单片集成电路相关论文
超宽带（Ultra-wideband,UWB）系统因其高定位精度、低功率消耗以及高传输速率等优势,在学术界得到了广泛的关注与研究。其中的射频前......
介绍了采用JAZZ0.18um CMOS工艺设计的应用于光纤传输系统SDH STM-64级别的时钟恢复及1:4数据分接电路。时钟恢复电路采用电荷泵锁......
本文简叙了砷化镓宽带单片电路的结构形式、CAD设计的过程以及单片的制作和性能测试等.其性能为:5-21GHz频段内,输出功率大于15dBm......
GaAs MMIC由GaAs衬底上多种材料结合构成.由于器件结构,工艺过程和材料特性等原因.在器件结构中存在一定的材料应力,应力对器件的......
本文所介绍的单片光电集成电路最大限度地消除了封装引线和连接等寄生参量影响,可实现极高的速率,接收机的功能将更加灵活,器件成......
英国某复合材料公司近日投放市场一种新型防火性能的酚醛树脂体系MTM82S-C,该产品可以制成预浸料并适用于公共交通、工业及建筑应......
对具有周期性运动特点的物体，采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度，本文所论述的就......
Ｓａｎ Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ Ｔｅｌｅｃｏｍ公司推出高集成度Ｅ－速率多路复用器芯片美国ＬｅｖｅｌＯｎｅ公司的子公司加州ＳａｎＦｒａｎｃｉｓｃｏＴｅｌｅｃｏｍ（ＳＦＦ）公司１９９５年１０月１１日推出为Ｅ－速率通信设备研制的ＳＸＴ６２３４单片多路复用器。Ｓ...
San Fra......
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32～33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最......
新型制冷设备保护器董民政赵桂钦（兰州铁道学院电信与自动控制系，兰州，７３００７０）我们在对数百台电冰箱、冷柜、空调器等制冷设备的维修中发现，大......
本文从器件的几何、材料和工艺参数出发,获得了低功耗低噪声增强型(E型)GaAsMESFET(简称EFET,下同)模型的等效电路元件值.研究了器......
文章扼要讨论升压型有源功率因子校正电路的工作原理，着重介绍美国Ｕｎｉｔｒｏｄｅ公司单片集成功率因子校正器ＵＣ１８５４的功能及其应用实例。
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回顾了晶体管发明５０周年的历史和我国微电子学的创立史，展望了目前基于尺寸缩小原理的微电子学的前景，提出了今后微电子发展的几个领域......
介绍了一个在ＳＵＮ工作站上自主开发的砷化镓集成电路ＣＡＤ系统。该系统可完成微波、毫米波集成电路ＣＡＤ及砷化镓超高速数字集成电路ＣＡＤ。应用该系统......
本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器......
高迁移率GaAs/AIGaAs二维电子气(2DEG)结构材料在基础物理研究和新型器件及电路的应用方面有十分重要的意义。低温电子迁移率μ超......
描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ
Describes the design and manufacture of 8 ......
Bandwidth9的研究人员已开发出第一台单片集成电路长波长垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）。这台单横模器件发射波长为１．６μｍ，完全能在一个适合于批量......
南京电子器件研究所砷化镓单片集成电路 CAD设计中心拥有 HP、SUN等工作站系统及微波电路设计软件 ,如 HP EEsof、CADENCE、COMPAC......
南京电子器件研究所于 1 997～ 1 999年分别研制了用于手机射频电路的专用系列单片集成电路 ,包括双刀双掷开关、开关功放、低噪声放......
介绍了一种没有驱动器可兼容多极性控制信号的90°MMIC多倍频程数字/模拟兼容移相器的设计、制造和性能。获得了高性能（在5～20GHz频......
00565 A Balanced 2 Watt Compact PHEMT Power Amplifier MMIC for Ka-Band Applications/S. Chen, E. Reese and K. S. Kong (T......
电子设备比几年前增加了许多功能,“片上系统”成为满足更高的电路复杂性和可靠性以及降低成本的需求的解决方案。 “片上系统”是......
M/A-COM公司宣布了一种表面安装塑封超宽带放大器。这种宽带放大器引起诸如测试仪表、军事电子战及电子对抗、微波点对点无线电设......
介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和H......
该所是我国大型电子器件研究、开发及应用研究所之一,是第一批国家鼓励的集成电路企业,拥有单片集成电路与模块国家级重点实验室、......
通过分析InGaP/GsAsHBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设......
基于标准CMOS技术,提出和研究了一种用于光通信与光互连、集成差分光电探测器的全差分跨阻放大器(TIA).为实现全差分特性,提出了一......
基于4英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs PHEMT工艺,设计和制作了一款X波段驱动功率放大器单片集成电路。详细介绍了微波单片集成电路(MMIC)......
采用GaAs pin工艺设计和制作了毫米波超宽带大功率单刀双掷开关单片集成电路。在GaAs pin二极管建模阶段充分考虑寄生效应对模型的......
报道了一款新颖单片集成电路,其集成了数控衰减功能及放大功能。在设计过程中,为实现单片集成电路的宽带特性,放大单元采用负反馈......
设计了一个锁相环频率合成器芯片,该芯片可用在无线接收系统的发射上变频和下变频中实现本振功能。该芯片通过外接滤波器和压控振......
Wolfspeed公司是美国Cree公司下属的一家专门从事碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片集成电路(MMICs)的......
日前,中国电科13所石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,研制出国际首只石墨烯低噪声放大器单片集成电路。石墨烯是最典型的二维材料......
日前,中国电子科技集团公司第十三研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突......
随着摩尔定律的不断推进,集成电路产业迎来了巨大发展机遇的同时,也面临着前所未有的发展瓶颈和技术挑战.论文围绕创新的微纳集成......
随着计算机通信的发展，早期面向字符的链路控制规程就逐渐暴露出其局限性，HDLC协议随之而生，但随着计算机通信的继续发展，专用的HDLC通......
基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路.依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生......
在半导体与计算机技术方面,最近的证据说明,苏联已经获得了重大的成就。好几年来美国在微电子学方面一直占着苏联的上风,两国水平......
一、会议概况 1989年IEEE MTT-S国际微波会议于1989年6月12日至16日在美国长滩召开,同时联合召开的还有微波毫米波单片电路(Micro......
