反应磁控溅射相关论文
微电子器件的迅速发展对TiN电极薄膜电阻率、表面粗糙度以及厚度均匀性均提出了更高的要求。本文采用半导体工艺兼容的反应磁控溅......
高熵合金碳化物（HEAC）薄膜具有高硬度、耐磨性和耐腐蚀性良好等特性，在摩擦腐蚀环境下的材料防护领域具有广阔的应用前景，但关于HEAC薄......
钛及钛合金以其优异的力学性能、良好的耐腐蚀性以及优良的生物相容性在医用金属材料领域得到广泛应用,其中Ti-6Al-4V合金是当前医......
随着材料科学的发展,传统的TiC和TiN薄膜材料不能满足切削刀具材料的要求,Ti-Si-N膜具有高硬度、低摩擦因数、良好的热稳定性和化......
冲击片雷管具有安全性高、时间控制精度高、响应速度快等特点,能有效提升武器系统在复杂战场环境中的生存能力及作战效能,对我国国......
近年来,由于周期结构涂层因其多界面效应、晶粒细化和周期可调制等特点,使得涂层具有较高硬度、良好韧性、优秀的耐磨耐腐蚀和防止......
随着信息技术的发展,无线电力传输作为一种重要的电源技术而引起了人们的广泛关注。肖特基势垒二极管（Schottky batrrier diode,SBD......
基于AlB2-type WB2(h-WB2)涂层体系,采用直流反应磁控溅射法,利用WB2靶材,通过控制C2H2分压(PC2H2+PAr=0.5 Pa)在YG8硬质合金和Si......
采用物理气相沉积技术(Physical Vapor Deposition,PVD)制备陶瓷薄膜或涂层对金属基体进行表面改性正获得越来越多的应用.TiAlN涂......
用三靶直流反应磁控溅射仪,通过改变玻璃基片温度(350～500℃),在浮法玻璃上镀膜,制备了玻璃/TiO/TiN/TiO阳光控制镀膜玻璃.用Beckma......
采用脉冲直流反应磁控溅射镀膜方法在FTO透明导电玻璃上制备厚度分别为50 nm、100 nm、150 nm、200 nm、250 nm和300 nm 的氧化钨......
采用反应磁控溅射方法制备二氧化硅，金属铝，金属铬，不同氮含量的氮化铬，不同氮氧比的氮氧化铬单层薄膜；通过光谱椭偏测试分析与X 射线光......
从氧空位、表面粗糙度及晶界三方面,讨论了氧分压对射频反应磁控溅射ZrO薄膜光学透射率的影响.结果表明,随氧分压增大,氧空位的减......
用直流反应磁控溅射设备,在不同O/N比率条件下,在铜片和载玻片上制备了TiNxOy薄膜.用分光光度计、n&k薄膜光学分析仪和台阶仪测试......
用直流磁控溅射法, 通过改变餓射总气压及N2与Ar的比例,在玻璃基片上制备了一系列TiN薄膜试样, 利 用X射线衍射仪(XRD)和X射线光电......
采用射频反应磁控溅射系统，在K9双面抛光玻璃基底上制备氮化铝薄膜，通过实验测试并结合数值拟合计算研究了其他参数保持不变的条件下......
自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用......
采用直流反应磁控溅射法在Si(111)衬底上制备了ZrN薄膜,通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜以及霍......
电致变色玻璃可以主动调控玻璃的采光和遮阳性能,实现智能化,是建筑节能玻璃发展方向。相比其它电致变色材料,氧化钨因变色幅度大......
采用反应磁控溅射法在ITO玻璃上制备氮掺杂氧化钨(WO3:N)薄膜。采用XRD、XPS、AFM对薄膜的结构、成分、结合键和表面形貌进行表征......
反应溅射存在不稳定性,需要对反应溅射过程进行非线性控制。分析了迟滞效应的不稳定特性,提出了基于PEM的非线性动态平衡控制法。......
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
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介绍一种 TiC/i－ C双层复合硬质薄膜，该复合膜由碳化钛（ TiC）膜层和 i－ C（离子辅助沉 积）无定形硬质碳膜组成。采用反应磁控溅射的方法沉......
用射频等离子体增强化学汽相沉积技术合成Ｃ３Ｎ４薄膜，并采用强迫晶化技术，经透射电子衍射观测，薄膜具有多晶结构．用Ｘ射线光电子能谱测试了Ｃ，Ｎ原子......
应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上。在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜......
采用非平衡反应磁控溅射的方法在Si(100)基片上沉积Ti(C,N)复合膜和不同调制周期、调制比的TiN/Ti(C,N)纳米多层薄膜。薄膜的微观......
采用反应磁控溅射并在氧氛围下进行后退火处理的方式,制备了氧化钒薄膜。尝试了在氧化钒上以不同衬底温度和溅射功率等工艺条件溅......
用316L不锈钢(SU316L)作基片,以高纯石墨作靶、CHF3和Ar作源气体,采用反应磁控溅射法在不同流量比R(CHF3/Ar)下制备了氟化类金刚石......
采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(ZnO:W,即WZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜并研究了氧气流量对薄膜微观结构、组分、表面形......
以Zn金属靶和Zr金属片组成的Zn：Zr为靶材，利用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO：Zr透明导电薄膜。研究了靶与衬底之间的距离对......
采用中频反应磁控溅射方法,在钼/聚酰亚胺/硅(Mo/PI/Si)基片上室温下制备出c轴取向柱状结晶氮化铝(AlN)薄膜,X射线衍射摇摆曲线和......
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜。研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热......
钛合金是优质的结构材料、新型的功能材料。在航空航天领域中,TA15钛合金是一种高铝当量损伤容限型钛合金,具有优异的力学性能,使......
报道一种制备高性能氧化钒热敏薄膜的方法和其应用.采用反应磁控溅射薄膜沉积技术,通过改变氧化钒热敏薄膜沉积时溅射功率,从而调......
钠硫电池具有能量密度高、功率密度高、自放电率低、应用领域广及原料成本低等优点,作为储能电站和特种电源具有很好的前景。然而,......
利用直流反应磁控溅射法在Si衬底上沉积了高结晶质量的氮化锆(ZrN)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、......
概述了新型超硬材料——氮化碳(C_3N_4)的晶体结构和合成C_3N_4的实验方法,以及C_3N_4薄膜的TED,XRD,XPS,FTIR,Raman和Hv的测试分......
采用反应磁控溅射法制备了CrN、CrSiN与CrAlN复合薄膜,分析了复合薄膜的微观结构,并考察了3类薄膜的摩擦磨损性能.结果表明:所制备......
基于密度泛函理论采用第一性原理对Ti8O16、Ti8O15和Ti8O14三种晶体结构进行电子结构的模拟计算。通过模拟结果的分析推断氧空位的......
采用中频磁控溅射技术在3种偏压条件下(0、-80、-300V)于AISI 440C钢及单晶Si(100)基体表面制备了ZrN/α-SiNx纳米多层薄膜.通过高......
2.4 ZnO掺杂透明导电氧化物沉积透明导电氧化物薄膜,例如SnO2、ITO、ZnO,有很多应用,如建筑玻璃、汽车、显示器、光伏器件。制备掺......
用电弧增强反应磁控溅射方法(AEMS)在高速钢(W18Cr4V)基体上制备出具有耐磨减摩性能的BCN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电......
