液相外延相关论文
液相外延是碲镉汞（MCT）薄膜生长领域最成熟的一种方法，被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备......
当今社会,X射线在医疗,工业探伤,以及航空航天等领域都有着重要应用,而探测和分辨X射线则是射线应用的重要一环,所以研制高性能、......
提高光电型窄禁带半导体红外探测器的工作温度是当今红外技术发展的一个重要趋势,Ⅲ-Ⅴ族InAs基半导体材料是制备高工作温度红外探......
将相平衡形成母液法和碲化汞补偿合成母液法结合起来,探索出一种液相外延生长碲镉汞薄膜的新方法.利用该方法,生长出来的碲镉汞外......
碲镉汞（MCT）是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜：MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面......
本文采用椭圆偏振技术,对液相外延(LPE)生长的碲镉汞薄膜材料的组分及其组分的纵向分布进行了测量和研究.结果发现经P型热处理后的......
用水平推舟的方法以固态HgTe替代液态Hg补偿源,在CdZnTe衬底上从富Te溶液中外延生长出组分均匀的HgCdTe薄膜.采用红外透射法测量薄......
半导体工艺中的扩散、氧化、外延等工艺对温度的要求均十分严格,特别是液相外延,不仅要求控温精度高、单点稳定性好,而且在工艺过......
本文采用液相外延工艺技术,研究了YIG系单晶膜在钆镓石榴石(GGG)[110]方向进行生长的情况,通过调整过冷度、膜后处理 工艺等参量,......
近来MOFs 薄膜材料由于其高表面积和暴露丰富活性位点使得其在应用中有明显的优势而逐渐被科学家们研究。尤其是通过用液相外延(LP......
本文系统介绍了用倒易空间图分析界面的理论方法，并用该方法研究了液相外延HgCdTe/CdZnTe异质界面的结合情况。结果表明该HgCdTe样......
采用液相外延技术,试制了梯形衬底大光腔(LOC)可见光AlGaAs半导体激光器。其波长为717.2～770.0nm,室温(298K)连续工作阈值电流为300......
对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结(DCPBH)结构超辐射发光二极管(SLD)双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过......
报道了可饱和吸收体Cr4 :YAG的液相外延生长,对双掺杂Cr,Ca:YAG外延层的吸收特性进行了分析.通过对Cr离子掺杂浓度以及外延层厚度......
采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层......
本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
本研究用扫描电镜（ＳＥＭ）电子束曝光技术和相应的计算机联机成像程序，在ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ液相外延片上形成电子束光刻图形，并采用选择腐蚀等技术，由ＫＹＫＹ－１０００ＢＳＥＭ并附Ｘ射线能......
用红外光荧光测量分析了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ液相外延薄膜的发光特性，观察到局域激子及束缚激子发光．当外延层减薄至２μｍ后，ＰＬ信号的峰位将向高能方向移动，这是......
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖......
根据热力学理论推导出（Ｈｇ，Ｃｄ）Ｔｅ液相外延生长过程中有效分凝系数的表达式并与实验结果进行比较，由此分析了Ｈｇ压、溶液组成、降温速度及过冷度等......
本文概述了ＧａＡｌＡｓ低温液相外延技术在制作超薄外延层，包括量子阶材料中的工作；报道了在７００℃和６００℃下用液相外延技术生长的ＧａＡｌＡｓ层厚度与生长时间的关......
采用一种新的液相外延工艺，研制出了具有大光胶结构的Ｖ型槽衬底内条形可见光发射半导体激光器。其光谱波长为７７９～７８４ｕｍ，室温连续工作阈值电流为......
应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术研究分子束外延（ＭＢＥ）和二次液相外延（ＬＰＥ）生长的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子季阱激光器深中心行为．在ＭＢＥ激光器的ｎ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ组分缓变层和限制层里，除众所......
利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体......
利用高性能红外图像系统开发了工作波段为８～１０μｍ的混合型４８０×２元的锑镉贡（ＨｇＣｄＴｅ）红外焦平面阵（ＩＲＦＰＡ）。所用光电二极管阵在截止波长１０．５μｍ时，具有平均零偏压电......
3.n~+在p上和p在n上的光电二极管结构的比较让我们设想一种典型的高质量n~+在p上(或p在n上)的HgCdTe光电二极管结构(见图1),这种......
在需要双色信息的应用中,集成双色探测器列阵呈现出重要的系统优点(超过每种颜色分开的列阵)。利用具有同位波段灵敏度的单个列阵,......
本文对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器掩埋异质结液相外延生长中的几个关键工艺问题进行了研究，提出了获得有利于沟道掩埋生长的理想沟道几何图形的新的腐蚀......
Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延薄膜的质量与生长过程中的汞压有关。根据缔合溶液模型及相图理论,计算了汞压不平衡时液相点温度移动及组......
在过去几年中，欧洲制造商已能买到俄罗斯生产的二极管激光器。有几家供应商在欧洲正产生影响。位于莫斯科东南８００ｋｍ的Ｓａｒａｔｏｖ生产商生产高功率二......
为了达到国防部提出的获取低成本高性能红外焦平面列阵的目标,人们需要一种制造技术,这种技术根据器件的配置和截止波长具有内在的......
根据相律探索出相平衡形成母液法生长碲镉汞液相外延膜新的工艺方法。该方法工艺简单，外延膜组份易于调整和控制。利用此种方法，成功......
利用改进的液相外延技术生长出了ＧａＡｓ－ ＧａＡｌＡｓ 大光腔结构激光器。样品１０Ｋ 下光荧光谱的峰值波长为９２６－２６ｎｍ 。样品的测量结果表明， 样品质量达到了设计要......
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大......
本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法：液相外延（ＬＰＥ）、金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ），分析了......
选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬......
简要介绍了国外红外焦平面相关技术的发展情况。
Briefly introduced the development of foreign infrared focal plane related......
最近10年来,红外技术中的新的探测器材料和结构以及新的和更复杂的探测器体系结构有了明显增加。本文对最近发展的最新的材料、生......
引言磷化镓是目前主要采用的绿色发光材料。国外对于汽相外延制取此材料作了不少努力,但目前效率最高的材料是由液相外延形成p-n......
据日本大阪大学Fumio Kawamura等人报道,为了解决GaN材料大尺寸晶体制备困难,且受到器件崩塌的位错问题,他们开发了一种基于溶液的......
1.Neomet公司开发了稀土镝(Dy)和镨(Pr)合金,适于Nd-Fe-B磁体和其它特殊稀土应用。该材料是稀土和铁经真空精炼和铸造成二元共晶......
