沟道效应相关论文
假设超晶格锯齿形沟道对粒子的作用等效为形状相似的周期场作用，在经典力学框架内和小振幅近似下，利用正弦平方势，把粒子运动方程化为......
从势和场的观点出发讨论了带电粒子在应变超晶格中的运动行为.在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为......
由于具有高功率密度、高温、耐辐射等优良特性,射频4H-SiC MESFET受到大家的日益关注.为了提高器件的高频特性,必须减少SiC MESFET......
We analyzed the phenomenon of ferrofluid magnetoviscosity in high-permeability wall-region non-magnetic porous media of ......
<正>把RBS(Rutherford backscattering)及沟道(Channeling)技术应用于超晶格结构的研究起始于1980年Saris等人的工作.他们发现沿着......
要想把氦、氖、氩、氪和氙等惰性气体变为固体是相当艰难的.若通过降温,则须在相当低的温度下才能实现.例如对于氪为-157℃,对氩......
本文研究了轻掺杂漏（ＬＤＤ）工艺对器件特性的影响。优化了轻掺杂区离子注入的剂量和能量．优化的ＳｉＯ２侧墙ＬＤＤ工艺有效地抑制了短沟道效应．研制成功了......
双栅（ＤｕａｌＧａｔｅ）ＭＯＳ场效应管所具有的完全对称的独特结构带来一系列电学特性变化引起了人们广泛的研究兴趣。本文利用格林函数法，采用合理的边界条......
从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分......
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄......
在0．18μm及其以下的晶体管中，如果半导体生产厂不积极进行内建可靠性设计，就不能向用户提供更大规模的LSI。在0．35μm以上的晶体管中，......
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅......
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
The method of self-aligned fabrication of SiGe / SiHBT by io......
短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹......
本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布......
提出在 SOI p- MOSFET中采用 Ge Si源 /漏结构 ,以抑制短沟道效应 .研究了在源、漏或源与漏同时采用 Ge Si材料对阈值电压漂移、漏......
日本富士通研究所、通信综合研究所和大阪大学院基础工学研究科共同研制成截止频率为562GHz 的 HEMT。由于这种超高速晶体管的开......
目前,90nm器件已进入小批量生产阶段,但是仍有大量障碍有待克服。在前道工艺中,图形关键层必须用193nm光刻技术制作,这种光刻技术......
面向存在低耗电要求的数字家电SoC(系统芯片),东芝日前试产了栅长10nm的晶体管。在2004年6月15日于美国檀香山开幕的半导体制造技......
在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的......
利用二维模拟软件对部分耗尽SOI器件中的非对称掺杂沟道效应进行了模拟.详细地研究了该结构器件的电学性能,如输出特性,击穿特性.......
国际微电子学中心(IMEC)报导在采用铝(Hf)基高K介质和钽钛(TaC)金属栅来提高平面CMOS性能旨在用于32nm CMOS节点方面取得了显著的......
提出了一个全耗尽SOIMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方......
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽......
亚阈值数字电路技术是特殊的超低功耗技术,适用于对低功耗要求苛刻,但速度要求不高的应用领域。该文提出了亚阈值数字标准单元设计......
在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建......
本文基于二维泊松方程,建立了适用于亚100nm应变Si/SiGe nMOSFET的阈值电压理论模型.为了保证该模型的准确性,同时考虑了器件尺寸......
报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道......
SoC(systemonachip)是智能手机及平板电脑等移动产品的心脏。推动其低成本化和高性能化的微细化技术又有了新选择。那就是最近意法......
基于器件物理分析方法，结合高场迁移率、肖特基栅势垒降低、势垒隧穿等物理模型，分析了改进型异质栅结构对深亚微米栅长碳化硅肖特基......
利用原子力显微镜(AFM)探针直写技术制备了短沟道并五苯有机场效应晶体管(OFET),并研究了器件性能。在SiO2/n+-Si基底上,利用AFM探......
摩尔定律是推动集成电路性能前进的影响力参数。在过去数十年里集成电路数量每两年就翻一倍。现在这个步伐已经被超越?至少14 nm制......
为抑制短沟道效应和热载流子效应,提出了一种非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET新结构.通过在圆柱坐标系中精确求解三段连续......
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方......
通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV......
为了进一步提高深亚微米SOI(Silicon-On-Insulator)MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的电流驱动能力,......
基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,......
结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适......
通过求解沟道与埋氧层的二维泊松方程,同时考虑垂直沟道与埋氧层方向的二阶效应,建立了高κ栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管(M......
阈值电压是MOSFET最重要的电学参数,它在器件模拟和电路设计方面起着举足轻重的作用。本文分析总结了目前比较常用的阈值电压的提......
