平带电压相关论文
N 类型和 p 类型 6H-SiC 金属氧化物半导体(瞬间) 电容器样品与一个典型方法被制作，并且高频率电容器电压(C-V ) 这些样品弯在从 29......
研究了等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯｘＮｙ膜工艺中混合气体配比与薄膜中氮、氧含量间的变化关系以及对膜层折射率、介电常数的影响。......
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受......
本文就大台面高电压、大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上闸述了钝化机理，系统介绍了台面造型、玻璃涂复、熔烧等工艺途径，并给出了......
本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．
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随着超大型集成电路的发展,需要选用介电性能合适的薄膜材料来制备微型电容器。以前,制备这种电容器所用的材料SiO_2和Ta_2O_5本......
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，......
介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压......
红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关......
本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和......
本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应......
本文以电荷泵技术为测量手段，结合数值计算，提出了一种新的测量界面态横向分布的方法．与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引......
将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关......
提出利用深能级瞬态谱（ Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ） 技术研究 Ｍ Ｎ Ｏ Ｓ 结构中界面陷阱的分布，阐述并建立了 Ｍ Ｎ Ｏ Ｓ结构 Ｄ Ｌ Ｔ Ｓ 存储峰和界面态峰的解析理论，并给出区分......
本文提出了一个新的基于外端口直流、交流特性的金属-半导体-金属光电二极管(MSM PD)的等效电路模型,同时给出了直流模型和电容模......
对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞......
用高频C—V和准静态C-V技术研究了低温湿氮退火对SiO_z—Si界面的影响。结果表明,铝淀积后并在铝腐蚀之前的460℃湿氮退火有效地减......
采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了......
采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果......
综述了电荷耦合器件(CCD)在空间环境和核辐射领域中的辐射效应研究进展;阐述了不同粒子辐照CCD的损伤效应机理及暗电流、平带电压......
通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化......
针对反应离子刻蚀氮化硅过程中无图形60nm栅氧的等离子体损伤问题进行了研究。采用接触电势差技术研究了反应刻蚀中电荷在硅片表面......
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2(GDH)高k薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层。结果表明Al2O3界面......
以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用......
基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注......
采用等离子体增强原子层沉积技术在Si衬底上制备了HfO2栅介质薄膜。为了抑制HfO2薄膜与Si衬底间界面层的生长,首先对Si衬底进行了......
研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样......
碳化硅(SiC)半导体由于其优异的物理和电学特性,近些年越来越引起人们广泛地关注,是应用于高温、高压和大功率电子器件领域的热门......
为改善MOS电路因栅氧化物N_a~+沾污引起阈值电压漂移造成的不稳定,对栅氧化物进行高温磷处理,以形成磷硅玻璃膜来俘获栅氧化物中的......
研究了真空热处理对掺CH4的SiCOH低介电常数薄膜的电流-电压(I-V)特性、电容-电压(C-V)特性、疏水性能以及微结构的影响.结果表明:......
研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃......
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数......
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层......
本文用射频磁控溅射方法在p-Si83Ge17/Si压应变衬底上沉积制备HfO2栅介质薄膜,研究其后退火处理前后的电学性能,并与相同条件沉积......
设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特......
人们发现,在高温下氨气中进行SiO_2的热氮化,可以形成有用的薄栅绝缘物,具有热氮化SiO_2膜的MOS二极管的界面特性明显地受氮化条件......
本文通过对典型场控P-N结结构的分析,给出硅突变结击穿电压(BV_R)与覆盖在结上面的场绝缘层介质类型(K_i)、介质厚度(d)、场板偏压......
硅外延层上自然氧化层中的界面态使汞-硅接触肖特基二极管反向偏置C—V特性偏离理想情况,给外延层杂质纵向浓度分布测定带来较大误......
本文采用电晕放电技术对硅片的热氧化层注入了氟离子.并通过逐次剥层用椭偏测厚仪测量了剥层后的氧化层厚度,用高频c-v法测量了剥......
本文研究了用稳态的C_0~(60)对采用热解和干法栅氧化制作的多晶硅栅MOS电容器进行辐照时,栅氧化温度对电容器的辐照诱生平带和阈值......
