多晶硅薄膜相关论文
在廉价衬底上实现多晶硅薄膜的快速生长,对低成本、高效、稳定硅薄膜光伏器件的发展具有重要意义.热丝化学气相沉积(HWCVD)具有气......
会议
本文采用PECVD制备前驱体硅基薄膜,再通过固相晶化法,在普通浮法玻璃上制备得到晶化率较高的多晶硅薄膜.文章中结合微区拉曼测试与......
优质的多晶硅薄膜是制备出高效多晶硅薄膜太阳电池的前提条件.该论文用传统的固相晶化法制备多晶硅薄膜.利用Raman光谱对其结构进......
利用铝诱导非晶硅薄膜晶化制备多晶硅薄膜可以降低退火温度,缩短退火时间.在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速界面处硅、铝......
利用挖槽石英舟不仅可以制备完全避免切割的硅片,而且可以进一步改善硅片的表面质量.由于衬底材料在硅太阳电池制作成本中占有40﹪以......
不采用隔离层和盖帽层结构可简化区熔再结晶工艺,在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中衬底采用市售的电子级三氧化二铝陶......
本文采用陶瓷硅作为衬底材料,用RTCVD沉积制备了多晶硅薄膜.对薄膜的SEM表面形貌进行分析表明:薄膜的结构和形貌与沉积温度和衬底......
本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对......
通过热丝化学气相沉积法(HW-CVD),采用间歇供气方式制备硅薄膜.实验发现该方法在有机衬底上生长的薄膜为多晶硅结构,而采用连续供......
本文以SiCl4 和H2 为气源,用等离子体化学气相沉积技术,通过控制和选择工艺条件,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜,沉积速率高达......
本文利用静电加速器对多晶硅薄膜太阳电池进行了电子辐照实验。电子能量为1MeV,分别以1014e/cm2、1015e/cm2 和1016e/cm2 电子辐照......
以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜.用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶......
设计了一种由非晶硅和多晶硅两种材料结合而成的太阳能电池薄膜,在电池表面采用光吸收系数高的非晶硅薄膜,在电池内部采用转换效率......
采用超高真空CVD(UHV/CVD)系统制备了多晶锗硅poly-Si-Ge薄膜,Raman测试确定了Ge的组份,研究了其电阻温度特性,电阻温度系数TCR可......
介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理与工艺,对多晶硅成膜质量进行了详细的分析,分析多晶硅薄膜片內均匀性、片间均匀性、......
使用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜.分别利用XRD SEM、高阻Hall测量和光电导谱测......
以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等......
将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD),制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质.结果表明,......
利用氢等离子体处理晶化a-Si:H薄膜,对晶化后的样品进行X射线衍谱(XRD)、傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)和Raman散射谱的测试,讨论和......
本文报道一种新的多晶硅(Poly-Si)薄膜材料制备方法-AIC法,研究寝材料的掺杂浓度对晶化效果的影响.结果证明:在250℃下可以在玻璃......
该文报道了在SiO〈,2〉和Si〈,3〉N〈,4〉膜上用RTCVD法直接沉积多晶硅薄膜的实验结果,在这两种薄膜上都制备出了具有柱状晶粒的多晶硅薄膜。发现两者......
本文采用PC1D太阳电池软件模拟的方法,对以颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率作了模拟分析,给出1cm2 面积的电池的......
在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用"ECR-PECVD"可控活化低温外延技术,以SiH4+H2......
我们使用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)的方法在玻璃衬底上制备了用于太阳能电池的多晶硅薄膜.通过对其Raman谱的分析得出不......
为了获得适合用于多晶硅薄膜太阳电池的多晶硅薄膜,该论文在中温情况下(退火温度在750℃-950℃之间)对传统的固相晶化方法进行了研......
该文概述了目前世界上常用的利用晶化技术制备多晶硅薄膜的方法,这些技术包括直接固相晶化和激光晶化等,并讨论了它们各自的特点.......
本文以镁铝尖晶石透明陶瓷为衬底,用RTCVD(Rapid Tnermal Chemical Vapor Deposition)沉积制备了多晶硅薄膜,制备的薄膜均匀致密,......
在本文中,作者采用磁控溅射法在a-Si:H薄膜上溅射-薄层金属Ni,然后在500℃下退火晶化,获得多晶硅薄膜,并观察到横向晶化.......
本文采用铝诱导晶化的方法,在普通浮法玻璃上制备得到了(111)择优取向的多晶硅薄膜.文章中提出了光学照片与拉曼扫描结合的多晶硅......
以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄......
本文研究了一种简单的区熔再结晶方法.通过改变区熔再结晶的气氛,简化了区熔再结晶的工艺.本文给出了相关实验结果并对相关机制进......
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极,它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺......
推荐一种新的高分辩率多晶硅TFTLCD的象素设计。推荐的象素单元含有双栅多晶硅和双层存贮电容。为了减小象素尺寸而不必牺牲图象的亮度,双......
利用俄歇电子能谱(AES)、二次离子质谱(SIMS)等表面分析手段,对硅栅MOS结构Poly-Si/SiO2界面进行分析,发现该界面不是突变的,存在着成份过渡区.根据多晶硅薄膜的成......
采用多晶硅薄膜材料作为热敏电阻材料,以普通的IC工艺及微机械加工技术研制成功了在室温下工作的红外微测辐射热计,其多晶硅电阻温度系......
本文叙述了多晶硅薄膜的制备以及作为集成电路中的负载电阻的基本原理。重点阐述在高频、低功耗、高速双极模拟超大规模集成电路制......
Z99-51304-1 9914832纳米硅薄膜与纳米技术进展[会]/林鸿溢//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—1~3(D)开展纳米科学技术研究,是......
本文报道用微波等离子体沉积/原子氢处理交互进行方法低温制备多晶硅(poly-Si)薄膜及其结构特征和光电特性.X光衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、光吸收、光电导......
着重介绍了硅MEMS加工技术中的表面牺牲层技术及其应用,并给出了我国MEMS 发展的概况。
The surface sacrificial layer technology and it......
采用新型的两步激光晶化技术在玻璃衬底上制备出性能良好的多晶硅薄膜 ,并制作了多晶硅薄膜晶体管 ,其迁移率为 10 3cm2 /V·s ,开......
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的 p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理 TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处......
用分光反射光谱(SR)和分光椭偏光谱(SE)来分析低温激光退火多晶硅薄膜的光学特性。利用多层光学和Braggeman有效介质近似模型(B-EM......
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶......