本征缺陷相关论文
氧化铟（In2O3）作为一种透明导电氧化物（TCO,Transparent conducting oxide）材料,由于其优异的透明导电性能和气敏性能,已经在太阳能电......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下具有3.37 e V的禁带宽度。相比于第三代半导体材料Ga N,ZnO具有更大的自由激子结合能......
本文通过基于密度泛函理论第一性原理计算的“转移真实态模型”系统地研究了黑磷烯、黑砷烯和单层Ge S中所有本征点缺陷的基础性质......
为了探究氮掺杂碳催化剂中不同类型缺陷点位在活化过一硫酸盐((PMS))时的反应活性,以碳黑和二氰二胺混合物为前驱体,通过热解得到......
采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一性原理方法,理论研究等浓度不同类型本征缺陷对锐钛矿TiO2材料的光电特性的影响.通过对各体......
目前,锂离子电池和钠离子电池的负极材料按其充放电原理可分为三种:嵌入/脱出型、合金化和转换反应型。嵌入脱出型负极材料的充放......
基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuⅠ的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuⅠ的带隙值为1.56 eV,为直接带隙......
运用第一性原理杂化泛函研究了本征缺陷(O空位和Ga空位)对于β-Ga2O3的几何结构和电子性质的影响.计算结构表明:杂化泛函B3LPY能很......
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控,有望构筑未来实用化的自旋量子器件,是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。近几......
氧化镓（β-Ga2O3）因其本身良好的稳定性、超宽带隙（4.9 eV）和优良的物理化学特性广泛应用于光电器件、气敏传感器、能源催化、以及日盲......
本文主要采用了密度泛函理论下的第一性原理平面破赝势方法,研究了富Zn条件下,Zn1-XMgxO(x=0,0.0625,0.125,0.1875,0.25)材料的一......
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面赝势波方法，系统地研究了本征缺陷对闪锌矿和纤锌矿砷化镓纳米线电子结构的影响，并深入分析了......
在这篇文章中,我们重点研究了钽酸锂晶体Li含量(组分)的OH-红外吸收谱测定方法。我们利用气相输运平衡的方法制备不同组分的钽酸锂......
研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌(ZnO)压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响.研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏......
本文运用第一性原理计算研究了LiNH2BH3本征缺陷的形成及扩散.计算结果表明,LiNH2BH3中氢原子缺陷主要为间隙的带正电和负电的氢原......
我们利用平面波赝势方法和密度泛函理论对纤锌矿结构ZnO的本征缺陷及其形成能进行了第一性原理的计算。计算分为三种情况讨论：O......
利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:......
纳米管钛酸在高温空气中(400℃≤T≤600℃)脱水得到含有高浓度束缚单电子氧空位(Vo˙)的新型TiO2.该TiO2体相中含有高浓度本征缺陷......
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了化学计量比铌酸锂晶体(SLN)的能带结构以及掺铁铌酸锂的铁离子能态.研究结果表明,SLN晶体......
该文基于密度泛函理论的第一性原理,研究了含本征缺陷的掺铁铌酸锂晶体的电子结构和光学特性.研究显示,近化学计量比掺铁铌酸锂晶......
红外光谱法研究了硅单晶中的氢催化氧沉淀．氧含量为６×１０１７ａｔｏｍｓ·ｃｍ－３的直拉硅（ＣＺ—Ｓｉ）经氢气氛下区熔再成晶后，间隙氧浓度下降约２０倍．红外光谱测量１２３０ｃｍ－１吸收带结......
本文使用高纯度和高品位的单晶材料，通过Ｃｕ掺杂和退火实验，利用光致发光研究了ＣｄＴｅ发光光谱中１．５８９６ｅＶ处的主要中性受主束缚激子发光的起因．结果表明......
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的复电容曲线，研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律，探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱......
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶......
氧化锌(ZnO)具有适合基于pn结的各种光电器件,例如紫外光子探测器、发光二极管和激光二极管等应用的理想性质。虽然多年来已可获得......
研究了KrF准分子激光辐照对ZnO薄膜的本征缺陷.紫外(UV)发光以及表面形貌的影响,并对室温下ZnO的UV发射机理进行了详细探讨.结果表......
利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-Si C外延片中本征缺陷ESR谱的影响。结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降......
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室孙洪波教授课题组的李贤斌副教授、博士生王丹与美国伦斯特理工学院张绳百......
碳纳米管的制备过程中不可避免的存在一些缺陷，这些缺陷会影响碳纳米管的电子结构和功能性质。研究缺陷对碳纳米管载流子输运的......
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法对单斜晶相HfO2的本征缺陷以及掺杂N、Si、Al、Ta的缺陷进行了系统的研究。计......
β-Ga_2O_3作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,它具有4.9 e V的禁带宽度、8 MV/cm的高击穿电场以及优良的Baliga品质因数等出色的......
稀土钙氧硼酸盐ReCa4O(BO3)3(ReCOB,Re为稀土元素)系列晶体是一类新型的压电晶体材料,具有优异的电学、光学、热力学等性能,在高温......
硒化镉(CdSe)具有优良的光电性质,是应用最为广泛的半导体材料之一。本文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝式法,在......
掺Yb石英光纤激光器因具有高的输出功率和光-光转换效率,高的可靠性和好的光束质量以及体积小质量轻等优点,已经被广泛应用于太空......
自工业革命以后,能源危机和环境污染已经成为人们日益面临的两大疑难问题。寻找一种利用清洁太阳能将CO2和H2O转变为碳氢化合物的......
提出了一种利用单层石墨烯薄膜及其缺陷制作漏孔组件的方法.通过化学沉积法制得单层石墨烯薄膜后将其转移至多孔烧结不锈钢的薄片......
利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中......
通过化学气相沉积法直接在SiO2衬底上750℃裂解乙炔制备出直径约为3～5μm,具有层状结构并含有大量缺陷的相互连接的石墨基碳微米球......
对LCAK钢头坯亚表层hook结构的特征进行了研究.结果显示:hook各特征之间存在着显著的相关性,比如随着hook倾角的增加,hook的长度、......
通过在低氧分压和真空中热处理ZnO粉末,获得了ZnO荧光粉．ZnO荧光粉有两个发射谱带,分别位于380 nm(紫外)和510 nm(绿色)．紫外谱带对......
