深亚微米技术相关论文
本文基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了一种参数提取方法和一些设计准则,成功地将共......
NEC Electronics公司推出了利用0.25μm图画(有效尺寸0.18μm)沟道长度CMOS技术设计的三种ASIC新产品,用户可以在一块芯片上使用C......
越来越多的复杂ＩＣ是用深亚微米技术的片上系统（ＳＯＣ）技术制造的。事实上，ＳＯＣ是利用深亚微米技术的唯一有效途径（也是半导体厂商收回建厂投资的唯......
虽然内置自测试(built-in-self-test简写为BIST)已探讨了近25年,但直到最近使用它的用户才有所增长。过去只有集成系统行业内的公......
FPGA 2000年会将在美国加州的Monterey举行。会上作为重点讨论的深亚微米技术问题,在不久以前对于FPGA来说还是无关紧要的问题。......
华虹NEC和Alpha and Omega半导体(AOSL)已成功合作研制开发出新一代的沟道功率MOS场效应管(Trench Power MOSFET)技术。新开发的......
本文介绍了基于平台的SoC技术,对其关键技术进行了介绍,比较了基于平台的SoC技术与传统IC技术的异同。
This paper introduces th......
深亚微米技术和超深亚微米技术的发展使电子工业正在向可编程系统芯片(SOPC)设计转移,针对SOPC全新的设计流程,本文提出了基于IP的......
在集成电路技术发展的初期,电路工作速度较低、器件特征尺寸尚未达到深亚微米级,门延时远远大于互连线延时,可以将互连线看作是一......
集成电路工艺发展到深亚微米技术后 ,互连线串扰问题变得越来越严重 ,尤其在千兆赫兹的设计中 ,耦合电感的影响不能忽略 .插入屏蔽......
亚微米和深亚微米技术的发展使在一个芯片上集成一个复杂的系统成为可能,为提高系统的设计效率,在功能模块复用概念基础上产生的知......
随着深亚微米技术的出现，在复杂系统的设计中，越来越多的采用内核式设计。为适应这一新的发展趋势，该文提出了一个内核库设计的实例：嵌......
1简介rn集成电路器件设计金属层不断增加和向深亚微米工艺发展的趋势使器件诊断面临严峻的挑战.越来越多的金属层使基于表层介入的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
<正> 当前微电子科学技术的发展已步入“System on Chip”时代,硅集成电路工业已进入到0.5μm～0.35μm特征尺寸的产品群生产阶段。......
引言随着深亚微米技术的发展和应用,工艺上已经允许设计包含几亿个晶体管的芯片.运用这种工艺,完全可以实现在一块芯片内集成一个......
集成电路设计中的功耗问题已经成为与性能、面积同等重要的关键性问题，特别是对于便携设备和深亚微米技术下的集成电路设计更为重要......
半导体产业发展到如今，在“摩尔定律”的驱动下，最先进的制造工艺已经达到深亚微米，业界的确有许多设计是在深亚微米成功实现。......
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应用于RSA密码系统的蒙哥马利模乘法算法,在专用集成电路实现时可以采用脉动阵列结构.长比特(1 024位以上)数据的全局信号传输和乘......
1简介集成电路器件设计金属层不断增加和向深亚微米工艺发展的趋势使器件诊断面临严峻的挑战.越来越多的金属层使基于表层介入的成......
2018年,我国集成电路产业发展被《政府工作报告》列为实体经济发展第一位,充分体现国家对于发展集成电路的高度重视。在集成电路产......
<正> SOC的基本概念 SOC(系统级芯片System onChip),也有称片上系统,意指它是一个产品,是一个有专用目标的集成电路,其中包含完整......
<正> 数字家庭网络的发展前景 PC技术一直在高速发展,使家用PC机不断升级,同时很多家庭还保留着旧的PC机,这就使得拥有多台PC机的......
本文在引入金属硅化物基本特性的基础上，阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物一TiSi2和CoSi2在深亚微米技术中形......
本文介绍了IDDQ电流测试方法的基本原理,IDDQ测试在集成电路测试系统上的实现方法。现在IDDQ电流测试成为CMOS电路故障检测的重要......
