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采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂......
随着互联网的快速发展,可调谐技术日益成为DWDM技术中不可或缺的重要技术.在众多的可调谐技术中,MEMS(Micro-Electro-Mechanical-S......
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料......
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)......
介绍了坩埚下降法生长的优质四硼酸锂晶体（ＬＢＯ）７６ｍｍ（３英寸）标准圆片的加工工艺，讨论了ＬＢＯ圆片的质量。研究表明，所得ＬＢＯ圆片能够满足目前ＳＡＷ器件制作的要求......
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
１．引言外延生长是半导体材料和器件制造的最关键的工艺技术，外延技术的发展与材料及器件的发展互相促进，共同发展。外延生长技术的应用......
将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键......
由于人体可发出特定波长的红外线,故用红外检测器即可检测到是否有人接近。用此原理可以做成延时灯、自动冲水器、自动门、安全报......
本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽．该装置采用了高精度温控仪，磁耦合搅拌器以及适当的保温材料．可以很方便地将容器内液体介......
奥兰多的光学学院/光学与激光研究教育中心及光信息公司的研究人员用二维数字微镜器件制作了容错的数控多波长可变光纤衰减器,供波......
利用光刻热熔成形工艺及离子束刻蚀制作 12 8× 12 8元凹微透镜阵列。所制硅及石英凹微透镜的典型基本图形分别为凹球冠形、凹柱形......
美国TechnologiesandDevicesInternational(TDI)公司目前正在生产氮化物基半导体器件用的3英寸直径半绝缘材料,即淀积在导电SiC衬......
根据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。来自AMD公......
随着硅集成电路工艺的发展以及对器件可靠性和稳定性的要求越来越高,器件表面的保护需要采取更加有效的措施。尽管硅的热氧化膜—......
研究了应变Si沟道引入对薄膜全耗尽SOI MOSFET器件特性的影响,并分析了器件特性改进的物理机理。与传统的SOI MOSFET结构相比,器件......
日本的研究人员宣称，他们研制的纳米印刷低折射率层能将OLED的发光效率提高到40％，该技术特别适合于中小尺寸的器件制作。......
据报道,日本电气通信大学发表了采用GaN HEMT器件制作的多尔蒂功率放大器。该功率放大器在1.9 GHz下,饱和输出功率31 dBm,功率附加......
采用真空热蒸镀方法,制备了四种Delta掺杂结构OLED器件,其结构为:ITO/m-MTDATA(50nm)/LiF(xnm)/NPB(10nm)/Alq(5nm)/C545T(0.05nm)......
碲锌镉 (Cd1-xZnxTe)晶体是一种 80年代开始发展起来的性能优异的新型室温核辐射半导体探测器材料。其能隙大 (Eg=1 .70eV) ,主要......
SiC是一种宽禁带半导体,据称有200多种polytypes。其禁带宽度根据polytype的不同,可以从～2.4变化到～3.3 eV。它的应用范围很广,比如......
柔性电子技术将电子器件制作在柔性基体材料上,赋予传统电子器件可延展、可穿戴等特征.这一技术在各领域,尤其是生物医疗领域有着......
无位错硅单晶中的微缺陷严重地影响器件制作,为了推动这方面工作的开展,我们对微缺陷的观察显示作了一些探讨。用于直接观察点阵......
响应时间能够达到微秒级的液晶材料屈指可数，并且会存在无法克服的技术困难，这使得液晶器件新技术的研发和推广受到限制。例如：光......
目前电子锁是各发电厂、变电站广泛使用的电气倒闸防误系统中的关键部件.本文阐述了用1-Wire器件制作电子锁新法,解决了目前市面上......
静电浸没物镜在宽束成象器件中有着广泛的应用,而这些器件制作的成本一般来说又是比较高的。在电子计算机高度发展的今天,事先对......
一种串联扫描反射光显微镜可以对活组织、活化石进行快速直接的观察,而不用制作组织切片,并能观察到真实的色彩。据报道,在该显微......
在自由式微结构如束、振动膜和过载传感器的制造过程中，经常遇到的一个难题是分离开粘连在衬底上的微结构。这种现象出现在牺牲腐蚀......
制作了一种低驱动电压、位移达100μm的梳齿驱动器.为了增加驱动器的驱动位移,对驱动器的侧向稳定性进行了分析.根据分析结论,提出......
过去有人阐明了利用声表面波(SAW)器件制作压力敏感器的可能性.SAW压力敏感器可以在振荡器的反馈电路上设置一个延迟线或谐振器构......
化合物半导体由于其复杂的基体效应,给表面定量分析带来了很大困难。如何提高分析精度,对痕量元素作出定量分析,是定量分析的一个......
本文描述了金刚石的电学性能与作为半导体材料的应用前景,介绍了半导体金刚石研究及其器件的发展动态,评述了半导体金刚石合成、掺......
用加热分解α-G_2S_3的方法在GaAs(100)表面上气相沉积了准单晶的GaS钝化膜。俄歇电子能谱深度分布测量表明,长成的膜与衬底间界面......
梯形聚合物ＢＢＬ──［Pｏｌｙ（ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｂｅｎｚｏｐｈｅｎａｔｈｒｏｌｉｎｅ）］经能量为３０ｋｅＶ、剂量为４×１０１６／ｃｍ２的ｐ＋注入掺杂后，可观察到其电导和谱特征（红外、紫外－可见光和顺磁谱）的变化．对于用ＩＣｌ进行掺杂的ＢＢＬ膜也进......
本文介绍的汽车转向电子闪光器,电路简单、工作可靠、寿命长。用来代替汽车、摩托车等机械式或电子式闪光器效果非常满意。附图是......
在绝缘物上形成硅晶层的SOI(绝缘体上的硅)工艺是将来诸如三维电路之类的超大规模集成电路的基础技术。除此而外,还打算把它用于......
X波段GaAs场效应振荡管是一种专门用于各种微波固体振荡电路的新型器件,尤其对X波段GaAsFET电压控制振荡器(VCO)和介质谐振器振荡......
一、前言直拉硅单晶中的氧原子,一般含量为10~17～10~18厘米~(-3),这些氧原子一方面能抑制器件制作过程中位错的产生;另一方面能通......
在ｐ－型ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格材料上制作金属－绝缘体－半导体（ＭＩＳ）结构．报道了ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ超晶格的分子束外延生长、器件制作和测量结果．研究表明，比较宽的ＣｄＴｅ势垒阻碍了少子（电......
