钻蚀相关论文
本文对宽束离子束刻蚀技术进行了研究，并运用宽离子束对微透镜阵列进行了刻蚀，表明宽离子束可进行微米、亚微米刻蚀。
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集成电路隔离技术概述（续Ⅰ）宋湘云编译６ 全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺已经在双极ＩＣ制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积......
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作......
本文报道了一种由＜１１０＞条组成的，用于（１００）硅ＫＯＨ各向异性腐蚀的凸角补偿图形．该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控......
本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简......
本文简要从版图设计、工艺等方面介绍薄膜双面电阻图形的制作技术．薄膜双面电阻图形基饭附会标准要求，可实现小批量生产。依此基板研......
在国内首次设计并制作了脊波导结构的In(0.53)Ga(0.47)As／In(0.52)Al(0.48)AS多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试......
本文提出一种新型隐埋Ｓｉ／ＳｉＯ２Ｂｒａｇｇ反射器结构的Ｓｉ基共振腔型光电探测器，该结构具有与集成电路相兼容的特点．理论计算表明量子效率较普通光电探测器......
本文在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ外延材料上设计和制作了ＭＭＩ型１×４光功分器。文中首先给出器件的基本工作原理和特点，随后主要讨论器件制作中的ＧａＡｓ材料的干法刻蚀工艺......
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅......
本文涉及到近海结构用涂层所需具备的基本性能,即,除了牢固的粘着性、抗蚀性和易于涂敷外,尚需有耐水、耐候、耐磨、耐化学药品、......
目前的硅半板电容式探测器,由于工艺相当复杂,制作难度很大,另外由于目前硅材料的微机械技术只能形成200nm的平板电极距离,电容C......
为保证微波集成电路(以下简称MIC)的长期稳定可靠,根据我们的工艺实践和体会,对影响MIC稳定可靠的宏观、微观缺陷及化学污染隐患进......
掩模制备是硅各向同性刻蚀中的一项重要工艺。要实现深刻蚀,掩模必须满足结构致密、强度大及抗腐蚀性好的要求。一般光刻胶掩模无......
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以......
集成电路中用等离子体刻Al已经日益重要,为了满足VLSI工艺所需要的精确控制,要对刻蚀过程进行监控.使用含氯的刻蚀气体时,由于ALCI......
在硅集成电路制造技术中、铝膜付蚀是所有付蚀工艺中最重要的。用液体付蚀工艺,由于汽泡引起铝条间的桥接,在台阶处己经很薄的断......
在MOS器件制造的初期,发现经加温和电场的作用后,器件的阀值电压会发生漂移,实验证明这是栅氧化层中(?)污了钠离子。正是磷硅玻璃......
本文介绍了LiNbO_3、LiTaO_3、Bi_(12)GeO_(20)及石英等几种压电氧化物晶体的反应离子刻蚀(RIE)。在平板径流式反应器中,当气压为3......
本文叙述了在介质衬底上金属及其合金的选择浸镀技术。淀积的金属膜只限于有图案的有机薄膜表面,而不是底下的衬底上。此新发展的......
目前LSI正在逐年地向高密度化发展,它为电子学的发展做出了巨大的贡献。其生产的主要关键是微细加工技术,它要求尽可能地按照由投......
通常,Al和Al-Si合金膜在大规模集成电路中作为金属互连线而被广泛采用。在Al和Al-Si合金膜中精确形成微细图形的技术,对高密度、......
日本电气公司武藏野电气通信实验室最近报导了溅射SiO_2膜的剥离作图方法,他们用这种方法成功地作成了具有斜侧壁的SiO_2图形,与过......
近年来,在集成电路生产工艺中已广泛开始采用等离子干腐蚀。其主要原因是,随着IC集成度的提高,必须进一步采用微细加工技术,这就......
由于容易对准促进了半透明光刻版的发展。然而,在它的发展和应用过程中,一些高质量标准已变得很明显,在重要性方面,可能超过对准设......
D触发器用途广泛,需求量很大,因此如何提高其成品率就成为一个重要的课题。从现有工艺实际出发,我们对提高双极型D触发器成品率采......
微波晶体管电极条采用金金属化在故障间隔平均时间上比铝的要好的多。这里列示各种金属化系统的一些结果和优点。
The use of gol......
介绍了在含有CCl_2F_2,CF_4,O_2和Ar的混合气体中的LiNbO_3反应离子刻蚀。讨论了总压强为1—10微米时强气体组分和压强的影响。它......
我国在生产半导体器件中,广泛使用丝焊技术已有20年的历史。这种组装技术的特点是灵活性大,工艺简单。但最大缺点是可靠性差,造成......
溅射腐蚀又可称为逆溅射、反溅射,离子腐蚀、溅射清洗等,这一工艺可广泛地用于半导体、绝缘体和导体材料,特别适用于多层布线的集......
引言 氮化硅膜是一种比较理想的表面钝化材料,受到了普遍地重视。但是由于纯度较高的Si_3N_4直接光刻比较困难,因此使用还不普遍......
说明硅的局部氧化技术可用于制造许多新的或改进了的器件结构。在双极集成电路中可以用氧化壁隔离来代替通常的隔离扩散,这有可能......
本文介绍一种新的干腐蚀技术,即铝的“反应掩蔽溅射腐蚀”技术。这种工艺技术可刻蚀微细线条的铝和铝-铜-硅合金膜图形,没有目前通......
离子铣工艺是随着固体器件向精细几何图形发展的同时而发展起来的。本文讨论了离子铣的优点以及对离子束系统的要求。考虑了从实验......
硅和硅介质膜的腐蚀是在硅衬底表面上形成精细图形的一种基本技术。本文的目的是报导在硅、硅介质膜和铬膜气体等离子腐蚀时所观......
引言一般说来,集成电路的可靠性问题是指用户通常不可能肯定某种器件在装备之前在使用环境中具有所要求的平均故障时间。根据失效......
提高芯片成品率是目前集成电路生产中一个广泛关心的重要课题。各个厂家都作了大量的工作,积累了不少的宝贵经验。我们对广大工人......
钼—金导体用在晶体管以及集成电路的相互布线中所用的钼-金双重导体,由于可靠性高,这一点逐渐被注意了。这种导体可通过高达10安......
硅的局部氧化(LOCOS)对于半导体器件制造技术是一个有价值的工艺,以便在硅衬底中获得部分地或全部的较厚的氧化层图案。依其工艺步......
在研究抗蚀剂上形成微细图形的刻蚀技术的同时,对真实地复印出所形成微细图形的加工技术进行了研究.其中利用了加速离子的直进性的......
