外延工艺相关论文
基于FinFET平台，阐述镶嵌式源漏区锗硅外延工艺L1种子层的优化，通过开发出循环式外延锗硅工艺，对L1种子层B浓度提升带来的选择性失效......
发光二极管(LED)作为新型高效固体光源，具有寿命长，节省环保等优点，其经济和社会意义巨大。目前整个LED市场竞争激烈，降低成本成为企业......
金属有机气相沉积(MOCVD)技术与普通的物理沉淀法相比，具有表面覆盖率高，外延生长取向易于控制和进行选择性沉淀等优点。基于MOCVD工......
对薄层高阻外延片的现状与趋势进行了分析，提出了本研究的技术指标，对疏水效应、退火效应等四项关键技术进行了研究，对应用前景进......
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果......
人们曾设想带有适合于圆形产品显示器的视频播放机或一种遵循时代美学曲线的汽车操纵板显示器。如果美国剑桥显示技术（CDT）公司开发......
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平......
本文分析了硅CVD外延生长中金属杂质沾污、吸附-解吸机理模型和微缺分布规律,提出了用反向补偿原理优化外延工艺,有效地解决了硅外......
半导体超薄层外延是超晶格与量子阱研究的技术基础。化学束外延、原子层外延、迁移增强外延、选择区域外延、激光辅助外延和低温Si......
反射型魔镜检测方法（Ｒ－ＭＭ）是基于“局域波面畸变”缺陷成像原理的一种光学无损检测方法．我们采用Ｒ－ＭＭ方法检测了大量的硅片和硅外延片，非常方便......
本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型......
Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的......
国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,近日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥......
半导体外延工艺用的三氯化砷,含有一定量挥发性氯代烷,容易与铬、钼、钨、钒等金属反应生成难溶的碳化物,影响器件的质量。本文根......
SemiSouth实验室与Ⅱ—Ⅵ公司正协力为SiC外延晶片提供SiC衬底及外延。该项合作将Ⅱ—Ⅵ的4H—SiC衬底生产能力与SemiSouth公司运......
介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延 .采用两步外延工艺 ,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数 α的影响 .硅烷流量......
本文主要介绍集成电路生产中硅外延的化学过程(单晶的生长反应与腐蚀反应)热力学函数△G~0_T 及 KP 的计算方法—自由焓函数法及其......
新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要应用材料公司在Applied Centura RP Ep......
设计了新颖的具有垂直结构的6H-SiC光导开关。首先采用离子注入工艺在半绝缘6H-SiC衬底两侧生成一层p+离子注入层,然后利用外延工......
上海2013年11月21日电——中微半导体设备有限公司(简称“中微”)的MOCVD设备Prismo D-BlueTM于本月举办的第十五届中国国际工业博......
本文用Ga-AsCl_3-H_2体系在改进的外延设备上生长了GaAs掺杂外延片.文中研究了GaAs气相掺杂过程并评价了外延层的质量.对掺杂外延......
用亚点阵模型和络合物模型描述ⅢⅤ族半导体ＭＯＣＶＤ生长过程中涉及的凝聚相及气相的热力学性质，以系统最小自由焓为相平衡判据；用ＣＡＬＰＨＡＤ技术，计算......
目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材......
P-24黑白电视电路总共六块,HA系列、KC系列各三块。HA系列电路,外延之前的工艺与一般p-N结隔离的线性电路基本是一致的。KC系列电......
本文就采用F_S=46氟塑管试制外延管路系统的方法及实际使用的工艺效果,叙述了F_S-46氟塑管制作CVD及外延工艺管路系统的优点,是可......
一引言离子注入工艺具有成本低,制作的器件参数重复性好,均匀性好等优点,已被应用于器件制作工艺中,并成为制备高频高速集成电路......
圈线着提高液相外延过程的重复性、均匀性对外延工艺中的几个问题:降温速率、混源、陪片、外延系统等提出一些初浅的看法,在上述考......
在“介质隔离”的反外延工艺中,有时在淀积多晶硅的过程中会形成较大的颗粒,致使在隔离槽里产生空洞。磨片显示之后,由于空洞处对......
在伟大领袖毛主席关于“抓革命,促生产,促工作,促战备”的教导指引下,我们分析了当外延片的表观质量、电阻率、外延层厚度、层错......
采用InP—PCl_3—H_2和In—PCl_3—H_2气相体系,在水平区熔生长的掺铬的半绝缘InP单晶(111)衬底上,生长了磷化铟外延层,制得了镜面......
本文对光纤通信的单模激光器及集成光路的沟道衬底低温液相外延进行了研究。确定了760℃下的平衡液相和固相组分;测得Ge在(GaAl)As......
本文描述了与InP晶格匹配的In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)层的液相外延生长方法。探讨了生长温度及液相组份对外延层参数的影响。提出了......
一、前言 根据科研工作需要,我们开展了对硅(n/N~+)亚微米外延层厚度的测量研究。测量的困难在于:在衬底和外延层交界面附近,存在......
本文讨论了关于采用二氯硅烷淀积外延硅的新近研究。另外,介绍了应用二氯硅烷淀积多晶硅和氮化硅膜的情况。当淀积温度变化时,用二......
本文主要介绍两方面内容:一方面是用半密闭式倾斜法液相外延得到GaAsAl_xGa_(1-x)AsSH激光器;另方面,将正交表用于该器件外延工艺......
通过改进外延工艺,大大提高了外延层的层厚和组分的均匀性。采用象衬显微镜,扫描电镜,光萤光等对表面形貌、层厚、组分等进行了分......
用二相法液相外延生长了GaInAsP/InP双异质结材料。已制得用于光通讯的、小面积的、输出功率>1mW(工作电流100mA)的发光二极管。讨......
二、外延淀积1.外延工艺外延工艺是一种在衬底上生长同样结构晶体的高温化学工艺.为获得与基片材料“相似”的外延层,应满足以下......
1.双外延材料选取原则400兆50瓦硅大功率管选用外延平面工艺制作,对外延层提出了要求.首先要求BV_(ceo)较高,这就要求外延层的电......
一、引言微波晶体管放大器的历史也是微波晶体管器件的历史。40年代未,第一只晶体管问世,由于它的显著优点,很快成为固体电子器件......
