横向扩散相关论文
组织中间部门创新治理政策横向扩散的一般路径包括:部门内部再创新所进行的扩散行为,角色转换所引致的创新治理政策扩散,实力强弱......
煤矿在开采过程中,经常出现透水或淹矿事故,给煤矿生产和矿工人身安全带来重大安全隐患.为了解决这一难题,国有各大煤矿积极采取措......
考虑注气混合带在层状油藏中的横向扩散作用,建立了二维对流-扩散渗流模型,并采用有限元方法数值求解,展示了受扩散作用影响的混相......
通过两孔平底泄洪闸物理模型试验,对比研究了非对称平行水跃和传统水跃的水跃特性,揭示了非对称平行水跃的消能机理,探究了其能量......
本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理......
实验表明,红外热成像技术可以有效地检查玻璃钢内部脱胶。对玻璃钢内部缺陷的检测来说,本方法优于其它常规方法。
Experiments sh......
提出了一种新型功率集成电路结构的设计方法。通过恰当的版图设计和利用垂直双扩散技术，可以在同一芯片上实现具有效强功率驱动能力......
扫描隧道谱研究半导体硅掺杂吴敬文，陈浩，丁德胜，陆祖宏，韦钰（东南大学生物医学工程系南京２１００１８）集成电路的集成度正以惊人的速度每年递增，目前......
同轴表面波激励器和微波等离子体炬是两种获得微波等离子体（ＭＷＰ）的装置，本文比较了用这两种装置获得的ＭＷＰ作原子发射光谱法光源时的分析性能......
针对ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ兼容集成结构建立了对接沟道ＮＭＯＳ晶体管工艺模型，根据其工艺模型，采用面向对象的Ｃ＋＋编程对对接沟道ＮＭＯＳ结构的杂质分布进行了二维数值模拟，给......
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度......
提出一种新型的Ｐ阱ＮＭＯＳ功率集成电路制作技术。理论分析表明，该技术可以较好地实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ与Ｐ阱ＮＭＯＳ电路的兼容集成。实验结果表明，利用该技术获得的器......
3.3.晶胞Aladdin晶胞是一种三晶体管设计,而不是以前所用的比较传统的四晶体管方案。这样做的目的是出于提高产额和读出速度方面......
对VDMOS－NMOS兼容集成结构击穿时的电场特性进行了二维数值模拟，模拟结果分析表明：在适当的器件几何尺寸与制造工艺条件下，对接NMOS的......
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
This art......
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
本发明提供一种用热脉冲测定材料样品横向热扩散率的系统和方法,该系统包括一个位于一正交坐标系统内、方向经过校正的样品;一台......
丹麦Topsil半导体材料公司建立了一条高阻率Si衬底新生产线。他们用浮区法生长高阻率Si单晶衬底。用于微波、毫米波领域。该公司......
面对市场对高效率电源的需求,工程师们无不急切期盼快速开关、低rDS(on)的功率MOSFET能有新进展。如今,一种新颖的厚底层氧化物工......
光学邻近校正 (OPC)系统要求一种精确、快速的方法来预测掩模图形转移到硅圆片的成像结果 .基于 Gabor的“降解为主波”方法 ,一个......
介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件,分析它们的结构、特点及参数的异同,为整机设计用户提供参考。
Introducing FAIRC......
飞思卡尔日前推出了超高效的射频功率晶体管MRF6P3300H,这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗,并降低运营成本。 M......
2月7日获悉,凭借第七代高压(HV7)射频LDMOS技术,飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器......
Freescale Semiconductor推出的大功率晶体管系列主要针对HF/VHF市场和2.45GHz的ISM(工业、科学和医疗)频段市场,采用高压射频功率......
飞思卡尔半导体公司成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器。这一成功标志着制造商的射频横向扩散金属......
本文研究了铝对稀土元素的非光谱干扰。为了解释这种干扰产生的机理,提出溶质挥发一横向扩散理论,为了抑制这种干扰的影响,设计了......
本文研究了Al—Cu 合金在定向凝固条件下的固液界面形态。对于每一固定成分,存在一个临界的G/R 值(?)(?)(mc_0(1-k_0))/(D·k_0)(?......
正确使用Li-6400进行森林土壤呼吸测定是保证测定精度的前提。本文以落叶松林为例,对Li-6400使用过程应该注意的问题进行了研究。......
使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset ,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.......
NXP推出针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(简称LDMOS)晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供达500W的射频输......
一、消能理论一股薄层的高速水流在空气中穿过时,因为空气的阻力,空气和水流的交界面上两种性質不同的質点的交混,以及水流内部質......
窄缝式消能工是近几年在国内开始研究应用的。它改变了过去在溢洪道消能设计中通常采用的横向扩散、降低单宽流量的设计方法。赤峰......
提出一种可以表征STI型LDMOS器件各个区域界面陷阱密度分布的测试方法——MR-DCIV,利用该方法得到包括LDMOS器件的沟道区、积累区......
水平畦田较宽，采用一般进水口由于未考虑水流横向扩散作用而容易造成灌水不均或深层渗漏，针对这一实际问题，提出“侧堰式田间进水口”......
如今,电子业正迈向4G的终点、5G的起点。后者发展上仍有不少进步空间,但可以确定,新一代无线电网络势必需要更多组件、更高频率做......
未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃,GaN逐渐成为主流,开始渗透一些批量需求......
在缓变型高能粒子事件中,利用空间中处于行星际不同经纬度以及不同日心距离的多颗卫星进行联合观测,人们经常发现不同的卫星观测到......
近些年,我国航空运输业依然保持快速而稳定发展的局面;然而,我国常年总体航班准点率低于80%,延误航班超过50万班次,几千万人的出行......
为了解决大石涧水库碾压混凝土重力坝消能区河床集中冲刷问题,结合连续式和差动式挑流鼻坎体形的优点研究提出了一种新型舌瓣型鼻......
蚂蚁要过冬了。虽然是高楼大厦,许多人家里还是三不五时出现一些蚂蚁,逛大街似地四处游荡,好像永远也赶不走,不管如何都杜绝不了。......
一.色料选择使用在文刺上的色料一般可分为两大类:化学类(化学品的染料与化学合成的食品色素)和非化学类(天然无机物与生物色素)......
