输出特性曲线相关论文
为给出仅需厂商给定数据且准确的本征薄层异质结光伏电池输出特性曲线,以两个2次贝塞尔函数对本征薄层异质结电池特性曲线最大功率......
用实验测量方法提取了Si/SiGe多发射极微波异质结晶体管(HBT)的直流GP模型SPICE参数,模拟了器件的输出特性曲线,分析了器件在小注......
文章通过分析光伏电池的物理模型,建立了光伏组件的simulink仿真模型,该模型可以根据实际的光伏组件参数进行调整,得到实际光伏组......
新能源的发展是世界持续关注的重要问题,可再生清洁能源中的太阳能以其突出的优点被世界各国所推崇。如今光伏发电效率低是限制太阳......
采用化学气相沉积法(CVD)制备单层石墨烯,将其转移到300nm厚的SiO_2/Si衬底上.通过真空蒸镀法在石墨烯表面沉积Au电极,获得SiO_2/S......
本文着重讨论了MOS电路中由非对称源耦对组成的模拟平方器的各种应用,提出了一种新型的MOS模拟乘法器,也探讨了模拟平方器在改善MOS型对称源耦......
本文报道了薄膜SIMOX/SOI材料上全耗尽MOSFET的制备情况,并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较.实验结果表明,全耗尽器件完全......
通过研究60Coγ射线对MOSFET的线性特性和输出特性的影响,定性地描述了氧化物电荷积累和Si/SiO2界面态增加分别与P-MOSFET和N-MOSFET的迁移率μ退化、跨导gm下降以及输出......
介绍了hfe≥12000的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在10A比1mA的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。
The design......
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较,可以看出注入光敏器件的特征所......
本文提出一种MOS型反相器电路,并分析了电路的工作原理,SPICE模拟表明,在±5V电源电压,输入±3.6V范围内,非线性误差小于±0.48%。文中还给出了这种反相器的......
本文以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG—MOS-FET一级近似下电流模型的解析表达式.并对其物理机制进行了分析讨论.
Based on the current......
本文研究SiGe/Si异质结构MOS器件栅介质制备技术,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜,并应用于SiGe/Si异质结构器件......
运用图解法对非线性电阻网络运动方程进行消元和代入运算,以此确定其工作点、DP图和TC图。该方法对工程设计有一定的实用价值。
Graphi......
应用"掺杂工程"和"带隙工程"各自的特点,设计了一种独特的基区双向高速输运的SiGe/Si HBT层结构,并利用此结构在3μm工艺线上做出了性能良好的SiGe/Si HBT。其......
研制了用于扫描近场光学显微镜的新型有源光纤探针,采用熔拉法和腐蚀法相结合,制作出掺Er3+光纤探针,实验测试了这种光纤探针的放大的自发......
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础,推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式,并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。
......
本文研制了Al03Ga022In048P/GaAs高温HBT器件,详细地研究了器件在300K~623K范围内HBT的直流电学特性.结果表明Al03Ga022In048P/GaAs......
对静电感应晶体管(SIT)栅-漏、栅-源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨,对栅-源连通和栅-漏耐压的钳位问题进行了分析。
The gate-dra......
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规......
本文报道了对集成型硅光电负阻器件及其应用的初步研究结果.文中介绍了硅光电负阻器件(PLBT)的特性并对用该器件所构成的光控正弦波振荡器......
通过列举实例,讨论晶体管放大电路的图解分析法,指出点斜法画直流负载线和交流负载线时应该注意的问题。
By enumerating the examp......
分析了级联单端输入非线性光波导耦合器的输出特性。理论分析表明这类器件具有极好的开关、限幅以及稳定光功率的特性。调整耦合器......
采用集成电路工艺模拟软件SSUPREM4 模拟了氧化、扩散工艺, 并同实验值进行了比较,模拟值和实验值的偏差在10% 以内。与集成电路器件模拟软件S-PISCES联......
本文采用数值计算和解析分析相结合的方法 ,建立了新型功率半导体器件——双极型压控晶体管 (BJMOSFET)电流 -电压特性的数值分析......
本文详细分析了不同结构的Mach-Zehnder调制器特性及其对声效应、光效应 等的敏感程度,并计算了其对外调制光发射机性能的影响。为......
2.绝缘栅场效应管结缘栅型场效应管与结型场效应管的不同点在于它们的导电结构:结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽层的宽窄来控......
除N沟道结型场效应管外,还有P沟道结型场效应管,其结构及符号如图198所示。P沟道管中参与导电的是“空穴”,它的工作情况与N沟道......
用单元刻度环刻度感应测井仪时,其输出特性曲线在通常情况下并不是一条直线,而是一条曲线。这是因为单元刻度环不是一个纯电阻元......
成都电焊机研究所刘纯武等在1982年第5期《电焊机》上介绍了逆变式弧焊电源发展的概况。逆变式弧焊电源从七十年代初开始研究,直......
在对口单招《电子线路》课程复习过程中,教师要制订具体的复习计划,运用各种手段和方法,以提高复习课的质量。
During the proces......
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪,可以获得晶体管的实际特性,能更......
本文报道了一种叠层结构有机场效应管,它有别于一般的顶接触式和底接触式结构OFET。该器件采用真空镀膜制备,以SiO2作为绝缘层,酞......
以热生长的SiO2作为栅绝缘层,酞菁锌(ZnPc)作为有源层,研究了具有十八烷基三氯硅烷(OTS,C18H37SiCl3)/SiO2双绝缘层结构的有机薄膜晶体......
制备了一种有机垂直光发射晶体管,兼具有机发光二极管的发光和晶体管的开关调节两个功能.其结构为一个有机发光单元垂直堆叠在一个......
制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个......
研究了0.8μm SOINMOS晶体管,经过剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的输出特性曲线的变化趋势.研究结果表明,经过制造工艺和......
在“模拟电子技术基础”课程中,图解法可用来分析放大电路的Q点位置、最大不失真输出电压和失真情况等[1]。在实际应用过程中,学生......
通过掩膜板制备源漏电极的方法,以非晶铟-镓-锌氧化物(a—IGzO)为有源层,制备了结构为ITO/siO2(400nm)/a-IGZO(50nm)/Al的底栅顶接触型(BGTC)光......
根据三极管特性参数的定义与特点,提出了实现小功率三极管交直流放大倍数、输入和输出特性曲线的测试方案;详述了系统测试原理,给......