异质外延相关论文
金刚石作为一种超宽禁带半导体，是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而，高品质、大面积（大于2英寸）单晶衬底的制......
期刊
作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga......
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情......
在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素.但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失......
期刊
金刚石因其极佳的物理化学性质,可应用于各种高端的科技领域,单晶金刚石,特别是大尺寸、高质量的单晶电子级金刚石,更是由于结构完......
学位
随着Si基器件发展遇到瓶颈,具有更优异性能且与Si基CMOS工艺良好兼容的Ge基器件展现出了应用于集成电子与光电子领域的广阔前景.然......
本文通过实验,对影响蓝宝石单晶衬底片的质量参数进行了进一步的研究,对单晶控制,切割技术,研磨工艺和抛光工艺进行改进,以期取得......
采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从......
GeSn合金材料性质优良,由于具有高电子迁移率和能带可调节的优点,近年来在硅基微电子和光电子学领域里备受关注.然而在Si衬底上外......
报道了一种Si基长波长、窄线宽光探测器。该探测器采用异质外延生长技术, 首先在Si衬底上生长高质量的GaAs基滤波器, 接着生长InP......
利用低压金属有机化学气相沉积技术, 开展InP/GaAs异质外延实验。由450 ℃生长的低温GaAs层与超薄低温InP层组成双异变缓冲层, 并......
用低压金属有机物气相外延(LP-MOCVD)技术,采用低温缓冲层生长法,在GaAs(100)衬底上直接生长了高质量的InP外延层。12 μm InP(0......
氮化镓(GaN)作为一种代表性的宽禁带半导体材料，因其优异的光电性能和稳定性，十分适合制备光电子器件和微波射频器件，在照明与显示、5......
宽禁带半导体具备禁带宽度大、电子饱和飘移速度高、击穿场强大等优势,是制备高功率密度、高频率、低损耗电子器件的理想材料。碳......
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......
采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅（111）衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌......
利用化学气相淀积（CVD）的方法在AlN／Si（111）复合衬底上成功实现了4H—SiC薄膜的异质外延生长，用X射线衍射（xRD）、扫描电子显微镜（SEM）、阴极......
采用晶体相场模型模拟了异质外延过程中不同衬底倾角时外延层的生长过程,研究了较大晶格错配度(??10.0)时不同衬底倾角下外延层的......
通过计算机辅助技术,采用晶体相场法模拟了不同时间步长,不同衬底倾角,不同界面曲率下异质外延的生长演化过程,结合外延层生长时的......
本文报导了用常压ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡｓ衬底上生长ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＳｂ和ＡｌＧａＡｓＳｂ异质外延材料的实验结果。研究了生长条件和材料质量的相互关系，优化了生长参数。首次采用......
本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化......
本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单......
报道了一种采用锗硅异质外延制备硅量子线的新方法。在超低压化学气相淀积外延生长Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构基础上，采用光刻和反应离子刻蚀技术形成......
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设......
利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）系统地研究了Ｃ６０薄膜在ＧａＡｓ（００１）表面的异质外延生长．在ＧａＡｓ（００１）２×４β相表面，观察到Ｃ６０薄膜以非密排面进行生长，并在生长中有结构相变产生......
在加衬底偏压和不加衬底偏压两种情况下，用微波等离子体化学汽相沉积（Ｍ３ＶＣＶＤ）技术在Ｓｉ（１００）衬底上合成了织构的金刚石薄膜使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和取向......
本文用氢气、丙酮作为气体源，用微波等离子体化学气相沉积方法，在ＣＢＮ单晶的（１１１）晶面及单晶硅的（１００）晶面上进行了金刚石薄膜异质外延生长的研究。......
本文采用了以解理面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了InxGa1-xAs（衬底为GaAs，x～0．1）外延层的应变及其弛豫状态．在以解理面为衍射......
激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常......
描述了用低能电子衍射(LEED)研究不同温度下在Si(100)-c(8×8)表面吸氢引起的一系列相变过程。实验发现:在液氮温度下,在Si(100)-c......
用常压ＭＯＣＶＤ在Ｇｅ衬底上外延生长了ＧａＡｓ单晶层，研究了ＧａＡｓ和６ｅ的极性与非极性材料异质外延生长，获得了质量优良的ＧａＡｓ／Ｇｅ外延片，ＧａＡｓ外延层Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高......
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度......
1996年6月在瑞士阿尔卑斯山胜地举行的第一届GaN会议（EGW－1）吸引了140余名访问者。技术节目共有64篇自投论文、3篇特邀报告，还有一个有......
较为详细地叙述了可见光ＬＥＤ的进展，包括发展趋势、蓝色ＬＥＤ、超高亮度ＬＥＤ的研制及应用领域的拓宽
Described in more detail the progress of......
该器件在一H终止的SiC晶体(镀膜的硅衬底)上有一层GaN膜层。Si衬底上接连镀有第一层SiC晶体、Si晶体、第二层用H限定的SiC晶体以......
ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文......
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单......
本文阐述了用ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ技术研究异质外延ＧａＮ及其三元合金薄膜的重要性和必要性，报道了实验测量出的ＧａＮ及其三元合金ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ膜的结构，给出了较为准确的元素......
利用自行研制的超净低温低真空化学气相外延系统，应用锗烷和硅烷气体，在２ 英寸到３英寸的衬底硅片上生长了锗硅异质结外延层。在６６５ ℃，６１０ ℃......
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射......
对铁电薄膜所具有的铁电、热释电特性进行了研究，在此基础上设计出了热释电系数测试系统。ｐＡ级电流放大器是测试系统的设计重点，而其输......
[本刊讯 ] 宽能带隙ＳｉＣ属于第三代半导体材料。ＳｉＣ器件具有比硅器件或ＧａＡｓ器件更为突出的优点 ,诸如更高工作频率 ,更大的功率 ,更高的工作......
日本NTT光电实验室的研究人员演示了一种以双InGaAs/InP-GaAs/AlAs分布式布喇格反射器为基础的1.55μm输出垂直腔表面发射激光器(V......
