肖特基相关论文
石墨烯以其高透光性、高导电性和高稳定性等优异特性在毫米波-太赫兹器件和光电子器件中展现出广阔的应用前景。特别地,通过外加电......
本文研究了基于AlGaN/GaN异质结材料的肖特基二极管气体传感器对于200ppm到1000ppm范围内CO气体的响应状况。在2V正向偏压下,器件......
本文主要介绍了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器(Trench MOS Barrier Schottky rectifier,TMBS)和超势垒整流器(Super B......
在MOCVD生长的i-Al0.33Ga0.67N／AIN／n-CaN的异质结构上成功研制了太阳盲区的AIGaN肖特基紫外探测器，肖特基接触和欧姆接触分别采用Au......
本文提供了开关电源应用中肖特基二极管的银迁移失效案例,阐述了在插件封装半导体器件中的银迁移失效机理,并给出分析方法和预防措......
采用电沉积法制备了离子液体[Emim]BF_4改性PbO_2电极。通过电化学氧化降解苯酚实验对电极催化性能进行了考察,发现苯酚模拟废水的......
本文叙述一种新型的基于ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡＳ双势垒ＲＴＤ单片高速逻辑集成电路的设计和制造技术。由该技术产主的Ｓｃｈｏｔ－ｔｋｙ／ＲＴＤ集成双稳开关已工作到３ＧＨＺ的振荡频率。
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本文叙述了一种全密封式高速双通道光电耦合器OC－5631的研制。此种光电耦合器采用高速GaAsPLED为发光部，采用带Si光敏二极管的放大电......
结合作者在聚合物发光器相关的若干问题的研究结果，评述新型可溶性导电高聚物、透明导电高聚物薄膜，多孔硅与导电高聚物异质结的研究......
采用负阻电路以及我们自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管，用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器该滤波器......
奥地利 Roithner激光技术公司出售使用 Ga P的紫外光电二极管。这种二极管与 Si光电二极管相比 ,信噪比和温度稳定性好得多 ,且能......
高电子迁移率晶体管(HEMT)采用调制掺杂提高沟道中的载流子迁移率。在初期的AlGaAs/GaAsHEMT结构中,肖特基栅通过n+-AlGaAs施主层......
徒弟:据悉,除了“二进制”、“二—十进制”(BCD)之外,还有“八进制”、“十六进制”,它们的最重要的用途是什么? 师傅:由于“八......
LNALow Noise Amplifier低噪声放大器LNCLow Noise Converter低噪声转换器LOPLoss Of Power功耗损失LPFLow Pass Filter低通滤波器......
Cree 公司在其先前开发的1A 和4A 整流管基础上又推出一种新的600V、10A 的碳化硅(SiC)肖特基整流管。这种名为 Zero Recovery 的......
飞利浦日前发布了MEGA肖特基整流二极管新产品,帮助移动通信和消费电子生产商生产出体积更小、功能更齐全的设备。这些更紧凑的设......
在移动通信和消费电子领域,器件小型化的趋势已蔚然成风。为了帮助制造商满足器件更小、功能更丰富的市场要求,飞利浦电子公司发布......
提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法 ,并通过MPW在charted 0 35 μm工艺中实现 .为了减小串连电阻 ,肖特基的版图......
晶恒公司是一个综合性多元化的集团公司,是山东省半导体行业的骨干企业。公司现有二极管、三极管、引线框架、管壳、电源等生产线1......
研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论......
第二代碳化硅(SiC)肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电......
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国外集成电路型号尚无统一标准,各制造厂商都有自己的一套命名方法。下面举出一部分国内市场上常见的集成电路型号命名方法:1.先进......
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通过流片,制作出肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT) .根据ATLAS软件的模拟发现,当发射极接地,集电极接外加偏压时,栅极电压对于SGRTT......
研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电.用X射线光电能谱(XPS)分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N......
据《今日电子》2008年第1期报道,Si4642DYSkyFET是整合肖特基二极管的单片MOSFET,该器件击穿电压达30 V,在10 V栅极驱动下,导通电......
研究了界面态对4H-SiCMESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参......
据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,IMEC通过优化顶层结构来进一步提高增强型(E)GaN HEMT的性能,从安全角度来说一般......
经过香港科技大学的K.Chen及其研究小组的努力,GaN整流管和常断型HEMTs现在可制作在同一芯片上。据K.Chen称,GaN功率电子IC的此项......
研究了测试频率为0.3～1.5MHz时GaN基肖特基器件的电容特性.实验发现,在Au/i-GaN肖特基器件的电容-电压(C-V)特性曲线中,出现了峰和......
对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30V偏压.经过1Mrad(Si)总剂量的γ......
目前,应用广泛的贴片二极管有整流贴片二极管、快速恢复贴片二极管、开关贴片二极管、变容贴片二极管、稳压贴片二极管、肖特基贴......
基于器件物理分析方法，结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型，分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基......
在Techno-frontier 2013上,Vishay siliconix将展示在4.5 V栅极驱动下最大导通电阻低至0.00135&omega的trenchfet gen iv MOSFET,p......
日本DIN-TEK半导体是日本著名的功率半导体器件供应商,主要供应工业领域、3C消费类领域中AC-DC电源、DC-DC电源、及工控主板等系统......
1.采用肖特基功率二极管硅整流元件本身损耗的能量占整流设备全部损耗能量相当大部分,正向压降损耗是硅整流元件的主要损耗。所以......
美国研究者近日研发出硅基垂直肖特基和pn氮化镓二极管,性能可与在其他成本较高的衬底上生产的器件相比肩。来自麻省理工大学的研......
日本Toyoda Gosei公司近日研发出垂直氮化镓肖特基势垒二极管(SBD),能够在790V反向阻断的条件下,处理50A的正向电流。研究人员称,......
ROHM是世界重要的Si C供应商,从2010年就开始生产Si C了。目前,其Si C产品最大的市场是汽车业,并且目前在日本,家用EV车数量尤其多......
