晶向相关论文
碳元素在地球上无处不在,人类就是碳基生命体。自从2004年石墨烯的问世掀起了二维纳米材料研究的热潮,层状二硫化钼和二硫化钼/石......
探讨了添加钌对WC-Co硬质合金微观组织的影响.结果 表明,添加钌对WC-Co硬质合金中WC晶粒生长和平均晶粒度的影响明显.随着钌含量的......
由于摩擦发光在人们生产生活的诸多领域都有着广泛的应用前景,国内外学者对这一现象进行了大量的研究.但迄今为止,摩擦发光机理仍......
采用微纳米力学测试系统对6H-SiC单晶片开展了不同速率和不同晶向的划痕试验,对划痕的摩擦系数、划痕切削深度以及表面三维形貌进......
石墨烯的异质结具有广泛的应用前景，其电子性质会受到异质结的构筑材料及结构等因素的影响。而晶体中普遍存在的各向异性对石墨烯的......
采用随机平面voronoi图模拟晶体微观结构，基于有限元方法计算了高周疲劳下含短裂纹晶体细观应力。研究了短裂纹尖端晶体在不同......
采用分子动力学方法研究了单轴拉伸载荷下扭转晶界(Twist boundary,TB)扭转角和晶向对含微缺陷的纳米镍双晶断裂的影响机理.结果表......
本文阐述了M_(23)C_6型碳化物孪晶的电子衍射分析方法,并分析和确定了两种金属材料中的晶间片状M_(23)C_6孪晶。
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本文利用扫描电镜、图象分析仪等研究了氧化物对快速凝固Al-Li-Mg合金超塑性的影响,结果表明:随着超塑温度的升高,合金的断裂特征......
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条......
硅中掺入等价元素Ｇｅ，可以提高硅单晶的机械强度。本文报道了用三点弯曲法、冲击法对不同Ｇｅ含量硅片机械强度的研究结果及影响ＣＺＳｉ机械强度的......
对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）＿１（ＧａＡｓ）＿１，（ＡｌＡｓ）＿３（ＧａＡｓ）＿３的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下......
在（１１１）晶向的ｎ型单晶硅片上，用电化学腐蚀的方法成功地制备出多孔硅膜，室温下，在３４４ｎｍ波长的光激发时用肉眼观察到明亮的桔红色荧光（５７７ｎｍ）。研究了ＨＦ浓度......
用射频偏压溅射在较高氧压下沉积的六角密排结构的Ｃ轴平行于衬底的混合晶向结构的多晶ＺｎＯ薄膜，对紫外光的照射有较快的光响应．在此ＺｎＯ膜上再......
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖......
本文阐述了Ｅ型膜片的结构特性，根据其应力分布特点及硅材料在（１１０）晶面的＜１１１＞晶向上具有最大压阻系数，开展了力敏芯片的最佳设计，并进行了Ｅ型力敏......
本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180......
采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、......
本文介绍了利用扫描电子显微镜对GaAsMESFET背面通孔形貌及电镀状况进行了分析.并对电镀工艺进行了改进.给出了大量改善前后的电镜......
用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释......
用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对......
在（１００）硅单晶衬底上，７５０℃外延生长了立方晶系（１００）晶向的ＳｉＣ薄膜，该生长温度是目前所报道的最低生长温度。采用一种简单的硅碳比为１：１的甲基硅烷（ＳｉＣＨ３Ｈ３）源材料......
本文报道了用反应离子刻蚀（RIE）与晶向湿法化学腐蚀（XWCE）相结合沿InP衬底（110）方向获得工作波长1．3μm的InGaAsP／InP双异质结激光器的腔面......
采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3......
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
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本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射......
本文报道（0001）晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质．由光吸收谱和488umAr+激光激发的......
本文报道了利用Ｓｉ单晶各向异性的特点，在两块Ｓｉ单晶片上，择优蚀刻出排列形状不同的Ｖ形Ｓｉ槽，通过嵌入Ｖ形槽中的光纤，将间距为６０μｍ的１０个光信号耦合到......
本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂......
脉冲激光溅射技术作为一种强有力的高质量薄膜制备的有效方法，在新型结构和功能材料淀积合成中广泛应用。近年来，激光溅射C粒子辅助......
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以......
利用微波等离子体方法在硅微尖阵列上生长了金刚石膜，并利用SEM和X射线衍射对金刚石膜进行了研究．
Diamond films were grown on si......
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材......
研究了＜０００１＜和＜１２１０＞晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单晶）在注入３６０ｋｅＶ．１×１０￣１６ｃｍ￣－２或１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分......
放肩前形成一个完全无位错的晶核，等径生长过程使固－液界面平坦是硅无位错晶体生长保持过程中的关键问题。据此讨论分析了Ф４英寸＜１１１＞硅单......
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
This art......
采用集成电路工艺模拟软件ＳＳＵＰＲＥＭ４ 模拟了氧化、扩散工艺， 并同实验值进行了比较，模拟值和实验值的偏差在１０％ 以内。与集成电路器件模拟软件Ｓ－ＰＩＳＣＥＳ联......
本文提出了一种在扫描电镜中应用体视学原理定量研究金属脆性断口的方法.利用这种方法,图象上的小晶面的晶向、成分及两点间距都可......
本文基于Taylor理论,引入滑移系临界切应力τ_c~8与孪生系临界切应力之比对初始晶向随机分布的面心立方金属的屈服行为进行了计算,......
采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射线衍射方法对金刚石膜进行了研究．
The diamond film was grown on the ......
