金属有机物相关论文
太赫兹(Terahenz,THz)光谱技术是基于飞秒技术的远红外波段光谱测量新方法。太赫兹时域光谱技术在很多领域具有广阔的应用前景。本......
我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲......
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿......
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外......
为了打破国外在MOCVD设备长期处于垄断,摆脱我国长期依赖进口的被动局面,我们在国家高技术发展计划("863"计划)的支持下,研制一......
铌酸锂(LiNbO3)晶体因具有优良的电光、热电、压电、光折变和非线性光学效应等一系列特殊性质，成为目前用途最广泛的新型无机材料之......
本实验采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP 衬底上制备In0.82Ga0.18As 材料。研究缓冲层厚度对In0.82Ga......
本文论述了零价金属有机物Co_2(CO)_8和Ni(COD)_2采用化学液相沉积法对碳纤维进行钴、镍涂层加工的方法步骤,给出了钴、镍涂层X—......
采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法，通过对原料的提纯和合成工艺的优化，消除原料中的微量杂质，控制环境温度，从而获得了透明、稳定的锆钦酸铅先体......
在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
工作方向:以半导体光电子器件的工程化研究与开发为目标。为市场提供优质的光电子器件、提供系统的、集成化的全套生产技术,促进......
报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射......
简要报道了采用一种改进的低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法制备ＧａＮｐｎ结蓝光光发射二极管（ＬＥＤ），介绍了ＬＥＤ的基本特性．这种ＬＥＤ具有良好的ＩＶ特性和光......
在Ａｌ２Ｏ３（０００１）衬底上用ＭＯＣＶＤ（金属有机物气相沉积）方法进行了ＧａＮ的外延生长，通过Ｘ射线衍射（同步辐射源）研究了ＧａＮ和Ａｌ２Ｏ３（０００１）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，ＧａＮ以单......
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了......
给出了ＭＯＣＶＤ反应室流体力学的模拟方法，介绍一个ＭＯＣＶＤ反应室设计软件。该软件通过模拟反应室内的气流分布、压力分布和温度分布情况，可用来检验......
研究了用金属有机物化学气相外延（ＭＯＶＰＥ）在蓝宝石上生长氮化镓（ＧａＮ）缓冲层的生长速率随生长温度（５００～６００℃）的变化关系．用原位激光反射厚度测量方法，发现生......
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、......
据SemiconductorReporter网站报道,IMEC(TheInteruniversityMicroelectronicsCenter)近期宣布,通过新型的金属有机物化学气相外延(......
用低压金属有机物化学汽相沉积法(MOCVD)在Si(100)无偏角和Si(100)4°偏角衬底上外延生长GaAs层。异质外延采用两步生长法,并分别......
芬兰阿尔托大学和硅晶圆企业Okmetic公司合作,就以金属有机物气相外延(MOVPE)方式在6英寸绝缘体上硅(SOI)衬底上生长氮化镓(GaN)展......
手性单茂稀土金属有机物一直是人们研究的热点领域之一.我们课题组使用四氢茚基作为支撑配体,合成了一系列四氢茚基单茂稀土金......
随着材料科学和生命科学的不断发展，相对于合成工作来说，如何对未知有机物快速，全面的定性分析，是研究的一大难题。要对这类化学物......
在低温下通过金属有机物分解制备了两种PbS超晶格结构。研究了反应温度和反应时间对PbS纳米晶组装结构的形貌及粒度影响。对形貌的......
本文阐述了用溶胶一凝胶法制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺参数对薄膜结构的影响。实验表明，采用合适的工艺参数能制备出具有钙钛矿型结......
用金属有机物热分解法（MOD法）制备了含镧PLT薄膜，用Z－scan技术测试其非线性光学性能.结果表明：低镧（≤25％，摩尔百分数）的PLT薄膜下显示非线......
文章叙述了采用金属有机物四异丙基钛（Ｔｉ［ＯＣ３Ｈ７］４］为钛温，在外加热ＰＣＶＤ设备上沉积Ｔｉ（ＣＮ）涂层。并对涂层进行了其显微硬度测量，扫描电镜（ＳＥＭ）观察和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析。......
由硝酸铋和钛酸丁酯原料出发，采用金属有机物热分解法在较低温度下（５００～６００°Ｃ）合成了赝正交晶系的铁电Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２多晶薄膜。对其结构进行了ＸＲＤ分析，对其介电......
采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅（ＰＬＴ）铁电薄膜进行了热处理，用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度......
利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有......
生长在蓝宝石C面上的ZnO薄膜是通过等离子体金属有机物化学汽相淀积方法获得的 ,由其X光衍射得知 ,生长过程中分段退火和最后退火......
叙述了采用金属有机物钛酸四乙脂取代四氯化钛,运用PCVD外加热法沉积Ti(CN)涂层,其显微硬度可达1600kg/mm~2,涂层结构仍为柱状晶.
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本文介绍了简便制备无水氯化稀土的方法，和在高纯氮条件下进行过滤、蒸馏、萃取等装置及操作。
This article describes a simple ......
Metal Organic Compounds(e.g.metal soap) is composed with metal and orgnic compound. It is difficult to analyse by only o......
以醋酸铅、庚酸氧锆和钛酸丁酯为原料，采用金属有机物热分解法成功地制备了ＰＺＴ纳米晶粉末，并通过ＸＲＤ，ＦＴＩＲ，ＤＴＡ，ＴＧ，Ｒａｍａｎ，ＴＥＭ等方法对纳米粉末的结构进行了表征．粉末......
以CH3SiCl3为源物质,H2为载气,Ar气为稀释气体,研究了沉积温度和沉积气氛压力对SiC沉积形貌的影响.应用晶体成核-长大理论和SiC沉......
综述了金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)用的挥发性镓源的合成和提纯方法。并作了简单的评价。
The synthesis and purification me......
一、Mo-CVD工艺发展简史气相外延制备Ⅲ-V族化合物最常用的方法是氯化物输运系统.自65年以来,国内外对此系统已进行了大量研究,当......
采用离子注入形成沟道层和n~+欧姆接触区的技术,研制了大功率GaAsFET。由于引入了表面载流子浓度高的n~+区,器件的烧毁特性得到了......
最近,日本索尼公司研究中心的科学家报道了他们制备的第一个 AlGaInP/GaInP室温(可高达33℃)连续台面条型激光器。AlGaInP 是十分......
