深亚微米相关论文
随着集成电路的高速发展,芯片集成度不断提高,工艺尺寸越来越小,金属互连线的寄生效应带来的串扰和电压降等信号完整性问题成为电......
本文基于动力学能量输运模型,利用二维器件仿真软件MEDICI,集中研究了槽栅PMOSFET的负结深、凹槽拐角以及沟道和衬底掺杂浓度对其......
使用西北核技术研究所自主研制的存储器辐射效应测试系统,选取了0.25 μm 工艺4M 容量和0.13 μm 工艺16M容量的CMOS随机静态存储......
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关......
本文对超深亚微米SOI NMOSFET的热载流子效应进行了试验研究.实验结果表明:关态应力条件下,浮体超深亚微米SOI器件具有明显的热载......
在深亚米SOC设计中,布线的寄生延时将起主导作用,金属线间的偶合效应(CrossTalk)将导致信号完整性(SI)问题及延时的增量变化,消耗......
随着数字芯片复杂性的迅速增加,改变设计方法成了关键。你可以通过创立一套使系统概念与分块、物理设计、功率考虑和信号完整性成......
Ambit公司最近推出一种新的逻辑综合工具BuildGates。BuildGates能够根据数字电路RTL描述综合成门级显示。它把超过10万门的模块......
随着半导体制造技术进入亚微米和深亚微米级(0.8～0.35μm),与其相关的集成电路设计技术已面临严峻挑战,尤其是时钟频率的极大提高,......
利用BeamPropagationMethod（BPM）方法研究了深亚微米同步辐射X射线光刻中的掩模吸收体的光导波效应，并且利用瑞利-索末非理论对光刻胶......
仿真贯穿于ASIC设计的各个阶段中,是ASIC设计过程中使用的最多的工具。作为专业开发Verilog仿真技术的Viewlog Chronologic分部,......
同步辐射光刻技术是Ｘ射线光刻技术的重要发展，适用于深亚微米乃至纳米级图形的 超微细加工，特别是ＬＩＧＡ技术的出现大大拓展了同步辐射光刻......
本文概述了LB超薄抗蚀层用于光刻研究的历史及现状，指出：发展实用化的LB超薄抗蚀层技术对于微电子工业中深亚微米乃至纳米水平的微细......
利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响；发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较......
在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上，研究制备大面积、高质量的PMMALB膜抗蚀层，并用于100mmCr掩模版的电子束......
同步辐射X射线光刻是一种很好的深亚微米图形复制技术。本文报道了北京同步辐射装置3BlA光刻束线上的曝光结果，并对X射线掩模的制作......
ＥＤＡ（电子设计自动化）的进展——深亚微米设计对互连线模型的要求北京清华大学电子工程系（１０００８４）周祖成１器件延时的实际结果比较把前面讨论过的考......
随着深亚微米ＩＣ和时钟速度超过５０ＭＨｚ的印制板不断普及，设计师必须注意研究元器件之间的连接。直到最近以前，大多数ＩＣ或ＰＣＢ设计师都不太在意互连线......
报道用远紫外准分子激光进行亚微米光刻的实验结果。以波长为２４８．３ｎｍ的ＫｒＦ准分子激光为光源，以光管均匀器为主构成照明系统，采用带有平行平板为......
讨论等离子体刻蚀及其等离子体源在微电子工业中的作用,介绍四种高效等离子体源,并讨论这一领域亟待解决的问题。
Discuss the ro......
研究关键路径问题是时延驱动集成电路设计的基础。提出了一种改进的关键路径算法，实现了对任意的有向图提取Ｋ条关键路径。算法速度快......
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型．数值模拟结果与实验值吻合较好．文中特......
本文介绍各种类型ＥＣＲ等离子体源和工艺研究，以及由此发展形成的几种新型刻蚀技术。
This article describes the various types of EC......
回顾总结了ＭＯＳＶＬＳＩ的发展，展望了未来发展趋势，说明工艺技术的进步以及器件和电路设计的不断改进对ＶＬＳＩ发展的重要作用
Review the development......
世纪之交的EDA（电于设计自动化）业界更显风云变幻，深亚微米、SOC（片上系统）、百万门级、高速PCB等新技术层出不穷。为了在这些新兴市场L......
Cadence Design Systems公司最近宣布,对寄生信号抽取与分析的Vampire RCX和ConcICe产品已应用于IC(集成电路)的物理设计验证中。......
当前,EDA厂商、系统公司和半导体生产厂正在研究用什么来构成完整的片上系统解决方案。片上系统设计特别复杂这是由于需要在系统......
钟频速度加快,插板密度更大,深亚微米芯片问世,再加上政府部门对EMC作出更严格的规限,迫使设计人员要“收紧”印制电路板的设计。......
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅......
针对分级式设计规则检查（ＤＲＣ）的实用化所面临的一系列问题，如效率问题、伪错问题以及进一步优化等，分析了产生这些问题的原因和版图的结构......
中国台湾半导体产业在度过艰苦的寒冬后,喜见订单不断涌入,正欢欣于景气的复苏时,却又遭逢缺水的梦魇,据台湾《经济日报》报道,台......
本文介绍了当前集成电路封装技术的现状及今后的主要发展趋势，并就我省集成电路业的发展提出了建议。
This article describes the......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
在霍普金斯（ Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论的基础上， 对方孔的传统透射掩模、衰减相移掩模以及加入光学邻近效应校正的衰减相移掩模在硅片表面光强分布的计算......
短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹......
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应......
将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键......
随着集成电路设计逐渐向深亚微米技术转移,设计者面临着更加严峻的挑战。因为,在以前展开的设计项目中,会遇到不可预测的设计周期......
本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移......
本文提出了一个新的深亚微米ＭＯＳＦＥＴ模型，它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级物理效应．模型采用一个统一的公式描述所有的器件工作区，可......
