淀积相关论文
本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。......
激光反射镜直接淀积的１．３μｍ纤维激光器概述光纤激光器的优点是散热良好和只有几毫瓦的低阈值功率。前者是因为与它的体积相比表面积大......
用蒸发方法制备非晶硅薄膜,具有制备方法简单,淀积速率快,实验周期短,成本低等特点.但也存在一些问题,主要是用蒸发方法制备的非......
采用碱金属硼氢化物或二甲基胺基硼烷作为还原剂的化学镀金溶液已经研究成功。这是一个在金属和合金上真正自动催化並淀积纯净、柔......
在整个硅烷分解化学淀积硅膜的试验温度范围内,都显示出滞流层效应。对数生长速率与温度倒数的曲线分为三段直线。高温区的速率控......
自从十九世纪六十年代胶体化学建立以来,科学家们一直在对处于1—100nm范围内的颗粒进行研究.然而只是在最近的25年中,人们的研究......
等离子体是部分或全电离的气体,一般由电子、离子和中性基因(自由基、原子、分子)所组成,因其具有独特的物理性质,特别是在磁场中......
一、低温制造法: 日本京都大学化学研究所最近研究出一种超导材料的低温制造法。该方法使Y—Ba—Cu—O(钇—钡—铜—氧)薄膜在低......
在四川西北的古城松潘县境内,岷山山脉的主峰雪宝顶高入雪线,海拔5588米。雪峰北坡,从海拔3578米直下2200米,一条长7.5公里的古冰......
复旦大学化学蒸汽淀积(CVD)研究室在国际上首次提出CVD理论三模型,即热壁低压CVD工艺模拟模型,CVD钨工艺中的半封闭结构模型,激活......
论述了钇钡铜氧高温超导薄膜在大气中的不稳定性，对比二氧化硅，阐明了氮化硅薄膜作为保护层的优点，并报导了做潮湿实验前后的对比实验......
一、引言应力迁移（stressmigration。，简称SM）的发现和研究始于1984年[1]。从那时起，就引起了各国学者的广泛重视，许多人对它进行了大量......
本文对ＰＥＣＶＤ法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究，调查了Ｂ＿２Ｈ＿６／ＳｉＨ＿４比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形......
本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
金刚石的精密激光加工所有材料中，金刚石比任何已知固体都硬；同时在室温下呈现最高的弹性模量、原子密度、德拜温度和热导率。它有化......
研究了ＰＥＣＶＤ法制备新型介质膜碳氮化硅（ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的工艺参数对淀积过程的影响。讨论了退火对该薄膜的影响，发现经退火后，其电阻率有明显的下降，氢含量......
本文扼要介绍了一种崭露头角的微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的应用前景，以及它的最新工艺技术。并预示在推进ＭＥＭＳ工艺的前提下，ＭＥＭＳ产品将大有作为。
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集成电路隔离技术概述（续Ⅰ）宋湘云编译６ 全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺全凹槽氧化物ＬＯＣＯＳ工艺已经在双极ＩＣ制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积......
对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特......
本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极......
一种新型半导体材料──纳米晶硅李建军，魏希文，万明芳（大连理工大学半导体研究室１１６０２３）一、引言继非晶硅、多晶硅、微晶硅之后，纳米晶硅是近......
千兆位器件生产时代的污染控制＠ＨｉｒｏｓｈｉＫｉｔａｉｊｉｍａ＠ＹｏｓｈｉｍｉＳｈｉｒａｍｉｚｕ￥ＮＥＣ公司ＶＬＳＩ器件开发研究室千兆位器件生产时代的污染控制ＨｉｒｏｓｈｉＫｉｔａｉｊｉｍａ和ＹｏｓｈｉｍｉＳｈｉｒａｍｉｚｕ著万力译ＮＥＣ公司ＶＬＳＩ器件开...
Gigabit device manufa......
一、概述QBD成品率的研究对超薄氧化层的质量评价至关重要，它是MOS电路可靠性的保证。本文的研究对象为Z0nm超薄氧化层的QBD。其中2......
研究了氮离子注入印制板钻头后对基体材料的显微硬度的影响.在实际中比较了注入和未注入钻头的钻孔效果及钻头的磨损状况;并用AES......
在Carleton大学和Alberta大学的加拿大研究员小组，与Cornell大学联合，开发了无电解铜淀积的一维、二维模型。一维数字模型被用来测定......
简单综述了微机械技术的先进性，该技术包括表面和本体硅微机械、电沉积和键合技术。给出了许多微型系统设计、生产和应用的实例，并对......
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其......
介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ（乙二胺－焦儿苯酚混合物）进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。......
得克萨斯仪器公司的微电子制造科学技术(MMST)计划,正在为九十年代中期发展一种通用的半导体器件制造技术。原位真空处理、组件式......
本文分析了以正硅酸乙酯溶液为源，用等离子体增强化学汽相淀积法淀积的氧化硅膜的成分与电荷等特性，以及淀积和退火工艺条件对这些特......
本文利用RHEED、X射线双晶衍射及TEM等技术，研究了在Si（001）衬底上，用晶化了的无定形Ge层做缓冲层MBE生长Ge时，引入表面活化剂Sb所产生......
１９９６年展望硅微电子技术发展趋势（续）北京微电子技术研究所（北京１０００７６）许忠义，白丁４．１．３金属导体层金属导体包括Ａｌ（掺Ｃｕ３％）、Ｗ、Ｃｕ。当ＴｉＮ淀积后，一般用ＣＶＤＷ填充接触孔或通......
本液晶器件包括:对衬底和一种手性的碟状结构晶体。每块衬底上都有一组显示电极,手性的碟状结构液晶淀积在两块衬底之间的一层膜......
本文研究了多晶硅应变膜压力传感器制作技术,提出了防止多晶硅应变膜变形的工艺条件,研制出了多晶硅应变膜压力传感器。这一技术简......
本文报导了一种新型金刚石场发射阵列冷阴极的制造方法和电子发射性能，通过数据分析得到了这种金刚石场发射体的有效表面功函数和总......
KOH碱性蚀液的PN结自致蚀停电化学腐蚀技术是制备硅三维微结构的基本方法之一。本文详细研究了它在90℃的PN结自致蚀停的基本特性，......
剑桥大学开发薄膜碳晶体管技术据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔ’ｌ１９９６年第６期报道，英国剑桥大学已与文莱的一个研究小组合作开发薄膜碳晶体管工艺技术。该技术将实现在......
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁移增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明，用ＭＥＥ方法生长的材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的......
