阈值电流相关论文
红外激光触发器产生的触发信号是阴影照相站工作的起始信号。红外激光触发器在长时间工作过程中的稳定性非常关键，一旦出现误触发信......
半导体激光器广泛应用于光通信、气体探测、激光医疗和国防军事等领域,主要通过在外延层中引入布拉格光栅来实现单模激射。典型的......
为了研究高速1550 nm微波光纤链路的高精度外调制特性,针对多量子阱分布反馈激光器的物理模型讨论了输出功率、阈值电流与温度的依......
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时, 会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早......
由于半导体量子点具有很强的三维量子限制效应,量子点(QD)激光器展现出低阈值电流、高调制速率、高温度稳定、低线宽增强因子和高......
本文报道了DH-GaAlAs半导体激光器的非对称激光脉冲振荡的实验观察结果.用求解激光器的速率方程得出的数值解,可较好地解释所观察......
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行......
对半导体激光器的非线性失真进行了理论分析．得出了计算二阶失真和三阶失真的理论公式．实验验证了理论结果，并发现国产ＤＨ－ＧａＡｌＡｓ半导体激光器的......
利用掺饵光纤和环形腔结构，在９８０ｎｍ半导体激光器泵浦下，获得了１．５６μｍ波长的光纤激光器输出。激光器的阈值泵浦功率为５．２ｍＷ。具有很好的线性输出特性......
从速率方程出发对双区共腔（ｃｏｍｍｏｎ－ｃａｖｉｔｙｔｗｏｓｅｃｔｉｏｎ简称ＣＣＴＳ）光双稳激光器进行了精确的理论分析与计算，并对其稳态特性进行了实验研究和测试，得出了定量和定性的分......
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平......
提出了一种结构新颖的腔内泵浦的自持脉冲掺铒光纤激光器。在连续的较低的功率泵浦下，实现了激光器的单倍和双倍周期的自持脉冲输出......
针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层......
使用ＤＣ－ＰＢＨ型激光二极管芯片，设计制作了实用化封装形式的宽带半导体激光器组件，在理论上和实验上研究了组件的封装模型、小信号频率调制特......
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前......
采用分子束外延（ＭＢＥ）技术，研制生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变单量子阱激光器材料，并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明，较高的ＩｎＧａＡｓ生长温......
建立了基于增益开关半导体激光器的非接触电光采样系统。利用电光晶体的Ｐｏｃｋｅｌｓ效应．以ＬｉＴａＯ３晶体制做成微小的电场传感器，对梳状波信号进行了测试......
首次在理论上用量子阱激光器增益与载流子密度的对数关系替代了原有速率方程中的线性关系，得到了改进了的速率方程，分析了稳态和调制......
利用分子束外延生长法生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。对样品进行了光荧光谱、双晶Ｘ射线衍射和电化学电容－电压分布测......
给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光......
介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积（简称ECRplasmmaCVD）法淀积980nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺条件，探索了膜系监控......
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大......
报道了用ＭＢＥ生长的ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＡｌＧａＡｓＳｂ多量子阱材料做成的宽条激光二极管的性能。室温下以脉冲方式工作，实现了８３ｍＷ的峰值功率输出，阈值电流为２５０ｍＡ，典型峰值波长为２．００μ......
针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈......
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实......
从理论上分析了应变补偿多量子阱激光器的阈值特性，并以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）体系为例，分别对应变补偿结构和普通应变多量子阱激光器进行了数值计算。结果......
采用金属有机化合物气相淀积（ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ）方法成功地研制了具有两对梯度折射率（ Ｇ Ｒ Ｉ Ｎ）异质结结构的 Ｉｎ Ｇａ Ａｓ／ Ａｌ Ｇａ Ａｓ 应变双量子阱激光器。该激光器的......
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊......
根据现有的材料参数，计算了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ／Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ量子阱激光器的增益、阈值电流密度以及阈值与温度的关系。理论分析表明氮化物蓝绿光激光器的阈值电流密......
研究了垂直腔面发射激光器中不同的顶层厚度对激光器模式特性的影响。结果表明空气界面反射与分布布拉格反射器(DBR)的反射率反相......
理论分析了工作温度对大功率激光二极管的工作波长、电光效率和器件寿命等的影响,采用波长补偿、高特征温度无铝材料设计外延和一......
针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条......
利用光反馈半导体激光器产生的混沌激光作为随机数熵源,详细研究了混沌源外腔长度对500Mbit/s随机数特性的影响.研究表明:在单路混......
采用了一种基于取样光栅原理制作多通道增益-折射率耦合型光栅的方法,成功制作了8波长分布反馈(DFB)激光器阵列,阵列中各激光器的......
报道了980 nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,......
研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的Al GaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga......
根据目前多数高功率半导体激光器模块只适合工作在准连续(QCW)状态下的特点,提出了利用光谱方法测量半导体激光器温升进而计算得到......
采用离子辅助电子束蒸镀H4(H4是两种激光损伤阈值较高的材料氧化钛和氧化镧化合而成,分子式LaTiO3)薄膜。研究了氧气压力和基底温......
为改善高功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流注入均匀性,提高光束输出质量和器件的输出功率,设计并研制出808nm高功率网状电极VCSE......
