施主浓度相关论文
对多孔半导体陶瓷的湿敏机理做了定量分析．我们把整个湿度范围分成高湿区和低湿区，针对不同的湿度区，建立了两种不同的电导模型．通过理......
提出了一个关于氧化物半导瓷晶界势垒起源的新观点，认为晶界势垒起源于烧结过程中外界氧在晶界中的扩散，与材料的结构、化学缺陷、掺......
首次建立了ＲＥＳＵＲＦ二极管的低温优化模型，推导出７７Ｋ～３００Ｋ范围内击穿电压和漂移区长度的优化公式，给出了一定耐压下最小漂移区长度随温度的变化曲线。......
从理论上对n~(+)在p上和p在n上的HgcdTe光电二极管的性能再度进行了分析。假定光电二极管的性能是由于受俄歇机理控制的热发生的结......
研究了气敏电导次方定律的指数和灵敏度随薄膜样品膜厚的变化、随温度的变化；气敏电导响应时间和恢复时间随膜厚的变化、随温度的变......
建立了被吸附水包围的晶粒与含水蒸气的空气镶嵌于元件内的理论模型，并用Ｍａｘｗａｌｌ－Ｇａｍｅｔｔ理论和有效介质理论给出了描写元件阻湿特性的方程，在考虑了......
报道了ｎ型Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ光电导体的变温材料参数与性能参数的对照关系，并讨论了材料的锭条参数与小芯片霍耳参数的差异，得到一组光电导的实验优化数......
本文介绍金属氧化物气敏特性研究的概况，以及我们最近完成的两个理论框架：①反应动力学理论；②扩散反应理论．
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本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂......
应用电容电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的ｎ型Ａｌ掺杂ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ外延层深中心．Ａｌ掺杂ＺｎＳ０９７７Ｔｅ００２３的光致荧光强度明显低于不掺杂的......
在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光......
以超高纯Ｔｅ 和重复区熔法获得的超高纯Ｃｄ 为原料，用改进的气相物理输运法制备了高质量的ＣｄＴｅ单晶．改进的ＰＶＴ 有效地抑制了生长安瓶封装时产生的......
以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂，添加适量稳定剂制成稳定溶胶，用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３ 基片上制备ＴｉＯ２ 薄膜，经１０００℃Ｈ２ 气氛下还原制得ＴｉＯ２－ ｘ薄膜．最后在氯......
采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5 3×1......
利用 N_2激光器作为激发光源,测量若丹明6G(Rh6G)和 N,N′-二甲基噻碳菁碘盐(DMTC)不同浓度混合的乙醇溶液的荧光光谱,证明 Rh6G-D......
本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和......
一前言近年来,电子工业的飞速发展,不断对硅单晶性能提出新的要求,特别是改善硅单晶电学参数的稳定性,已成为突出的质量问题之一......
研究了不同气氛下(空气、氧气和氮气)248nm准分子激光辐照对ZnO薄膜光致发光谱和电学性质的影响;采用高斯线形对不同气氛下激光辐......
具有宽可见光吸收的钙钛矿型LaTiO2N和LaNbON2半导体光催化材料,对于提高太阳能的利用效率具有非常重要的作用。然而,这两种材料在......
介绍了一种新型半导体电阻温度计，该温度计由掺锰的ＩｎＳｂ单晶体制成。它们已被用来测量０．０１Ｋ到３５０Ｋ的温度，且显示出高的灵敏度、低电阻率和良好的重......
通过利用控制衬底和源的温度的真空蒸发工艺,在云母衬底上沉积InAs薄膜已经实现了。这种大晶粒薄膜被发现具有最佳的电学性能。在......
直拉硅单晶中新施主(ND)的形成不仅依赖于其氧含量,而且为碳的存在所促进;此外,原生晶体中的微缺陷也起非常重要的作用。我们求出......
研究了Al_2O_3掺杂对ZnO压敏电阻电性能的影响。对掺Al_2O_3的ZnO压敏电阻的缺陷模型进行了分析,结合缺陷分析和压敏电阻非线性导......
本文研究了钛以不同的复合物加入时，对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验在明，不同的复合物掺杂对ＺｎＯ压敏电阻器电性能影响规律不同，当钛的复......
采用真空镀锡膜、锡膜氧化，浸泡掺杂的方法研制了掺ＭｇＯ的ＳｎＯ＿２薄膜气敏元件，在对乙醇、丙酮等八种气体的测试结果表明：ＭｇＯ－ＳｎＯ＿２元件提高了对乙醇的灵敏......
在 n 型砷化镓外延层的汽相生长中,硫是一个常用的掺杂剂。最简单的方法是用硫化氢作为汽相掺杂剂。用氢稀释的这种气体可以购买......
本文研究了离子注入MES FET的性能与离子注入能量和剂量的关系,包括衬底中深能级陷阱浓度的影响。采用了LSS理论与一种分布模型来......
Ge(Li)-γ射线探测器具有很高的能量分辨率,它对锗材料的质量要求较严,其中氧含量就是一个重要参数。一方面氧与锂形成相对不可动......
采用一个能解释电子能量弛豫效应的两维模型,研究了栅长、有源层厚度以及缓冲层电流对短栅长GaAs FET的静态和射频参数的影响。对......
一、器件制造已有一种工艺用于在InSb上制造多层金属-绝缘体结构,并已能制造InSb CCD、多元MIS探测器阵列、MOS场效应管和其他MIS......
一、引言离子注入后退火的控制气氛技术(CAT 或非密封)提供一种有用的方法,可以激活注入的离子和降低离子注入引起的晶格损伤。该......
首次在“原生态”中(而不是在富汞气氛下)经过一般的生长后退火处理,获得了具有低载流子浓度和高载流子迁移率的n型Hg_(1-x)Cd_xTe......
引言Hg_(1-x)Cd_xTe是一种半导体,它被广泛的用作1到30微米范围的红外探测器材料。它有两个主要的优点:首先它是一种本征半导体,......
本文报导了寿命不少于10~4小时的ZnSe发光二极管的制备,而早先的ZnSe肖特基二极管苦于在工作几十小时后就衰减了。发光二极管的老......
对两种亚毫米波GaAs探测器进行了研究;对直流偏压及微波偏压GaAs光导探测器进行了比较和评价。微波偏压所呈现的主要特点是带宽比......
陷阱的存在对发光二极管的发光效率和其他性能有决定性的影响。检测发光二极管中的陷井能级并研究其性质,一直是发光二极管的重要......
本文给出了不同原始材料状况、不同中子辐照剂量对FZ(H_2)硅中氢施主产生的影响和经长时放置的中子掺杂FZ(H_2)硅的退火行为,提出......
已研制成功摄象机用的光探测器。它是一种具有浅p-n结的光电二极管。在n~+-GaAs衬底上,汽相外延生长的n-GaAs_(1-x)P_x层里形成p-n......
制成了GaAlAsSb异质结低漏电流光电二极管。在20V反向偏置时,这种器件的漏电流为7～9nA(25～35μA/cm~2),电容约1PF。器件是采用Be离子......
使用了一个可控液相外延的新方法用于固体器件所用的砷化镓的生长。该方法利用在村底-熔体界面的 Peltier(热电)冷却(通过流过界面......
