跨导相关论文
本文从热载流子效应引起器件特性退化角度出发,对几种不同沟长n沟MOSFET的主要特性参数(线性区最大跨导)在直流电应力下的退化特性......
通过研究￣（６０）Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ的跨导衰降之间的依赖关系。试验......
通过研究６０Ｃｏγ射线对ＭＯＳＦＥＴ的线性特性和输出特性的影响，定性地描述了氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态增加分别与Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ和Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ的迁移率μ退化、跨导ｇｍ下降以及输出......
多年来,跨导放大器由于受性能限制,只适合用于少数场合。但最近MAXIM公司开发的MAX,135和MAX436却扩展了跨导放大器的应用范围,其......
MC1596是一种四象限双差分单片集成“变跨导”模拟乘法器,其主要功能是实现两个信号的相乘运算.当MC1596的一输入端加有载波开关信......
低功耗ＢＩＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器日本ＮＥＣ公司在今年的国际固体电路会议上发表了一个只用一节电池（０．９～１．５Ｖ）工作的８ｍｗ、８位１５ＭＨＺ采样速率的Ａ／Ｄ转换器。该器件是一个４级流水线型分......
对 AlN/GaN HFET.的低频跨导和输出电阻随温度的变化关系进行了检测,发现了由 GaN 沟道层中陷阱作用引起的分散特性,陷阱的激活能......
成功地制作出了常断 GaN 基 MODFET(调制掺杂 FET)。该器件的栅长和沟道长度分别为3和5μm,其非本征跨导高达120mS/mm,在正栅偏压......
ＩｎＰ基谐振隧道ＨＥＭＴ（ＲＴＨＥＭＴ）倍频器最近，日本ＮＴＴ实验室报道了一种采用简单电路的室温工作的倍频器，这种电路由负载电阻器和谐振隧道ＨＥＭＴ组成。ＲＴＨＥＭＴ是将ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ赝配谐振隧......
据《电子材料》1995年第3期报道，日本东芝公司采用0.0015μm超薄膜的栅氧化膜，研制成世界最高速的MOS晶体管，并可在室温下工作。该晶......
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层......
报道了在光照下具有高跨导值(高达64mS/mm)的1μm栅 Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN 异质结构场效应晶体管(HFET),解释了光照下器件跨导......
本文给出了一种具有最少元件ＧＦＬＦＯＴＡ－接地电容滤波器，其中所有内节点均通过一电容接地。任何种类任何阶电压传输函数均可由该结构实现，设计公......
本文借鉴低频电路中用电流传送器综合低频有源电感的思路提出一种设计微波有源电感的新方法.根据这种方法.获得了八种微波有源电感......
研究跨导型放大器输入端及输出端可灵活扩展的特性，包括输入端和输出端扩展基本原理和方法及多输入端跨导型放大器主要性能并经ＳＰＩＣＥ模拟......
建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质．通过自洽求解薛定谔......
本文提出了一种通用的、从Ｓ－域传输函数入手进行模拟集成电路结构级综合的方法，并详细地讨论了提高电路性能和合格率的电路技巧。此外......
提出一种高阶全极点跨导电容带通滤波器设计方法．基于系统函数的直接模拟，得到了具有少有源元件的全极点带通滤波器．该滤波器与ＭＯＳ工艺兼......
本文通过对跨导式放大器工作原理的介绍，阐述了用其构成稳流源的方案先进性。文中还介绍了一个稳流源具体电路的设计技巧及所达到的......
利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响；发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较......
研究了ＯＰ－０７双极运算放大器在８ＭｅＶ、１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数的变化规律．结果表明，由......
提出用FET实现四种高性能的微波有源电感基本电路结构，通过分析各个电路的特性表明，这四个有源电感均是低损耗或无损耗的。另外还选......
本文研究一种“反程序”辐射加固工艺，将所有的高温处理过程放在栅氧化之前，并使栅氧化后续工艺低温化，在此基础上，采用“反程序”辐射......
提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有......
回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。
The research progress of GaAsFET l......
本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好......
通过对绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）直流参数温度特性的测试分析并与ＶＤＭＯＳＦＥＴ进行比较，从中得出ＩＧＢＴ能够承受更大的电流密度，其导通压降在高温下较之ＶＤＭＯＳＦＥＴ有较大的......
跨导型集成运算放大器随着电流模式信号处理方法的兴起再次引起人们的注意，其电路设计和应用正在成为一个活跃的研究领域．分析了跨导......
提高电子管工作效益，延长使用寿命罗斌湖南人民广播电台邵阳转播台我们提高电子管工作效益，延长其使用寿命的几项措施是：１保证水质、水......
楔形发射体的有效发射面积较大，能够承受较大的发射电流，并产生较高的跨导，因而更适用于大功率微波放大器。用有限元法对器件的性能进......
报导了由CMOS跨导运算放大器（CMOSOTA）和电容（C）实现的双二次可变迟延均衡器，其迟延曲线形状和最大迟延频率可分别由各自控制电流调节。......
半导体技术的发展,使所有其他技术都相形见绌,它作为数字化革命的核心与基础,改变了所有电子产品的发展方向,并因此叩开了知识经......
ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数，从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的......
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现ＩｎＡｌ（Ｇａ）Ａｓ∶ＩｎＰ和ＩｎＧａＡｓ∶ＩｎＡｌＡｓ的选择腐蚀，达到了较好的效果，且工艺重复性好。同一单片上ＭＳＭ（金属－半导体－金属）光探测器的......
音频在信号进入功放前进行预处理，这已成为了业界的共识。电子管前级的打造简单，花费又不高，而且用其与电子管功放或晶体管功放搭配能......
本文对多晶抬高源漏（ＰＥＳＤ）ＭＯＳＦＥＴ的结构作了描述，并对深亚微米ＰＥＳＤＭＯＳ－ＦＥＴ的特性进行了模拟和研究，看到ＰＥＳＤＭＯＳＦＥＴ具有比较好的短沟道特性和亚阈值特性，其输出电流和跨导......
用时变分析法对变频效率进行分析，得出了晶体管变频器的最佳静态工作点．
Using time-varying analysis of the frequency conversio......
本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管......
本文在开关电容积木块分析方法的基础上，对开关电容网络中存在的噪声源及对网络噪声的贡献进行了讨论，推导了运放和开关的等效噪声模......
本文介绍了一种新型定增益运算放大器的特点及性能。该类放大器具有小尺寸、设计简单等特点，适用于便携式产品等应用。
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