湿法腐蚀相关论文
磁控溅射法制备氮化硅薄膜具有工艺简单、粉尘少等优点,氮化硅薄膜在微电子机械系统(MEMS)领域中可用作腐蚀掩蔽层和力学结构层。以......
在经济和科技都在迅速发展的时代,人们的生活中出现了种类繁多的电子产品,这些电子产品广泛应用于通信、军工、教育、医疗等方面。......
湿法腐蚀是微机械加工技术中的关键工艺之一,具有腐蚀速率快、选择性和均匀性好、设备简单、可批量生产等优点,因此在微结构的释放......
碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体......
超表面是一种二维人工材料,由亚波长尺度的单元结构组成。它的出现实现了对电磁波振幅、相位以及偏振等特性自由而高效的调控。相......
柔性 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池可以继承 Ⅲ-Ⅴ 族太阳电池超高的转换效率和卓越的空间抗辐射能力,空间和地面上应用空间更为广泛,在太阳能......
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为K......
本文利用中频脉冲磁控溅射方法,采用重量2﹪的Al掺杂Zn(纯度99.99﹪)为靶材制备平面透明导电ZnO:Al薄膜,利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄......
介绍了采用迭代角谱算法设计衍射微透镜,并利用基于标准微纳工艺的单步光刻和湿法腐蚀制作出试验性衍射微透镜的方法。对其进行表面......
本文研究了一种新型的光波导阵列电光快速扫描器,分析了它的工作原理,分析了光波导阵列结构对输出光空间分布特性的影响,研究了器......
利用飞秒激光辐照结合湿法腐蚀方法,制备了高纵横比硅基狭槽。首先利用透镜聚焦飞秒激光至硅片表面,在硅内部诱导结构变化;再结合氢氟......
In the process of silicon wet etching, the SiO2 film formed by thermal oxidation is firm and compact, and it is an excel......
对柔性GaAs基太阳电池的制备方法进行研究, 报道了一种用于制备柔性倒置生长的AlGaInP/AlGaAs/GaAs三结太阳电池的剥离和转移方法......
开展了 InAs基 InAs/Ga(As)Sb II类超晶格长波红外探测器的湿法腐蚀工艺研究.选择的腐蚀液由柠檬酸、磷酸和过氧化氢组成,先后在In......
晶体材料微加工技术是制备微电子器件、微机电系统器件的关键技术。飞秒激光辐照结合湿法腐蚀加工技术不仅可以去除飞秒激光诱导微......
制备SiO2腐蚀溶液BOE,对SiO2湿法腐蚀速率和腐蚀形貌进行了剖析.首先分析了光刻工艺对SiO2薄膜纵向和横向腐蚀速率以及侧壁腐蚀形......
利用KOH湿法腐蚀法制备SiO2微悬臂梁时,发现腐蚀掩膜边缘与(100)硅片主参考面成45°角的微悬梁结构底部有未完全掏蚀和过完全掏蚀......
采用基于硝酸/氢氟酸/磷酸/硫酸混合液的湿法腐蚀工艺,实现了高吸收效率的黑硅结构的制备与工艺集成,获得了具有近红外响应增强效......
概述随着半导体技术的发展,在本世纪五十年代,就提出了集成电路的概念。这种电路,是在一个半导体片上,同时制作出若干器件,并在结......
本文介绍了一种LPCVD管的NF3现场清洗方法。与传统的方法相比,现场清洗可提高设备的利用率和产量,同时降低化学材料的损耗。通过附力......
InGaAs/InAlAs/InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀SelectiveWetEtchingforInGaAs/InAlAs/InPHeterostructureField-EffectTransistorsM.Tong等1引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
集成电路隔离技术概述(续Ⅰ)宋湘云编译6 全凹槽氧化物LOCOS工艺全凹槽氧化物LOCOS工艺已经在双极IC制造中得到广泛应用。在生长衬垫氧化物和淀积......
一、前言十多年前,我们从美国LFE公司引进了一台铬版等离子刻蚀机,它采用的主要刻蚀气体是三氯乙烯。作为设备的一个附件,三氯乙烯罐......
介绍了对SiGe/Si材料干法、湿法腐蚀的机理、腐蚀方法、影响腐蚀的主要因素,以及其在制造异质结晶体管中的应用
The mechanism of dry and......
本文报道了用反应离子刻蚀(RIE)与晶向湿法化学腐蚀(XWCE)相结合沿InP衬底(110)方向获得工作波长1.3μm的InGaAsP/InP双异质结激光器的腔面......
本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法.利用选择性湿法腐蚀,分别测出器件各主要部分的微......
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备GaAs/AlGaAs量子点的方法,并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性,从理论上给出量子点的尺寸分......
为制备A1/PZT/Pt/Ti电容,研究了采用SF6/Ar等离子体对Pb(Zr,Ti)O3及Pt/Ti底电极进行反应离子刻蚀(RIE)的技术.较系统地研究了RF功率,SF6/Ar流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对PZT及Ti进行......
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅......
中国科学院高能物理研究所以北京正负电子对撞机上的同步辐射装置为依托 ,从 2 0世纪 90年代初开始微细加工技术研究 ,主要以LIGA、准LIGA......
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、......
用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导 ,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和 1× 2 3dB多模干涉分束器 ,修正了有效折......
提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术.这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺,局部增加电感下方的氧化层厚度,......
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气......
介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较......
针对玻璃微流控芯片制作中普遍存在的成本高、加工周期长等问题,提出了一种基于湿法腐蚀技术的低成本、实用化制作方法。该方法以......
采用含异丙醇(IPA)的TMAH溶液腐蚀经Si_3N_4掩膜形成10μm×10μm窗口的单晶硅片。在硅片表面得到了内壁光滑的倒金字塔V型口阵列.......
介绍了一种利用盐酸、磷酸混合液对不同Al组分(AlxGa1-x)0.5In0.5P的选择性腐蚀特性对倒装AlGaInP红光LED进行表面粗化的方法。通......
介绍了In0.17Al0.83N在质量分数10%的四甲基氢氧化铵(TMAH)碱性溶液中的腐蚀行为实验研究。通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微......
采用化学湿法方法对红光LED的p-GaP层进行腐蚀,研究了不同溶液、不同的溶液配比以及不同的腐蚀时间对LED光电性能的影响。结果表明......
微构龙科技(MST)致力于氢氟酸气相腐蚀工艺配套装置的研发和生产。氢氟酸气相腐蚀是介于干法腐蚀和湿法腐蚀之间的一种腐蚀薄二氧......
采用熔融态的KOH对AlGaInP基红光LED外延片进行了表面粗化处理。研究了粗化温度、粗化时间对LED外延片表面形貌的影响,并利用原子......