反应室相关论文
碳化硅（SiC）是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料，近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升，外延膜生长速率和品质逐......
美国UCF大学正在研制配装高超声速飞行器的斜爆震发动机,有望使飞行器的飞行速度达到马赫数6~17,未来将应用于航空和太空旅行,甚至......
本文论述了光化学气相淀积（光CVD）SiO2薄膜的原理及方法。用光CVD技术在50～200℃条件下,在Si、InSb及HgCdTe晶片上淀积了SiO2薄膜。对......
<正>一、光化学气相淀积工艺概述在集成电路的各种低温淀积技术中,光化学气相淀积(光CVD)技术.是最年轻、最有前途的.光CVD是利用......
自设计出实用等离子射流发生装置以来,就比较容易获得10~3～10~6K的高温,并日益注意开发它在各个科技领域中的应用。在制取高熔点材......
为发展高储氢容量,高储氢密度,低平台压力和每单位储氢容量成本较低的氢化物合金,进行了系统的研究,主要是加入第三或第四组元到......
日本技术学院的洋一弘漱教授首次成功地在大气条件下进行了金钢石人工合成。这一化时代的新技术称为“不闭合大气燃烧法” (Open ......
日本东京大学工学院开发了一种蒸发速度提高一千倍的超导电陶瓷膜制造工艺,该工艺把原来用于制取合金微粒子的高频热等离子法转用......
国外自60年代以来为了适应电子材料、生物工程材料,复合材料等需要,随着电子显微镜、真空等技术的进步,使金属超细粉末的技术和生......
以低气压放电产生的低温等离子体包含有丰富的活性粒子(激发态原子、离子、电子等),能产生各种能量的辐射线,因而可以引起种种物理......
在用直流电弧等离子体喷射法制备的金刚石薄膜中,用透射电镜观察到了大量的环形和螺旋形的碳结构。螺旋平卧在薄膜平面方向,其直......
对不同成分的Cu-Zr合金,在超高真空(UHV)和在氢气氛中200—400℃退火后的光电子能谱(XPS)研究发现,与多数情况下因氧感应致使Zr发......
本文介绍了一种LPCVD管的NF3现场清洗方法。与传统的方法相比，现场清洗可提高设备的利用率和产量，同时降低化学材料的损耗。通过附力......
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果......
报道了用低压金属有机化学汽相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术在（１００）ＩｎＰ衬底上生长ＩｎＧａＡｓＰ体材料及ＩｎＧａＡｓＰ（１．３μｍ）／ＩｎＧａＡｓＰ（１．６μｍ）量子阱结构的生长条件和实验结果。比较了５５０℃和５８０℃两个生长温度下Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ体......
采用脉冲ＴＥＡＣＯ２激光诱发ＳＩＨ４＋ＣＨ４等离子体化学气相反应，合成了粒度分布均匀的纳米ＳｉＣ球型陶瓷粉末，采用傅里叶红外光谱、Ｘ射线衍射、元素分析、透射电子......
本文建议以金属有机化学汽相沉积外延技术制造高亮度发光二极管芯片的外延层。为了发展我国发光二极管的技术与产业，由高等院校与工......
金属－有机聚合物复合薄膜是一类新型的薄膜材料。由于它有着特殊的光电物理特性，无论是从基础研究的观点来看，还是就其潜在的应用价值......
在Carleton大学和Alberta大学的加拿大研究员小组，与Cornell大学联合，开发了无电解铜淀积的一维、二维模型。一维数字模型被用来测定......
一、前言十多年前，我们从美国LFE公司引进了一台铬版等离子刻蚀机，它采用的主要刻蚀气体是三氯乙烯。作为设备的一个附件，三氯乙烯罐......
本文研究了在微波等离子体ＣＶＤ系统中，金刚石在Ｃ６０蒸发膜表面的成核行为，观察到金刚石晶核聚集现象，并且讨论了这种成核行为的产生机理。
In......
在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
详述了采用微机对等离子体化学气相沉积系统气路进行控制改造中的一些关键性技术。改进后的设备多路气源气体在沉积过程中可自动控......
采用普通辉光放电分解硅烷的方法，沉积了具有交替微晶和非晶Ｓｉ∶Ｃ∶Ｈ亚层的多层膜样品。从喇曼散射结果分析，样品具有明显的微晶和非晶两......
在硬质合金衬底上直接沉积金刚石薄膜．总是伴随着石墨化过程．钴是促进石墨生长的积极因素。由于衬底温度决定氢原子的活性和钴的扩散......
用ＸｅＣｌ紫外与ＣＯ２红外复合激光化学气相沉积方法，在３４０℃硅衬底上沉积成高纯金刚石膜。
High-purity diamond films were deposited on Si sub......
首次在等离子体状态下将正丁胺单体聚合成聚正丁胺薄膜，这种聚合反应可在一定工艺范围内发生。由元素分析的结果发现，在聚合反应过程......
用新的催化ＣＶＤ法在约３５０℃的低温条件下研制出了ａ－Ｓｉ薄膜。本方法是利用催化剂，使ＳｉＨ４和Ｈ２混合气体在一定温度下反应而裂解，在衬底上沉积ａ－Ｓｉ薄膜。所制出......
本文通过MOCVDGaInP的生长速率，组分In的气相分配比与生长温度的关系，较强细地对GaInP生长过程中的热力学进行了研究，并研究了低温GaI......
用低压 MOCVD 法生长了 n 型 GaN 薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10~(-6)Torr 时,用电子束蒸发淀积 Pt 或 P......
在加衬底偏压和不加衬底偏压两种情况下，用微波等离子体化学汽相沉积（Ｍ３ＶＣＶＤ）技术在Ｓｉ（１００）衬底上合成了织构的金刚石薄膜使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和取向......
为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2......
本文研究用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法淀积ＳｉＯ２和非晶硅（ａ－Ｓｉ）时淀积速率和薄膜折射率与淀积条件的关系．选择合适的淀积条件制备了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱......
在分析靶源粒子产生和输运过程基础上，建立了反应溅射TiN薄膜的生长速率方程，按此模型的计算与实验结果基本相符。
Based on the an......
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
The N......
采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０１０ｅＶ－１ｃｍ－２．
The surface passivation of In0.53Ga0......
在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出......
在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制......
本文叙述了多晶硅薄膜的制备以及作为集成电路中的负载电阻的基本原理。重点阐述在高频、低功耗、高速双极模拟超大规模集成电路制......
首先给出在InP衬底上利用MOCVD法生长InP、InGaAs的生长条件，而后分别给出了InP／InP的生长特性，InGaAs／InP的组份控制和生长特性及生长......
