栅极相关论文
阐述集成电路锗硅工艺中栅极顶部边缘锗硅冗余生长缺陷的产生机理，工艺流程改进，控制栅极氮化硅掩模层的残留量来解决该缺陷，探讨锗硅......
针对GaN功率放大器的特点,本文提出了一种稳定的具有任意波形脉冲振幅调制功能的栅极调制电路,可以通过改变GaN功率放大器的栅极电......
随着功率变换器不断地往高频、高效、高功率密度等方面发展，电子设备的电磁干扰(Electro Magnetic Interference，EMI)问题日渐凸显，其......
在这个智能移动设备已经占据了我们生活绝大部分的年代，如何设计一颗更好、更节能、更适合移动设备使用的处理器，一直以来都是芯片厂......
在处理器芯片制造领域，无人不知英特尔，这位半导体行业的巨人垄断了PC处理器大半壁江山，它与微软的Wintel联盟甚至主导着人们对PC的消......
摘要：介绍了以TMS320F2407芯片为核心的高性能数字化SRD控制器的设计，给出了硬件电路设计和软件设计策略。并对其中功率变换器的设计......
本报讯 5月6日，英特尔宣布推出全新的低功耗、高性能Silvermont微架构。 该技术旨在直接满足从智能手机到数据中心等细分市场对......
“Tick-Tock”——英特尔的产品发展一直在这样的钟摆节奏中演进，一年更新制造工艺（“Tick”），再一年更新芯片架构（“Tock”）。但近期，英......
高集成电路生产商常常需要将数百万个元件集成到一个针尖大小的空间中，因而面临着许多挑战：他们需要将多种功能压缩到一个产品中，同时......
英特尔采用论坛形式与技术开发者交流，记录下技术发展的轨迹，距今已整整过去了十个春秋。9月18日至20日，2007秋季IDF如期在旧金山举行......
22纳米的晶体管有多大？一个针头可以容纳超过1亿个22纳米晶体管；印刷体小四号字体句号可以容纳超过600万个22纳米晶体管；人类头发的横......
8月15日，在“2011英特尔中国大学峰会”上，英特尔公司的多位技术专家分享了英特尔“互联计算”的愿景，详细介绍了代表未来计算发展趋......
虽然英特尔近年来在工艺更新上进展缓慢，并因此给竞争对手带来了喘息和应变的时机，但英特尔也在想办法解决问题。在2020年8月的架构......
英特尔将旗下NAND闪存业务出售给SK海力士无疑是2020年底业内影响最大的消息之一。一直以来，英特尔在存储产业上都占据着相当重要的......
全球首款22nm微处理器(lvy Bridge)将采用3－D三栅极晶体管进行批量生产； 世界上首款3－D三栅极晶体管进入生产阶段； 晶体管向3－D三......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET),要求其器件特征尺寸越来越小,当光刻线宽小于100nm尺度范围后,栅介质氧化物层厚度开......
以中频感应加热沉积炉研究了400kW以上的大型电子管栅极用热解石墨毛坯的沉积工艺参数并测定了材料的物理、力学性能。 基于毛坯的......
在这份报纸，我们系统地高在 AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor 学习积极的门漏水流有用原子层免职(ALD ) 的 HfO2 电介质的电子......
Generating entangled states efficiently is a hot topic in the area of quantum information science.With the approach pres......
本文描述了超高頻源的稳频系統,其中着重地討論了利用反射式速調管电子調諧特性进行稳頻的原理。在上述理論的基础上我們装置成了......
4场效应管检测方法4.1用万用表对场效应管进行判别4.1.1用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻不一样......
结合聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术提供了一种制备Spindt场致发射阵列阴极的新方法,并成功制备了集成度较高且均匀分......
最近国际整流器(IR)公司推出用于功率MOSFET的新型封装,称作ElipFET,其中场效应晶体管的栅极、源极和漏极都布置在硅片的同一侧,......
在美国华盛顿特区举行的1999年度的IEDM会议上,许多论文揭示了集成电路制造技术的最新进展。这些进展可能对于集成电路将来的发展......
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础 ,推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式 .并对其物理机制进行了分析讨论
Based ......
功率放大器的目的是取得尽可能大的输出功率。在胆机中功率输出电子管现在几乎都用高效率的五极管或集射管 ,使用低内阻三极管的较......
分析了槽栅器件中的热载流子形成机理 ,发现在三个应力区中 ,中栅压附近热载流子产生概率达到最大 .利用先进的半导体器件二维器件......
美国Rocket Power Inc.应用γ射线合成硝基苯(作为高能燃料使用)获得了成功。他们的方法是:用带电的金属板在一个真空管的一端使......
用高频C—V和准静态C-V技术研究了低温湿氮退火对SiO_z—Si界面的影响。结果表明,铝淀积后并在铝腐蚀之前的460℃湿氮退火有效地减......
我厂锻造加热炉的余热锅炉,几年来,使用效果很好,但由于多种原因,向炉内上水不及时,曾多次发生事故的苗头,为此,我们安装了一套自......
双閘流管电加工机床出現的故障,常見电气故障为多,若不能很快排除故障,往往影响生产,下面根据我們修理的一些情况談談我們的体会:......
相对逻辑器件的发展而言,功率管理器件的发展并不缓慢,同样符合摩尔定律。摩尔定律在功率管理器件领域的表现就是,每两年功率损耗......
日本东北大学未来科学技术共同研究中心教授大见忠弘认为,用等离子体激发N元素,形成Si3N4,使用Si3N4形成栅绝缘层,可以解决栅极漏......
意法半导体公司推出首批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率 MOSFET 第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)......
在型腔模加工中对深度的控制比较严格。由于操作者的疏忽引起加工超深是不允许的。为了减轻操作者的精神负担,保证产品质量,我们......
X ilinx公司推出新的FX12FPG A产品第一款集成嵌入式Pow erPC处理器的V irtex-4器件。V irtex-4FX12嵌入了一个32位Pow erPC处理器......
提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法.该方法可以用于对工艺的实时监控.通常情况下,为了得到栅极氧化膜在器件使用温度......
0引言最近20年来,功率器件及其封装技术的迅猛发展,导致了电力电子技术领域的巨大变化。当今的市场要求电力电子装置要具有宽广的......
一、前言掺铬半绝缘磷化钢单晶一般作为衬底材料,用于评价外延工艺生长的外延层的质量,也用于制造S管,场效应管,InGaAsP—InP异质......
利用以肽菁铜为半导体层的有机场效应晶体管构成一个反向放大电路作为电光调制器的调制电路,测试了其对光信号的调制效果.实验结果......
