凯尔迪什效应估计了发光中心较高激发能级的......
研究了激光ＣＶＤ合成纳米硅（平均粒径为１４ｎｍ）的可见发光特性。用３００－４５０ｎｍ波长激发时，在４００－６５０ｎｍ区间观测到了发射宽峰。首次发现粒径大于１０ｎｍ的纳米硅在室温下具有可......
本文研究了制备红色发光粉ＬｉＡｌ５Ｏ８：Ｆｅ的最佳条件．确定了激活剂Ｆｅ￣３＋的浓度为０．０５８％，灼烧温度为１３００°Ｃ，时间为３ｈ．在２５４ｎｍ光波的激发下，该发光体的最强发光峰中心为（６８８±２）ｎｍ．首次报......
本文对长余辉材料的发光机理、常用制备方法及其发光特性的测量进行了介绍；并着重分析了近年来长金辉材料的研究进展状况，比较了一系......
在ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ中共注稀土铒和氧。３００℃和４００℃热退火后，测得了来自发光中心Ｅｒ３＋内层４ｆ电子跃迁的１．５４μｍ光致发光。４００℃是较好的退火温度。随着碳含量的增加，发光......
通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层......
研究了ZnS：Er3+薄膜电致发光（EL）器件中，不同Er3+掺杂浓度的发光特性。发现，随发光中心Er3+的浓度增加而红色发光峰相对两个绿色峰有所......
９０年代，发现一定成份和结构的多孔硅可以在可见光区发光，该项工作在国际上产生很大影响．为解释其发光机制，先后提出量子限制模型、发光中......
采用铕离子注入热生长ＳｉＯ２ 薄膜的方法，获得掺杂剂量为１０１４ｃｍ － ２及１０１５ｃｍ － ２的ＳｉＯ２∶Ｅｕ３＋ 硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性．经１０００℃退火后观察到Ｅｕ３＋ 的红光......
介绍了以ＰＥＴ塑料基板为载体而制作的交流粉末电致发光显示器 件（ＡＣＰＥＬ）。给出了亮度、效率、颜色与激发电压、频率之间的特性曲线，列出了器 件......
采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的......
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的......
本文使用LMTO－ASA方法计算ZnS掺入激活剂铜所形成的铜发光中心的电子结构，分析了两种不同铜价态的影响．结果表明：尽管两种情形下禁带中......
本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发......
大屏幕投影电视的激发密度远远大于普通电视,荧光粉的饱和特性和老化特性成了选择的重要标准。本工作研究了两种绿粉的衰退特性,找......
近年来发光材料在应用中所处激发密度越来越高 ,在使用中往往造成荧光粉的饱和和灼伤。本文研究高清晰投影电视管用绿色荧光粉ZnSi......
固体表面上基团复合与基团、分子、和反应产物(在最简单的情况下为分子)的吸附——解吸过程密切相关。因此,对这些催化反应进行理......
一、简介:磷光现象发现于17世纪初叶,当时对这种现象未作系统的研究,仅为炼金术士们意图寻找贵金属过程中遇到的一种情况。18世纪......
希土,通常是指周期表中从镧到镥并包括钪和钇在内的十七个元素。其中镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱和......
三、稀土离子激活磷光体的化学1.组成对能级和跃迁几率的影响如所予料的一样,稀土离子的环境对其4f能级的影响是非常微弱的,只引......
近十几年来,矿物发光性质的研究和应用有了很大的发展,特别是矿物低温发光特性的测量和利用取得了许多可喜的成果,其中次生铀矿物......
我们从与外电场垂直和平行两个方向上观察了ZnS:Cu发光粉粒中电致发光区域的空间分布,观察结果指出:发光区域主要是呈点状集中分布......
