欧姆接触相关论文
GaN具有优异的材料特性,适合制备高频高压大功率器件。GaN器件结构有横向结构器件和垂直结构器件,因为垂直结构的GaN器件具有很多......
覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物......
作为第三代半导体的突出代表,SiC因具有很多的优良特性而被广泛应用于高频、高压器件中。在SiC器件的制造过程中,获得稳定性好且接......
以GaN基半导体材料为代表的第三代半导体材料,是宽禁带直接带隙材料,具有介电常数、导热性能良好、饱和电子漂移速率高、以及抗高......
随着科技的发展,碳化硅高温压力传感器被广泛应用在石油钻井、化工冶金和航空航天等领域。目前国内外主要致力于传感器结构设计优......
过渡金属硫化物（TMDC）以其优异的性能和二维层状结构得到了广泛的关注。其超薄,没有悬挂键和可调带隙等不寻常的特性,使其在电子科学......
金刚石作为一种重要的功能材料,拥有许多优良的特性,比如超硬、高导热率、高电子空穴迁移速度和宽带隙、高光学透过率以及化学惰性......
GaN基蓝光、近紫外光及深紫外光LED在照明、显示、医疗与消毒杀菌等领域有着广阔的应用与需求。在GaN基倒装和垂直结构LED中,高反......
为了解决目前GaAs光导开关成品率低、稳定性差和可靠性低等问题,提出了GaAs光导开关的关键电极制备工艺解决方案.该方案首先以半绝......
以硅（Si）材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
降低芯片背面金属-半导体欧姆接触电阻是有效提高器件性能的方式之一.采用650 V SiC肖特基势垒二极管(SBD)工艺,使用波长355 nm不......
作为第三代半导体材料中的杰出代表,氮化镓材料相比于硅材料具有更大的禁带宽度和更高的击穿场强,可广泛应用于LED照明、5G通讯、......
当金属材料与半导体材料相互接触时,由于材料的功函数不同,可以形成两种截然相反的接触:肖特基接触和欧姆接触。在不同的制备工艺......
衬底减薄可以大幅提升SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的电流密度,但减薄工艺和减薄引入的激光退火工艺仍面临巨大挑战.使用不同型号的......
生物传感技术是当今社会的前沿科学技术,是集电子、生物、医疗、化学、物理、材料等多学科于一体的交叉综合性学科。生物传感器在......
本文研究了高温退火温度和退火时间对SiC SIT器件的表面形貌及P型欧姆接触电学性能的影响规律.实验中发现退火温度的提高能有效地......
本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(BH)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用L......
本文在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题.此后又介绍了一些其他金属与......
本论文利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜.研究不同工艺条件对ITO薄膜方阻、透过率及与p型SiCGe接触特性......
本文采用器件仿真软件ISETCAD模拟了采用n+多晶硅/N+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n+多晶硅/N+Si......
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件......
在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl合金作为金属电极在n型载流子浓度为2×10cm的GaN上成功得到了比接触电阻率为3×10Ωcm......
透明导电薄膜是一种同时具备透明性和导电性的功能薄膜材料,其独特的性能使其广泛应用于液晶显示器、太阳能电池、节能玻璃等光电......
氮化镓作为第三代半导体材料的代表，具有优异的物理和化学特性，使其在在发光二极管和激光器等方面得到广泛的应用。而p-GaN欧姆接触......
碲锌镉(CdZnTe)晶体是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，具有优异的光电特性，是制备室温X射线及γ 射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe......
Cu2ZnSn(Sx,Se1-x)4(CZTSSe)是一种锌黄锡矿结构(kesterite)的P型化合物半导体材料.多晶结构的CZTSSe单结薄膜太阳电池的理论极限......
以半导体电阻作为压阻式压力传感器的敏感元件,相较于金属电阻有更高的灵敏度,但芯片上电桥中的电阻需要通过金属电极引出,然后封......
本文研究了Ti/Pt／Au多层金属结构与n-GaN的电学接触热稳定特性。将样品在氮气保护下选择不同温度快速热退火10分钟，并运用圆形传输线......
通过无电化学湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上成功制备了硅纳米线阵列形成黑硅.针对存在的纳米线与电极之间的接触不够致密,并且浆料不......
会议
使用金属氧化物化学气相沉积技术生长镁重掺杂的InGaN合金从而得到p型InGaN,然后采用XRD技术对InGaN合金的铟组分进行测定,测得铟......
会议
利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别......
本文通过使用器件模拟软件ISETCAD,对Ti/Al基金属在p型4H-SiC上形成欧姆接触的机理进行了研究,同时对传输线模型(TLM)进行了二维I-......
利用同步辐射X射线衍射(XRD),同时运用2è扫描,ù扫描和ù-2è扫描这三种扫描方式研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金......
采用InP基的PHEMT材料,对现有的GaAs工艺进行调整,进行毫米波器件的研制.通过采用台面隔离、快速合金欧姆接触、介质填充及电子束......
本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与Si注入掺杂n-GaAs之间性能良好的......
本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化......
在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分......
GaN器件以其大电流,高击穿电压,良好的微波性能在微波功率领域有着广阔的应用前景.欧姆接触对功率器件的性能影响很大,因此宽禁代......
主要对不同金属和工艺条件下的4H-SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件.文中介绍了欧姆接触的......
由于晶体硅太阳电池所用单、多晶硅基材的自身特性，虽然已有相当成熟的工艺技术实现金属电极与晶体硅太阳电池基片间的欧姆接触，并非......
石墨烯因其独特的性质，近年来迅速成为材料科学、凝聚态物理等众多领域的研究热点。在石墨烯和宽禁带半导体构成的电子和光电子器件......
弱自旋轨道耦合作用以及极弱的超精细作用使石墨烯具有了很长的自旋弛豫时间，因此石墨烯成为了自旋电子物理学研究的热门材料。目前......
锌黄锡矿结构(kesterite)的Cu2ZnSnSe4薄膜太阳电池作为可再生能源领域的一种重要电池，具有光吸收吸收高、带隙与太阳光匹配、理论......
目前比较成熟的taC: N膜制备方法一般都是在si片基底上进行,实验表明半导体电极与金属导线之间的欧姆接触是taC: N电极研究中保证......
台面铟镓砷(InGaAs)探测器制备工艺包括n型InP欧姆接触和较好可靠性的延伸电极。采用Cr/Au作为n型InP欧姆接触, 通过传输线模型和......
