氮化硅膜相关论文
本文主要针对氮化硅膜的背面钝化,研究在单晶硅及多晶硅衬底上氮化硅膜的热稳定性及不同温度下氮化硅膜退火特性.通过测试少子寿命......
文章从低成本a-Si肖特基电池材料着眼,研究了Au和Ni与辉光放电法制备的非晶态硅所形成的肖特基结特性,即接触势垒的高度?n;二极管......
本文介绍了一种LPCVD管的NF3现场清洗方法。与传统的方法相比，现场清洗可提高设备的利用率和产量，同时降低化学材料的损耗。通过附力......
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其......
新型氮化硅氢离子敏器件采用ＰＥＣＶＤ法淀积ＳｉＮｘＨｙ膜同时作敏感膜与二次钝化保护膜。改善了器件的密封性能；敏感灵敏度β＝５６～６０ｍＶ／ｐＨ，比用ＬＰＣＶＤ法淀积的Ｓｉ３Ｎ４膜提高１４％，β的线......
一、前言随着我国金卡工程的实施，IC卡的研究开发已成为一个热点。IC卡保存数据介质是低功耗MOS或CMOS芯片，其使用的存储器有RAM、RO......
半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支，高反压台面晶体管关键工序玻......
美国专利US6909093(2005年6月21日授权)本发明提供一种能够精确测量温度的低成本热电堆红外探测元件。该红外探测元件(1)采用一种......
加速器质谱(accelerator mass spectrometry,AMS)技术因探测对象不同,探测器也应根据需要进行选择.为建立低能量重离子加速器质谱......
一、绪论一般测量生物电用的传导型金属电极,为了使电极和皮肤有良好的电接触以便导出电位,需要在皮肤上涂导电膏。但是长时间使......
一、前言我们已经利用薄膜技术建起了一台具有迈勒干涉仪的新型显微镜。为了避免大孔径光束的象差,这种干涉仪需要使用薄膜做分束......
本文介绍了一种新颖的利用激光化学汽相沉积（ＬＣＶ）球面微透镜的技术。我们建立了一套ＬＣＶＤ的实验装置，用该装置在平面石英玻璃衬底上，成功地沉积......
采用一种新的方法──激光-等离子体辅助气相沉积法（LPCVD），在自行研制的LPCVD装置上进行了SiH4-NH3-N2体系沉积Si3N4膜的工艺试验；采......
用离子束增强沉积（ＩＢＥＤ）方法在金属间化合物ＴｉＡｌ上合成厚度为０．５，１，和２μｍ的氮化硅薄膜。所形成的薄膜为非晶态，膜与基底间存在混合的过渡区，膜与基底结......
一、引言: 随着硅集成电路的迅速成发展,以及对器件的可靠性,移定性要求越来越高,人们普遍地认识到二氧化硅（SiO_2）虽然制备简单,......
本文提出一种用高压蒸煮来处理LPCVD氮化硅膜的表面,可以抑制使用中慢氧化的方法。使用这种处理可以提高pH-ISFET的灵敏度、线性响......
计算机由中央处理设备(包括主存贮器和运控设备)和外围设备(包括输入、输出设备)组成。过去,一般都采用磁芯作主存贮器,这需要几......
本机是坎布里奇公司研制的最新电子束曝光设备,可用来制作掩模原版或在硅片上直接扫描。该机具有如下特性: 对位精度:±0.15μm(2......
一、引言等离子淀积的SiN被用来作为集成电路的钝化膜。通常用傅立叶变换红外光谱学来表征SiN膜的性质。本文中,我们叙述了从SiN......
要使CMOS器件的几何尺寸小于1μM、P沟部分是一个明显的障碍。过份缩小会损害整个器件的完整性,例如会引起自锁。另一个问题是“......
日本超LS1技术研究组合共同研究所的直到0.25微米的线条与间隔图形,被选为划时代的剥离技术。为更进一步将此技术用于布线,所以也......
勤 目 描页 题 目 赐页 工 作 拈 告GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特 硅烷外延的快速生长—………………......
引言近来,出现了一种制造自对准金属—氧化物—半导体(MOS)集成电路的新工艺,该工艺只需要三次掩蔽,应用离子注入工艺来获得自对......
本文采用予氧化吸除法和慢速升降温法,吸除工艺中引进的二次缺陷,改善二极管电学参数,提高MOS电容的弛豫时间。 为探讨二次缺陷对M......
一、引言 不少文章已介绍了氮化硅膜有它的独特之处,许多性能优于二氧化硅膜,因而已在集成电路工艺中得到广泛的应用,而目前制备......
本文介绍了用背散射和核反应技术分析用LPCVD 方法制备的氮化硅薄膜的方法及其结果.本方法包括用背散射和沟道效应相结合的方法直......
我们研究了用SiCl_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。通过实验,找到了淀积氮化硅薄膜的较佳工艺条件。该工艺在N-沟硅栅MOS......
应用焰锋结构研究引伸的一种方法及对浓度和温度分布的逐点分析进行了化学汽相淀积(CVD)系统中气相组分的研究。用一个精细的喷咀......
本文介绍用低压化学汽相淀积(LPCVD)技术生长的氮化硅膜的组份及其抗氧化能力的测定.我们研究了SiCl_4-NH_3体系淀积的氮化硅膜.采......
本文简要地介绍了硅的高压氧化概况。着重叙述我们目前采用的一种高压水汽氧化方法及其一些实验结果。实验表明本方法对于制备厚膜......
一、引言 等离子氮化硅膜已成功地用于双极和LSI MOS器件的钝化。 在半导体器件制造过程中,必须控制表面沾污。通常是采用钝化膜......
在温度范围900℃～1100℃、水蒸汽分压范围0.25大气压～0.95大气压下,评价了氮化硅膜的热氧化。用椭圆法测量了氧化速率,将其结果与同......
本文以研制MOS型不挥发性存储器件为目的,寻求氮化硅膜的生长条件。氮化硅膜是在600～660℃下以氮气为携带气体由硅烷和氨进行气相反......
近来,由于微细加工技术的进展,半导体器件的高集成化正迅速发展,每块芯片内集成的门数不断增加,并实现了短沟道化。这样,提高半导......
使半导体衬底的表面温度保持在550°至850℃,将由硅烷(SiH_4)、联氨(N_2H_4)和携带气体混合组成的反应气体作用在该加热表面,因而......
近些年来,使用扩散炉由减压方式产生的化学汽相淀积技术(简称LPCVD技术),在一些技术发达的国家中已有很大的突破和进展,国内对这项......
氮化硅是一种优良的介质膜,它的结构致密、硬度大、化学稳定性好,对于B、P、Sb、Al、Zn、O_2、Ga、In有很好的扩散掩蔽能力,特别......
本文设计了扩散炉型等离子增强化学气相淀积(简称PECVD)系统.通过实验,确定了SiH_4—NH_3体系PECVD氮化硅薄膜的较佳工艺条件,并对......
采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比......
对于硅片来说,当在其上制作出集成电路芯片以前,一面要在硅片上复盖各种物质,一面将根据需要再度分步清除。作为复盖在硅片上的物......
