硅表面相关论文
利用超高真空扫描隧道显微镜（UHV-STM）研究在Si表面上生长原子级的纳米结构和研究制作纳米器件一直以来都是热点.Si（5512）表面具有一维......
该文用共焦喇曼系统原位观察了Ｓｉ（１００）表面在ＮＨ〈，４〉ＯＨ／Ｈ〈，２〉Ｏ〈，２〉／Ｈ〈，２〉Ｏ（ＳＣ－１）溶液中的变化过程。研究表明：在硅片浸入ＳＣ－１溶液的过程中，其表面逐浙被两种氧化物......
近来利用原子转移自由基聚合(ATRP)对硅片表面进行功能化修饰与改性，使硅片表面以化学键接的方式，接枝一层致密的聚合物刷，一直是硅表......
本文使用扫描隧道显微镜对银在Si(111)-7×7表面的形貌、电子结构进行了分析,对银团簇在硅表面的化学性质进行了较细致的研究.......
在含氟的溶液中化学刻蚀硅表面是各种清洗硅表面过程中最为重要的步骤,本文在稀HF溶液中通过控制电位的方法,应用ATR-FTIR光谱现场......
会议
Direct electroless nickel plating on n-Si(100) wafers in alkaline solutions was demonstrated without any activation proc......
欧洲PICMOS小组利用纳米硅线波导实现了集成电抽运微激光器。PICMOS称这为在下一代CMOS芯片上实现全光学互联迈开了重要的一步。......
据《科技日报》2006年8月10日报道,日本原子能研究开发机构开发出一种正电子纳米显微新技术。它可利用正电子束,对表面纳米物质内......
李建明男31岁.1984年毕业于北京师范大学,1987年在北师大低能核物理研究所获硕士学位.现为中国科学院半导体研究所副研究员.主要从......
利用溶胶凝胶法在SBA-15介孔氧化硅表面嫁接上氧化锆,再经硫酸化处理后制备得到具有高比表面积,均一介孔孔道的硫酸化氧化锆复合催......
在自组装膜修饰的硅表面制备有序的蛋白阵列是研发生物传感器的先决条件之一,因此如何产生有序的表面蛋白阵列一直是生物医药研究......
氢钝化硅表面自然氧化物的生长机理＝ＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｔｈｅｇｒｏｗｔｈＯｆｎａｔｖｅｏｘｉｄｅｏｎｈｙｄｒｏｇｏｇｅｎｐａｓｓｉｖａｔｅｄｓｉｌｉｃｏｎｓｕｒｆａｃｅｓ［刊．英］／Ｖａｎ，Ｍ．Ｌ．Ｗ．…ＡｐｐｌＰｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．－１９９４．６４...
Hydrogen passivation of silicon surface growth mechanism of natural oxides = ......
硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。......
“魔镜”技术是我国西汉时期的一项创造发明，由此引发出的“魔镜”检测方法现在已被有效地应用于各种镜状表面缺陷的检测。本文介绍......
硅是间接禁带半导体,禁带宽度为1.11eV不可能在可见光区发光。1990年,Canham发现电化学阳极氧化制备的多孔硅(porous silicon缩写......
准分子激光退火是一种可以将非晶体硅（a－silicon）转变为多晶硅（resilicon）的处理方法．由于它允许对玻璃基底上的硅薄膜低温处理，代替了需......
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平......
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远......
研究了阳极氧化法制备多孔硅的工艺、表面形貌及电化学成膜机制。
The process, surface morphology and electrochemical deposi......
1996年6月在瑞士阿尔卑斯山胜地举行的第一届GaN会议（EGW－1）吸引了140余名访问者。技术节目共有64篇自投论文、3篇特邀报告，还有一个有......
什么东西比金刚石更硬？ＤａｖｉｄＢｒａｄｌｅｙ著朱政译一般认为金刚厂的硬度在工程技术人员常用的莫氏硬度表上占首位，其硬度值为１０。不过材料科学家目前认为......
实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性；氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶......
本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅，然后通过扫描电镜（ＳＥＭ）技术，对多孔硅的表面形貌进行了表征，并分析了多孔硅表面微结构的......
着重介绍了硅ＭＥＭＳ加工技术中的表面牺牲层技术及其应用，并给出了我国ＭＥＭＳ 发展的概况。
The surface sacrificial layer technology and it......
利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化......
专家论坛全面理解纳米科技内涵促进纳米科技在………………………我国的健康发展白春礼(1-1)抓住时机紧急布署纳米量子结构、量子......
利用冠醚对金属离子所具有的选择性络合作用,用于晶体管生产中硅片表面的清洗,取得了初步结果。经冠醚的甲苯溶液处理过的晶体管,......
概述了聚焦离子束直接写入、离子研磨、离子注入及离子沉积技术。介绍了利用聚焦离子束技术在镀金硅片上研磨出的图案及制作出的各......
1961年,Rooney和Pink及Brouwer应用电子自旋共振(以下简称E.S.R.)法,第一次观察到多核芳烃,如蒽(或二萘嵌苯)在SiO_2-Al_2O_3表面......
通过对含有少量氧杂质的四氯化硅氢还原体系的热力学计算,得到Si-HCl-O体系的热力学性质及该体系的热平衡状态随温度和压力变化的......
本文介绍了硅的铜离子化学机械抛光法,指出这是获得高镜面、快速抛光的方法之一.该方法与络离子抛光法相比,工效可以提高十倍左右.......
高溶点金属及其硅化物电阻率低、化学稳定性和热稳定性好,且不受电迁移的影响,故适用于高集成度元件的制作。而用激光为工具,制备......
利用Nd:YAG纳秒激光(波长为532和355nm)对单晶硅在真空中进行了累积脉冲辐照,研究了表面微结构的演化情况.在激光辐照的初始阶段,5......
通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1HF、50......
在SF6气氛中使用飞秒激光对单晶硅表面进行辐照,制造了尖峰状的微结构表面,随后在该表面上通过磁控溅射了一层掺铝氧化锌(AZO)薄膜......
中国科学家利用超高真空低温扫描隧道显微镜和图像计算模拟相结合的方法 ,在国际上首次确定了碳6 0单分子在硅表面的吸附姿态。这......
通过使用两种不同波长的飞秒激光脉冲分别与硅材料相互作用,证明了在相同的激光通量下,激光功率和脉冲数之间的比例将对硅表面微结......
采用电化学直流极化和交流阻抗技术 ,在有光照和黑暗条件下分别研究了半导体硅片在稀释氢氟酸溶液中的电化学特性 .两种电化学技术......
介绍了在SF6气体环境下由不同脉冲能量的飞秒激光在硅表面蚀刻出的尖峰结构的变化。其中,硅表面形成的尖峰高度先是随脉冲能量的升......
不同温度下利用钛宝石激光器输出的飞秒激光脉冲(脉宽42fs,中心波长800nm,最大单脉冲能量3.6mJ),通过扫描方式在硅表面诱导产生表......
在特定的气体氛围下,用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面,或者离子注入在硅中引入硫族元素等方法,可在硅表面得到......
