硅晶体相关论文
在人工晶体生长技术中,导模法晶体生长技术具有“近净型”生长、材料利用率高、生长速度快以及易于实现多片晶体同步生长等优点,在......
本文简述了同位素纯硅材料在新领域中的应用,并回顾早期关于稳定同位素硅-28(28 Si)的获得和进行的一些相关实验.针对在计量单位-......
为探究直拉法制备硅单晶过程中,硅晶体的温度梯度及生长速度对晶体最终质量的影响.文中通过建立硅晶体生长数值模型,将单晶炉加热......
本文采用Lennard Jones势和修改的Tersoff势能，通过改进的Muller Plathe施加热流的方法结合Berendsen热浴和压浴耦合对碳纳米管-硅......
美国贝尔实验室的两名科学家在1947年发明了晶体管,当时它的长度相当于手表的直径。现在,贝尔实验室的另一个研究小组利用单个分......
随着复合材料的发展,高温晶体纤维的重要性日益显著,碳化硅纤维亦不例外。目前碳化硅纤维主要是以气相析晶法获得的。例如D.R.Ham......
本文的目的在于研究n型和p型硅单晶材料在外荷载作用下的变形性质。将云纹干涉和散斑干涉技术用于硅单晶材料变形性质的测定。试验......
材料科学一直是物质进步的基础,石器时代、青铜时代、铁器时代,都是以材料来命名的。而今,我们已经进入微电子的硅晶体时代,创新日......
评介了阳极氧化方法制备多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ）的工艺，讨论了多孔硅的形貌及发光机制。
The process of anodic oxidation of PorousSilicon was r......
日立的研究人员成功地展示了一种三端场效应器件,它比起传统的MOSFET器件,更能使硅晶体管达到较小的功能尺寸。 在日前的一次国际......
西屋公司推出ＳｉＣ大功率晶体管据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，西屋电子公司推出一种基于ＳｉＣ晶体管的，这种大功率管可用于高清晰度电视（ＨＤＴＶ）广播的新一代数字发射......
半导体工业的里程碑半导体工业的里程碑（贝尔实验室１９４７年世界上第一个晶体管诞生（贝尔实验室）１９４８年贝尔实验室申请晶体管专利１９５１年德克萨斯仪器......
目前,Lucent Technologies公司正在开发一种适用于显示屏及智能卡的塑料晶体管。与传统的硅晶体管相比较,塑料晶体管具有较长的使......
汉城国家大学的研究人员已发明一种可使多晶硅薄膜晶体管（Ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ）颗粒尺寸增大５倍并可能简化激活矩阵液晶显示器（ＡＭＬＣＤ）生产工艺的准分子激光感生再......
塑料晶体管的结构类似于传统的硅晶体管的三明治结构,在衬底和栅格之上是绝缘层和塑料半导体层。IBM沃森研究中心的研究人员用钛酸......
红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结......
在以氢先氦后的顺序注入的硅样品中，经不同温度的退火，发现比氢、氦分别单独注入时小得多的注入剂量足以使硅样品表面产生砂眼及剥离......
用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方......
放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题。据此讨论分析了Ф４英寸＜１１１＞硅单......
德国宣布研制成锗晶体管,电子在其中的运动速度是在硅晶体管中的2～3倍。这种晶体管不仅在速度方面创造了新的世界纪录,还可能成为未......
美国朗讯公司贝尔实验室的科学家最近研制成功沟道长度只有一个分子大小的有机晶体管，为发展新一代廉价而易装配的、基于碳的化合物......
电子器件的小型化和运作速度的增长是20世纪科技最引人注目的成就之一。现在已拥有包括数十亿个晶体管的计算机芯片，能在几十亿分之......
美国国际商用机器公司(IBM)日前宣布,他们已开发出了世界上最小的硅晶体管,从而使得一块电脑芯片上可以集成更多的晶体管,功能更......
还记得《毕业生》里的那句著名的台词吗?它已经不再荒谬了。今天,塑料已经成为未来300亿美元计算机显示器市场的重要材料,而且,塑......
利用冠醚对金属离子所具有的选择性络合作用,用于晶体管生产中硅片表面的清洗,取得了初步结果。经冠醚的甲苯溶液处理过的晶体管,......
塑料是人类在20世纪的重大发明之一,曾经在电子产品的外壳制造中立下汗马功劳。塑料也曾经小心翼翼地试图进入电子产品的内部,并......
美国科学技术人员最近制造出电子流动性比现有半导体材料高25%、比硅晶体管高70%的碳纳米晶体管,该碳纳米管成为新一代功能更强大......
美国《自然》杂志报导:日本科学家开发出一种纯度极高的碳化硅晶体,以该晶体制成的半导体将大大提高电子设备的效率。在碳化硅多......
一、引言遵照伟大领袖毛主席关于“独立自主,自立更生”的教导,在兄弟单位的大力支持下,最近我们试制成功了“T-10-73”型硅晶体......
美国《自然》杂志报道,日本科学家开发出一种纯度极高的碳化硅晶体,以该晶体制成的半导体将大大提高电子设备的效率。在碳化硅多种......
从81年起,我厂对某些盐类作了一些筛选实验,发现以硫酸钡、硝酸钠、石墨为主按一定比例配成的混合物,对ZL102、ZL401有良好的精炼......
据海外媒体报道,美国麻省理工学院的研究人员开发的砷化铟镓晶体管技术有望将微电子革命带入新的重要阶段。硅晶体管是微电子业的......
据最新发布的报告显示,全球主要的半导体厂商正在规划“后硅晶体管”时代的蓝图。据预计,到2015年,全球半导体产业将从当前的“硅......
据《半导体行业》2006年第12期报导,MIT(麻省理工学院)的工程技术人员将发表一篇有关晶体管技术方面的研究论文,他们希望能够在开......
1、产品及其简介该产品采用气相掺氮技术,即氮气既作为保护气,又通过与硅熔体反应掺入熔体,是硅晶体中氮的来源,解决了气相掺氮掺......
应用扫描电镜(SEM)观察经深蚀的铝硅共晶合金试样,研究硅晶体的生长前沿。结果表明:沿〈100〉生长是硅晶体固有的生长方式。共晶硅......
1.普通达林顿管的检测普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成,其基极b与发射极e之间包含多个发射结。检......
据《中国电子报》2009年12月24日报道,美国耶鲁大学2009年12月23日发表新闻公报称,该校及韩国光州科学技术研究院科学家最近合作制......
据媒体报道,美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管,有望在短期内取代硅晶体管,成为电力应用中的“半导体之......
美国康奈尔大学的研究人员研制出一种高效低耗的氮化镓晶体管,有望取代硅晶体管,成为电力应用中的“半导体之王”。这种基于氮化镓......
