双极型晶体管相关论文
为满足高速、高精度射频电路的要求，设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源。为避免运放的失调电压......
随着5G、人工智能等技术的提升和普及,模拟乘法器成为了继运算放大器之后的第二大通用型模拟芯片。模拟乘法器的精度会直接影响各......
近年来,二维过渡金属硫族化合物（TMDCs）因极薄的尺寸以及优秀的电学与光学性能而备受关注。硫化钼（MoS2）是研究最广泛的TMDCs之一,它具......
介绍一款适用于变压器耦合驱动IGBT的保护电路.该电路无须附加单独的浮地电源,采用降栅压慢关断的综合保护方法;进行了过流保护实......
提出一种离子注入结终端扩展(JTE)和辅助环(Assistant Rings,AR)相结合的终端结构,其在传统的JTE结构周围加入等剂量的类保护环结......
基极注入晶体管的微波脉冲有可能导致晶体管烧毁.频率是微波脉冲的重要参数之一.本文仿真研究了该参数对硅双极型晶体管管芯烧毁过......
设计并流片实现了一款具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片.分析了远端测温原理和寄生电阻对测温精度的影响,利用差分结构采集远端......
90年代初，随着1200V的IGBT（门极绝缘双极型晶体管）模块的成熟和批量生产，首次应用于铁路动车──德国法兰克福R型城市铁路低地板电力动......
用于车载电源的BORDLINETM-S系列静止变流器具有输入电压范围宽、采用先进的IGBT（Insulatedgatebipolartransistor,门极绝缘双极型......
结合工作经验对国内外一些典型的电力半导体器件在应用中表现的主要动态特性，如：阻尼、开关工作频率、损耗、驱动等问题进行了较系统......
硅集成电路亮起来了这是英国《自然》杂志１９９６年１１月第３８４卷上斯坦福大学Ｍｉｌｅｒ教授一篇专文的题目［１］．事情还是从多孔硅（ＰＳ）发光所引起的．多孔硅在室温下高......
本文提出了一个适用于大电流的ＳｉＧｅ基区双极型晶体管（ＳｉＧｅ－ＨＢＴ）的电流和频率特性的解析模型．本模型考虑了速度饱和效应，对ｎ＋ｐｎｎ＋双极型晶体管，当电流超过发......
介绍了一种使用绝缘栅控双极型晶体管（ＩＧＢＴ）设计的脉冲功率预调器，它使用在某雷达发射管测试台中。对预调器各部分组成和工作原理作了叙述......
本文描述了基于ＩＧＢＴ的１ＭＶＡＲＡＳＶＧ装置的主电路结构、工作原理、控制系统及驱动和检测电路的设计，并就其对电力系统造成的谐波影响进行分析，最后给出......
本文讨论双极型晶体管（ＢＪＴ）器件模型参数提取的最优化方法，提出了一种解决全局最优的组合算法，与通常的Ｇａｕｓｓ－Ｎｅｗｔｏｎ法相比，其突出的优点是：在计算过程中......
根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散......
Philips Semiconductors的新系列LDMOS射频功率MOSFET与硅二极晶体管相比,其增益较高,偏置较简易,互调失真较低,带宽也宽了不少。......
VB348LDIH是用新的纵向功率IC工艺过程设计和制造的,它是一种具有五条引线的PENTAWATT(5瓦)功率器件,非常适用于电子变压器应用,价......
本文讨论了有关低温双极器件模拟物理参数的低温模型和各种低温物理效应,确立了适用于低温双极器件模拟的数值分析方法,建立了适用......
分析了当双极晶体管结温分布不均匀时用ΔＶＢＥ法测得的温度与器件结温分布以及测量条件的关系，提出了一种快速判断双极晶体管结温分布均......
IGBT作为用于逆变器等装置的重要功率器件，目前正在向小型、高效、低损耗、低成本和高功能的方向发展。本文在介绍日本富士电机公司......
介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件，讨论了试验条件的选择问题，提出了选择最高结温ＴＪＭ、最大额定功率Ｐｔｏｔｍａｘ和与Ｐｔｏｔｍａｘ相应的壳温......
文中利用指数跨导元件，运用状态空间综合方法，设计了新颖的对数域电流模式二阶低通、带通滤波器。所提出的滤波器电路结构简单，具有很......
根据ＩＧＢＴ对驱动电路的要求，就其中常用３种不同驱动电路及选择时注意事项作了分析，使ＩＧＢＴ的应用更广泛．
According to IGBT drive circuit requ......
本征电容式传感器和其他高阻抗信号源,通常都需要交流耦合级和隔离放大器来对信号进行初步调节,以便对信号作进一步处理。隔离放......
提出了一种新颖的对数城电流模式积分器。该积分器的时间常数由参考偏置电流控制。用该积分器设计了二阶带通滤波器和0．1dB纹波三阶......
Zarlink公司（位于英国的Plymouth）是一家制造模拟电路,数字电路,和混合信号电路的IC制造公司。推 出了一种称为ANV的工艺技术。这是......
利用TC652和TC653型专用集成电路检测微处理器芯片温度及微处理器散热保护电路的设计,从而确保了微处理长期安全可靠地工作。
The......
采用薄穿通(LPT)垂直结构的载流子贮存挖槽栅双极型晶体管(CSTBT)是一种新型的功率器件。与IGBT相比,其结构得到了改进,具有功耗更......
很多电子设备的电源电路使用了半导体器件。笔记本电脑、移动电话、数码相机、便携视听等电池驱动产品日益增加,相对于各种电池的......
分析对照了IGBT驱动器HL4 0 2B、EXB84 1及M5 796 2AL的参数、性能 ,证明HL4 0 2B是三者中性能最优的IGBT驱动器
Analysis and co......
UIUC(University of Illinois at Urbana Champaign,伊利诺大学香槟分校)的科学家们再次打破他们自己所保持的最快晶体管的世界纪......
引言自绝缘闸双极型晶体管(IGBT)于上世纪80年代面世以来,一直成为中等功率应用中最常用的部件“1,2”。IGBT兼具金属氧化物场效应......
IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型贴片晶体管,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合......
1.什么是场效应晶体管场效应管,即场效应晶体管(Field Effect Transistor,简称FET)。晶体管是由两种极性的载流子参与导电,因此称......
1.IGBT管的特点绝缘栅双极型晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor,缩写IGBT)是一种集BJT的大电流密度和MOSFET电压激励场控......
基于三维TCAD器件模拟,研究了带有n~+深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应.研究结果表明在重离子辐照时,n~+......
一个理想的 CMOS 模拟开关应该呈现这样的特性,即接通时电阻为零、断开时电阻无穷大、零功率耗散以及开关时间为零。可惜,这样的器......
Diodes公司(Diodes Incorporated)推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48 mm~2,离......
设计了一种1.8～3.3 V的自偏置LDO电路,无需外加基准电路,且具有良好的负载调整率和工艺兼容性。该电路采用无需双极型晶体管的基准......
