直接带隙相关论文
In2/3PSe3因其对称性破缺的晶体结构、良好的发光性质和直接带隙特性,在光电子器件领域具有巨大的应用潜力.本研究采用化学气相输......
Monolayer of TMDCs is,as proven theoretically and experimentally,paramount to retain the direct band gap,which restricts......
我们使用基于混合基表示的第一原理赝势法研究了(AlP)/(AlN)和(AlAs)/(AlN)(n=1~5)应变短周期超晶格材料.其中假设(AlP)/(AlN)短周......
GeSn合金材料作为一种新型的Ⅳ族半导体材料,其能带结构能在Sn组分大于～6.5％-11％转变为直接带隙,从而有望实现与现有CMOS工艺兼容的Si......
近年来，在研究硅和锗的发光特性时发现，低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光，考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄......
Ge是传统的半导体电子材料，在电子器件领域被广泛使用.然而，其间接带隙的能带结构限制了它在光电一体化领域的应用.本项研究利用密度......
The monolayer arsenic in the puckered honeycomb structure was recently predicted to be a stable two-dimensional layered ......
在化学元素发现史上，镓是第一个先根据元素周期律预言，后在实验中被发现证实的化学元素。镓在地壳中的含量仅为0.0015%，镓的熔点很低（2......
采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究未掺杂和分别掺杂非金属P、半导体Si及金属Al的单层Mo S2的电子结构和光学性质。计......
基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了单层二硫化钨(WS2)在掺杂Cr和Mo后能带结构的变化,探索不同原子和掺杂量对能......
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Cmcm空间群斜方SrHfO_3的电子结构和光学性质。计算得到的C......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法计算了单层Mo Te_2的能带结构和态密度,研究了拉伸应变对单层Mo Te_2电子结构的影响。......
论述了Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体晶体生长、电导控制与发光器的最新进展,介绍氮化物半导体的研究现状,并讨论实现更高性能氮化物基器件......
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上外延生长了不同组分的ZnTe1-xSx（0＜x＜1）合金．用X射线衍射和喇曼散射对该合金的晶体结构和光学声子散射......
文章介绍了ＧａＡｓ的中子嬗变掺杂（ＮＴＤ）的优点，砷化镓的ＮＴＤ原理，以及ＮＴＤ－ＧａＡｓ的退火过程。并简要介绍了国外ＧａＡｓ的ＮＴＤ研究进展和结果
The article introduces the a......
蓝绿光激光二极管技术的进展砷化镓和有关Ⅲ－Ⅴ族材料之类的化合物半导体一般在红外光谱区发射，这类器件的应用是光纤通信线路和ＣＤ唱机......
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅺ）（续十）第十一讲 全硅集成光学的光源赵策洲（博士，副教授）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１前言全硅集成光学的关键问......
硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向。这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体材料具有......
在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸，电共沉积ＧａｘＡｌ１－ｘＡｓ三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析，获得化学计量比接近Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ的三元化合物半导体材料。......
波长短于红色（＜６３５ｎｍ）的发光二极管（ＬＥＤ）和激光二极管（ＬＤ）对于全息存储、光盘（ＣＤ）、打印机和其它器件具有重要的意义，因此许多开发致力于研制发射蓝光的ＬＤ。......
本书汇编了十四位作者(他们各自都具有令人印象深刻的专业体系)在研究光电子学材料方面所做的工作以便就这一主题作一个总结。本......
报道了用国产ＡＰＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ材料。研究了ＧａＮ过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＮ外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长ＧａＮ过渡层和氮......
根据已经发表的实验数据，针对镓铝铟磷发光材料提出一组经验公式及相应的曲线，作为ＧａＡｌＩｎＰ可见光材料设计的依据或参考。
According to the......
近年来，由于蓝绿发光二极管和激光二极管的发展，宽禁带ＩＩＩＶ 族氮化物和ＺｎＳｅ 基ＩＩＶＩ族半导体材料成为举世瞩目的研究热点之一。取得这些进展的......
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得......
１短波激光器问题可见波段的ＧａＡｓＰ半导体激光器于１９６２年与ＧａＡｓ激光器同时出现［２７］。第一批样品（扩散同质结）用电流泵浦时在红辐射区（～７００ｎｍ）工作。最好的结果在激......
纳米光子学国际会议于 1 999年 3月在俄罗斯科学院微结构物理研究所的所在地下诺夫戈罗德举行。这已是有关半导体纳米结构物理的第......
利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分......
本文对SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个离速SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si......
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的......
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计......
用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low pres......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料.同......
采用密度泛函理论基础上的平面波超软赝势第一性原理计算的方法研究了纤锌矿结构热电氧化物ZnO的电子结构和热学性能。电子结构计......
几乎所有的电子设备都要依靠硅，但是硅却使电子工业的发展陷入了瓶颈。硅会被淘汰么？也许不会，因为改头换面的“新硅”能够挽救这一老......
利用0.97 GeV的209Bi离子辐照二硫化钼(MoS_2)晶体,辐照注量范围为1×1010～1×1012ions/cm~2,结合原子力显微镜(AFM)观测和Raman光......
ZnO作为典型的直接带隙宽禁带半导体材料具有丰富的形貌结构和独特的物理、化学性能,被广泛应用于能源、信息技术、生物医学等领域......
本文基于第一性原理计算预测了一种新颖的二维稳定结构TeSe_2,结果显示单层TeSe_2是一种半导体材料,其带隙值为2.392 e V.有趣的是......
ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料极具开发潜力和应用价值.随着图案化技术的不断发展优化,ZnO纳米棒阵列的精确可控制备......
