电学性质相关论文
MgO作为常见的金属氧化物,非常适合用于基础应用研究。而掺杂是调节金属氧化物纳米颗粒物理化学性质的重要方法。本项研究采用溶胶......
4H碳化硅（4H-SiC）单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性，在高功率电力电子、射频/微波电子和量子信......
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,是目前应用最理想的宽禁带半导体材料之一,在半导体照明、电子设备等领域具有广阔的......
单壁碳纳米管（single-walled carbon nanotubes,SWNTs）具有高迁移率、优异的稳定性和极好的短通道控制等优良性能。因此,作为目前21......
热释电探测器可以感知环境温度的改变,因此在监控、测温、热成像、侦察等领域具有广泛的应用。热释电器件最为核心的材料基础是热......
碳化硅（SiC）材料是第三代宽带隙半导体,具有许多优越的物理性能,在纳米光电器件中具有广泛的应用。碳化硅纳米管（SiCNTs）是一种重要的......
硫系材料具有独特优良的光学特性,包括:较大的线性和非线性折射率、较宽的透过范围和较低的声子能量。特别是较大的非线性折射率特......
学位
石墨烯的成功制备证明了二维材料在常温下能够保持稳定,引发了人们的广泛关注。由于二维材料具有独特的结构和性能,被认为可以应用......
为分析单轴应力下硅晶体的电学性质,使用第一性原理方法分析了硅晶体在单轴拉伸以及单轴压缩条件下的强度及禁带宽度性质.计算了沿......
钙钛矿材料是目前凝聚态物理的重点关注对象之一。该体系结构简单,其中常包含多种自由度的竞争、耦合等交叉作用,使得一系列独特的......
钛酸铋钠((Bi1/2Na1/2)TiO3,BNT)是一种A位复合钙钛矿结构铁电氧化物,其无铅环保,且与其它无铅体系相比具有较好的机电耦合性能,被......
用共蒸发法制备了Cu2Te多晶薄膜，并对刚沉积和退火后薄膜的结构、光学性质、电学性质作了表征。结果表明退火对薄膜的结构影响显著，......
木文采用深能级瞬态谱(DLTS)和变温霍尔测量研究了Ni/AlxGa1-xN/GaN结构的热退火处理对AlxGa1-xN/GaN异质结构电学性质的影响。实......
用真空蒸发法制备了Cd1-xZnxTe(0＜x＜1)系列薄膜,研究了薄膜的结构、成分及其光、电学性质.XRD测试表明各组分薄膜的结构均为立方相,......
在Ｌｉ〈，２〉Ｏ－Ｌａ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＳｉＯ〈，２〉电极玻璃中加入２－４℅Ｔａ〈，２〉Ｏ〈，５〉含量的关系。在不含Ｔａ〈，２〉Ｏ〈，５〉和含Ｔａ〈，２〉Ｏ〈，５〉的Ｌｉ〈，２〉Ｏ－Ｌａ〈，２〉Ｏ〈，３〉－ＳｉＯ〈，２〉玻璃中分别注入５×１０〈’１６〉......
在对CIGS薄膜太阳能电池的研究实验中，大量实验证据表明在晶界面存在导带与价带的向下偏转，这种特殊的能带结构在晶界面形成空穴势垒......
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。......
在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au......
利用LP-MOCVD系统在蓝宝石(α-AlO)衬底的(0001)面上外延生长InGaN/GaN MQWLED结构.分别以蓝氨和高纯三甲基铟(TMIn)、三甲基镓(TM......
超声喷雾热解技术和低温等离子体轰击表面改性是制备高阻透明SnO单层膜及低阻/高阻SnO复合膜的有效手段.所沉积的薄膜用于CdTe太阳......
采用超声波喷涂CVD工艺在石英和硅片衬底上沉积出不同择优晶化的ITO(掺Sn的InO)薄膜.从300℃到500℃,选择衬底温度,可获得晶面(400......
利用MOCVD方法Si(111)衬底上成功生长出高质量的p-GaN,经原位退火和快速热退火(RTA)处理后,宽穴浓度达到7.84×10cm,迁移率5.54cm/......
本文利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、......
会议
本文通过计算，结果发现:H2在a,b,c三个不同的方向状态最稳定时的位置分别为(0.75、0.5、0.5） ,(0.5,0.63,0.5)和(O.5,0.5,0.68)，带隙......
随着信息时代的到来，各种具有优异性能的新型电子材料开始受到人们的关注和重视。压电陶瓷是一种用途十分广泛的功能陶瓷，其应用已经......
采用RF磁控溅射法在石英玻璃上制备了InGaZnO薄膜, 并对薄膜进行了真空退火实验, 探讨了沉积过程中氧气流量及真空退火温度对薄膜......
基于平面波赝势密度泛函理论，采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质。计算结果表明，与本征SnO2 比较，Sb......
β-Ga2O3 作为宽禁带半导体材料, 以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团......
经过上百年的发展,人们清楚地认识到热电材料难以取得较高热电优值ZT值的原因在于材料的Seebeck系数S、电阻率r和电子热导率ke三个......
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍......
介电材料的电学性质是人们了解物质微观结构最为重要的窗口之一，石英及其高压相在地球内部广泛存在，是地壳的主要造岩矿物之一；同......
激光加载冲击波诱导产生高压的方法是研究材料状态方程的重要手段之一。温稠密液氢与液氘在超高压力范围内的热力学性质的研究......
本文通过使用变温电流-电压、变频电容-电压和霍尔测量，系统地研究了热氧化对晶格匹配的In0.18Al0.82N/GaN异质结构上Ni/Au肖特......
采用高纯La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)靶和BiFeO3(BFO)靶通过射频磁控溅射方法在SrTiO3(001)单晶衬底上制备(LSMO/BFO)12超晶格,并对其结......
AlxGa1-xN/GaN异质结在高温、高频和高功率电子器件方面有很大的应用前景。对AlxGa1-xN/GaN异质结的研究中的一个重要的问题是提高......
作为Ⅲ-Ⅴ族稀磁性半导体的代表，(Ga，Mn)As自从被成功地生长制备以来，在过去数年中，研究人员对它的电学和磁学性质进行了广泛和深入的......
Ⅳ族稀磁半导体由于与传统半导体材料的兼容性，引起了人们的广泛关注。据报导，实验上已有MnxGe1-x、Mnxsi1-x、FexGe1-x等稀磁半导体......
近年来高K材料在Ge衬底上的生长及性质研究引起了人们越来越多的兴趣.本文研究了Er2O3薄膜在Ge衬底上的生长及性质.本文利用导电原......
作者分析了砷化镓抛光晶片亚表面损伤层引入的影响因素,重点讨论了不同弹性抛光布不同浓度抛光液进行GaAs晶片化学机械抛光试验,并......
采用范德堡霍尔方法测量GaAs抛光晶片的电学性质(迁移率、电导率、载流子浓度),根据迁移率、电导率、载流子浓度随样品截面积减小(......
物质的电导率是物质的组成、结构、构造以及所处热力学条件的综合反映,控制热力学条件下矿物岩石电导率的原位测量无论在地球科学......
极地冰盖记录着地球气候演变历史的重要信息，对其进行钻探取芯，进行冰芯研究对人类了解全球气候变化意义重大。目前我国极地深冰......
