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采用超细过滤方法，分别制备含有直径小于7nm SnO晶粒的酸性和碱性溶胶液。对其光吸收谱测量发现，超细过滤后的酸性和碱性溶胶带连光......
TiO2 的物理化学性质决定了它无论在工业上还是在科学研究上都是一种重要的材料，尤其作为光催化方面的材料，近年来受到人们的广泛关......
本文研究了正交铺层([0/90]s)碳纤维增强环氧复合材料在静态与拉—拉疲劳下的损伤破坏,探讨了它的破坏机理。通过采用显微观测,声......
在水平管式炉中,采用热蒸发锌粉的方法,在镀有掺铝氧化锌(AZO)薄膜的石英基片上制备了大量高密度的ZnO纳米棒,AZO膜面分别正对和背......
光子晶体激射图像与其非均匀度的关系在本论文中报告.一维光子晶体能产生锥形激射,在屏幕上可以观察到一个0°方向的激光光斑和与......
以丙酮为溶剂,采用溶液降温法生长1,3,5-三苯基苯(TPB)晶体。在40~45℃温区下生长出尺寸为19 mm×15 mm×13 mm的透明块状晶体,生......
对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）＿１（ＧａＡｓ）＿１（００１），（ＩｎＰ）＿ｎ（ＩｎＡｓ）＿ｎ（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ＿ｖ和平均键能Ｅ＿ｍ的行为，对以......
对三种不同晶面（（１００），（１１０）和（１１１））的超晶格（ＡｌＡｓ）＿１（ＧａＡｓ）＿１，（ＡｌＡｓ）＿３（ＧａＡｓ）＿３的电子结构进行了第一性原理的计算，采用冻结势万法系统地分析了在不同的晶向和不同的周期层厚度的情况下......
首开发行奥林匹克题材小本票先河者是1936年第11届夏奥会主办国德国,共推出2种由全套纪念邮票中部分面值构成的小本票,目前比较珍......
本文主要讨论ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压ＭＯＣＶＤ系统在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长的含３０个周期的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱材料。做光致......
罗比·福勒在各大媒体也是频频上 镜，但有些事还是鲜为人知的：１ 罗比·福勒生于１９７５年４月，在利物 浦的托克斯特斯住宅区长大。２ 少年福勒是埃......
本文研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质．我们测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的......
加拿大从1997年开始发行生肖系列邮票,其年年变化的异型邮票吸引了全世界生肖集邮爱好者的注意。然而今年羊年生肖邮票却“变”出......
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线......
对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光......
利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁......
对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱......
本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得......
研究了MOVPE生长的与GaAs晶格匹配的 (AlxGa1-x) 0 .51In0 .4 9P(x =0 .2 9)合金的PL谱的温度依赖关系 ,在变温约为 17～ 2 30K范围......
用波长范围为 70 0～ 3 5 0 0 nm的光电流测试系统研究了 SI-Ga As衬底及其 MESFET器件中的深能级。结果显示在 SI-Ga As衬底及其 ME......
利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边......
经常有人问我有关如何画迷彩服的问题。哪种颜料最好?应该用什么颜色?最好的方法是什么?
People often ask me questions about ......
我厂生产的直径在200毫米以上的轧辊及轴类零件时,大都要表面淬火。由于设备条件所限,只能进行火焰螺旋推进加热的表面淬火法,由......
利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长......
ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV,而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2......
利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0 .1 %,0 .22 %,0 .36 %和0 .62 %的GaAsN合金的E_0, E_0+Δ_0和E+能级的光致发光峰.共振喇......
一前言1J79合金是我所主要产品之一,生产量大,尺寸规格多,十几年来生产一直比较稳定,用户反映也很好。但是,自从使用山东重油作加......
用XPS,SSIMS,ISS研究了CuCl在γ-Al_2O_3上的分散状态。结果指出:CuCl在γ-Al_2O_3表面呈单层分散,用XPS得出的I_Cu/I_Al强度比与......
笔者所珍藏的邮票年册有两种,一种是年终从邮局领取的印制年册,一种是自插自制的年册。年终领取的年册,印注了较全的信息,包括邮票......
本文研究了在金属有机化学气相沉积法(MOCVD)生长过程中,锌(Zn)源和氧(O)源载气流量的改变对ZnO纳米棒阵列的影响。通过改变源材料......
采用结合形变势理论的k.p微扰法建立了(101)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的双轴应变Si的带边模型.结果表明:[001],[00],[100]及[0......
基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x...
基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)......
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利用一维光子晶体(PC)异质结结构带边峰值叠加的方法设计了一种偏振带通滤波器,在实现p偏振分量带通滤波的同时实现了禁带范围的展......
利用应变Si1-xGex/(111)Si材料价带E(k)-k关系,研究获得了沿不同晶向的空穴有效质量,并在此基础上,建立了空穴各向同性有效质量模......
研究了单模光纤布拉格光栅的偏振相关损耗(PDL)特性。运用耦合模理论和琼斯(Jones)矩阵提出了反射光的有效偏振相关损耗(PDLeff),......
一、故障现象:磁带外溢分析处理: 1.收带和供带不同步,收带轮丢转——检修调整。2.卷带不平,局部磁带与带盒摩擦严重——重新倒带......
菲律宾《今日公报》报道,该国一名研究人员在菲律宾发明和发展研究所的协助下,经过二十年的研究,试制成一种名叫“野马巡逻车”的......
创造单位:广东省雷南县构造:耙身成簸箕形,三面带边,一面刨成尖口(或用铁皮包装),便于上土。耙身背两中间钉上加固扳一根,两边各......
