体硅相关论文
国内外的航天实践表明,单粒子效应（Single event effect,SEE）是空间环境中诱发卫星异常的主要因素之一,而随着半导体器件工艺尺寸的......
本文介绍了一种新型的非穿通型（ＮＰＴ）绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）。该器件直接基于体硅材料上而没有任何降低寿命的步骤。论证了此器件能兼具低通压......
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
简单综述了微机械技术的先进性，该技术包括表面和本体硅微机械、电沉积和键合技术。给出了许多微型系统设计、生产和应用的实例，并对......
用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。
The WS......
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电......
介绍了当前世界上体硅和SOI材料及其器件辐射加固技术的发展现状,并介绍了主要的辐射加固CMOS IC的研制现状。
The current devel......
采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源......
为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性......
ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文......
本文应用“幸运电子”概念，取代平均电场热载流子模型［１］，利用二维数值计算的方法，建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流......
短沟效应将成为限制ＭＯＳ器件进一步缩小的主要因素。利用求解Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的变分方法对短沟效应进行了分析，导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺......
SOI——突破硅材料与硅集成电路限制的新技术与体硅材料和器件相比,SOI具有许多独特的优越性,例如高开关速度、高密度、抗辐照、无......
本文在深入研究硅费米势和禁带宽度温度特性的基础上，详细探讨了宽温区体硅ＮＭＯＳＴ阈值电压的温度特性及沟道掺杂浓度与栅氧化层厚度对其温......
本文利用“灵巧的体接触 (Smart Body Contact)”技术设计出一种新型的SOI灵敏放大器 .采用Hspice软件对体硅的和新型的交叉耦合灵......
体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断......
对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究。采用电子级硅配制Si-P合金,并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量。理论计算结果表......
期刊
东芝公司在日本京都VLSI研讨会上宣布了两项新工艺开发,一项是用于65nm CMOS的一种新的高介电常数K栅介质HfSiON,另一项是用绝缘......
SOI(Silicon on Insulator)指绝缘体上的硅技术,是为适应航空航天电子需求而发展起来的高新技术。近年来,随着信息技术高速发展,......
通过局域注氧工艺 ,在同一管芯上制作了 DSOI、体硅和 SOI三种结构的器件 .通过测量和模拟比较了这三种结构器件的热特性 .模拟和......
提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LD MOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区......
在SOI产业联盟主要成员的支持下,SOI产业联盟发布SOI与体硅FinFETs的对比研究报告。该研究评估了采用节隔离工艺制造在体硅晶圆上......
在压力16.5GPa和温度1450℃条件下合成了Pb_(0.8)Al_(1.6)Si_(2.4)O_8铅铝硅酸盐锰钡矿的单晶。晶体属四方晶东[空间群:I4,Z=2,a=9......
由于目前最先进CMOS器件的尺寸非常小,对准要求变得极具挑战性。测量触点至栅极对准的方法涉及用SEM扫描触点阵列,每次与接地栅极......
材料(如硅)上形成清洁表面时,原先在固体内部的化学键在新的表面上就成为自由的。了解这些表面态悬挂键如何与气体(例如氧)连接使......
首次提出用ＤＥＭ（Ｄｅｅｐｅｔｃｈｉｎｇ，Ｅｌｅｃｔｒｏｆｏｒｍｉｎｇ，Ｍｉｃｒｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ）技术进行非硅材料三维微机械加工，该技术吸收了体硅微加工技术和ＬＩＧＡ技术的优点，解决了ＬＩＧＡ技术的光源问题。目前利用该技术已获得......
采用溶胶-凝胶法与体硅微加工相结合的技术制作了2.5mm厚锆钛酸铅(Lead zirconate titanate,PZT)厚膜驱动的微悬臂梁。测试结果表......
在麻痹声带后端注射特氟隆作为治疗声哑的措施早为人所熟知。作者用特氟隆及硅作动物实验,目的是观察注入后异物碎块有无移行或被......
CMOS静态RAM有很多引人注意的优点,那就是:静态功耗低,噪声容限高,单电源工作,工作电压及温度范围宽(通常为3～15伏和-55℃～125℃),......
一、序言 SIMOX技术(Se(?)oration by Implanted oxygem)是日本电信电话公社和武芷野电气通信研究所于1978年首先提出来的。近二......
根据我们已经提及的摩尔定律,芯片的集成度每隔18～24个月就会增加一倍。这就相当于计算机的计算能力每年会增加50%～60%。那么,为了......
本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体......
研究了采用硅片粘接和先用金刚石研磨、然后用非接触抛光的腐蚀方法(BE-SOI)制作薄膜SOI的制造工艺和这种膜的缺陷特性。制作了一......
本文系统地评述了几种SOI 技术及其研究进展。从材料、器件、VLSI 系统结构与设计、可靠性和应用等方面讨论了SOI 技术的潜力和存......
本文拟讨论辐射加固的铝栅体硅CMOS集成电路的工艺优化和设计。文中描述了加固的基本考虑,部分工艺试验,辐照结果和工艺筛选结果及......
高性能、成本有效的SOI 技术在抗辐射电子学的短期应用和亚微米VLSI 的长期应用方面是重要的.本文概述了在这些应用方面,SOI 技术......
利用Ni/Ge/Au/Ni/Au和Pd/In两种金属结构成功地对体硅掺杂N-GaAs半导体(Nd=10~(18)cm~(-3))和离子注入N-GaAs半导体(dose=8×10~(1......
工艺对注入隐埋氧化物总剂量辐照响应的影响研究＝ＡｓｔｕｄｙｏｆｔｈｅｅｆｆｅｃｔｓｏｆｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇｏｎｔｈｅｒｅｓｐｏｎｓｅｏｆｉｍｐｌａｎｔｅｄｂｕｒｉｅｄＯｘｉｄｅｔｏｔｏｔａｌ、ｄｏｓｅｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｂｒａｄｙ，Ｆ．...
Effect of process on the total dose of immersion oxide implanted ......
极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...
Two-dimensional analytical model of the very thin SOIMOSFET = Two-dimensionalanalyticodelin......
美国电话电报公司贝尔实验室在亚特兰大的COMDEX88年春节会议上展出一种大型网络系统。该系统采用光编制程序,能识别极端畸变的视......
