晶体管相关论文
本文简述国内晶体管式高频感应加热电源的发展状况，介绍１０ｋＷ、４００ｋＨｚ晶体管式高频感应加热电源。文中较详细地论述了输出功率调节方式和逆变器......
动态随机存取存储器（DRAM）具有低延迟、高带宽的特点，应用于电子器件中的内存芯片。本文综述了DRAM芯片的现状、其面临的挑战和发展前......
二维过渡金属硫族化物的二维异质结由于原子尺度的厚度和独特的物理性质,使不同特性的二维材料形成优势互补,丰富了二维材料性能,......
石墨烯的发现引发了二维层状结构材料的研究。在众多二维材料中,过渡金属硫化物（TMDC）半导体因其优异的电学和光电子特性而被广泛认......
2022年3月15日,记者从清华大学获悉,该校集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展.首次实现了具有亚1 nm栅......
设计并实现了一种基于碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的400 Hz航空地面节能型软开关中频电源,该系统由控制单元、驱......
近年来,石墨烯材料在电子元器件领域的应用研究逐渐受到广泛关注,包括晶体管、柔性电子器件、气体传感器、电容器、存储器等方面。......
2004年,石墨烯的成功制备掀起了人们对二维纳米材料的广泛关注。大量研究发现二维纳米材料具有很多优异的电学性质和磁学性质,被预......
[目的]人工智能、大数据等领域的发展对芯片算力和能效的要求越来越高,硅基芯片技术受到功耗墙、存储墙和尺寸缩减等限制,面临日益......
二维材料因其优异的物理特性而有望代替传统半导体成为未来纳米电子器件的发开和制备的热门候选者。虽然科研工作者们已经研究了许......
学位
近几年,微波晶体管技术得到了全面发展,固态雷达发射机受到了广泛关注,其在应用模块化设计模式的同时,能有效实现合理性功率输出,......
柔性直流输电系统采用模块化多电平结构,包含数量庞大的半桥功率模块,此处提出了一种功率模块器件的损耗与结温估算方法.首先研究......
物联网时代的到来,为传感器的发展提供了历史性机遇,但同时也带来了新的挑战。为满足物联网新场景下的需求,传感器将朝向微型化、......
经过14年的发展,压电电子学在人机界面、智能微机电系统、纳米机器人和传感网络系统等领域的研究已经取得了重要进展,并展现出巨大......
二维过渡金属硫族化合物（Transistion Metal Chalcogenides,TMCs）具有超薄的平面结构、丰富的元素组成和性质,为未来集成电路的构建......
二维（Two-dimensional,2D）材料以其独特的物理、机械以及电学特性引起了研究者们的广泛关注。其中,由两种或两种以上的2D材料构成的......
以一种高压电源的前置稳压电路作为研究对象,重点分析稳压控制电路的抗中子抗辐射能力.对导致中子辐照前后输出电压变化量的因素进......
在有线电视传输系统中,分布连接着许多放大器,在放大器中的核心元件就是晶体管,工作时都会带来不同程度的噪声功率.所以,有线电视......
本文介绍了一种X波段低噪声放大器模块的设计实现方法,使用了晶体管匹配实现的低噪放以及市场成熟低噪放器件级联来实现指标,同时......
现代无线通信技术的快速发展对功率放大器在效率,线性度,集成度等多方面提出了更高的要求.Doherty功率放大器作为对高峰均比信号高......
会议
从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/SiGeHEMT结构的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的n与实验结......
会议
本文主要对当前微波系统内功率管的失效性进行分析,不仅对微波功率管的内部机理的失效性进行分析,同时还对系统内部的微波功率管的......
由于石墨烯的带隙为零,因此器件基本没有开关比,不能用于逻辑器件.新型二维材料硫化钼的出现弥补了这一缺陷.硫化钼具有合适的禁带......
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外......
谐振隧穿器件具有高频高速、低功耗、双稳自锁的特点,能构成与非门、或非门、流水线逻辑门、择选逻辑门、D触发器、静态存储器、单......
对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结的研究结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制、倒置结构的直流性能低......
GaN器件已开始步入实用化阶段,具有优越性能的GaN器件的频率范围已从L波段覆盖到Ka波段,将为其在无线通信中的应用展示了极为广阔......
本文首次报道总栅宽为1.6mm AlGaN/GaN HEMT功率器件研制.器件最大源漏电流密度接近1A/mm,器件的跨导最大198ms/mm,开态下的击穿电......
本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关......
本文对基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMTs功率器件自激振荡现象进行了分析,器件的反向增益对器件的稳定性影响较大,稳定性的提高需......
本文通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程,实现了对AlGaN/GaN HEMT的二维静态模拟,详细阐述了极化效应及界面极化电荷的数值方法.......
集成应力传感测试芯片是测量片上应力分布的有力工具.本文研究基于(111)硅片的全分量MOSFET应力传感器.相比于压阻型,MOSFET具有灵......
介绍了一种适合于高速16位D/A转换器的CMOS电流源阵列设计技术，重点阐述了这种电流源阵列和电流源晶体管尺寸的设计原理；详细介绍了......
接收整流天线是微波无线能量传输系统的核心,主要由接收天线、低通滤波器、整流电路和匹配电路等部分组成.本文采用GaAs晶体管芯片......
通过多年来的发展，节能灯正往小型化、高效率、高寿命的方向发展。晶体管作为节能灯整个产品的心脏，是小型化、高效率、高寿命等指标......
编程成功率是阻变存储阵列可靠性的重要方面.本文采用1KblT1R阵列系统研究了晶体管的衬偏效应对Cu/HfO2/Pt阻变存储器编程成功率的......
影响NPN晶体管辐射损伤的因素有很多，如晶体管工艺，剂量率以及辐照偏置等。本文主要研究了三种发射极面积的国产NPN晶体管高低剂量率......
随着集成电路工作频率的不断提高以及晶体管的特征尺寸的不断缩小，对ESD(Electronic Static Discharge)保护电路的性能要求越来越高......
详细论述了电光采样和光导采样两种超快速采样技术的原理和实现方法,分析了两种超快速采样技术的发展方向,对比了两种超快速采样技......
本文利用SiGe与传统的硅工艺技术兼容,尤其是于CMOS工艺兼容等特点,设计一种过温保护电路,实时有效的控制SiGeHBT的工作。取代长期......
AlGaN/GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor,高电子迁移率晶体管)器件在高温、高频、大功率方面具有广泛的应用前景,测量......
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构......
本文研究了NPN晶体管在高低电子通量下的辐射效应。研究结果发现，不同电子通量下辐照到相同电子注量，对NPN晶体管造成的辐照损伤不同......
