反向击穿电压相关论文
随着半导体分立器件技术的不断发展,中国已经成为世界上分立器件的制造大国。分立器件的测试需求大大增长,对测试机的需求也急剧增......
反向击穿电压是反映LED芯片特性的重要参数,通过对比成管在老化一定时间后漏电流的变化,发现反向击穿电压低的芯片封装的成管更容易......
反向击穿电压是半导体元件的重要参数之一,它直接关系到管子的安全使用问题。利用晶体管图示仪,虽然可以测量电子元件的反向击穿......
本文利用PtSi/n-Si接触试制成一种新的肖特基势垒二极管,其反向击穿电压一般在15V以上,最高达到35V。测试了它的I-V特性,并与理论计算结果进行了比较和分......
有问有答?问1;一台金星*54的型彩电一开机便处于待机状态;无光无声,测量主电压为零。经检查电源部分务元器件似都正常,只有个光电用合器wa5(*贴8泅......
一种将先进的微电脑技术融合于传统的测量方法中而生产出的新型智能测试仪器——光开关、光耦合器件测试仪由苏州新区力通设备成......
SVS-252C型变频器是日本三肯公司早期的产品,指标为:输入单相电压220~230V,频率50~60Hz,输出三相220V,功率2.5kVA,配接电机1.5kW。......
一、晶体三极管的结构晶体三极管由三个区二个PN结构成。因为三极管的二个PN结可有两种组合方式,即NPN型[图1—a]和PNP型[图1—b]......
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅GaAsMESFET场效应晶体管的工艺技术.首次使用Mo/ZrN作为复合栅的材料,AIN薄膜作为器件介质钝化层......
从RMOS器件的导通电阻模型出发,通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系,得出:减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度,可以降低器件的......
本文主要报道InP光波导和InGaAs-PIN光电探测器的单片集成,包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份.器件的结构和制作方法较为简单,而代表器件性......
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素,通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布,得到了镓硼管低......
根据改进的超突变结变容管掺杂分布模型所得到的电容电压方程,对电容变化比较大时变容管的C-V曲线可能出现拐点这一现象进行了深入的研......
本文结合实例介绍电容在电子电路中的作用。为方便定量分析,引入公式x_c=1/(2πfc)。式中x_c为电容器的容抗,反映电容器对电流阻......
半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支,高反压台面晶体管关键工序玻......
为提高GaAsMESFET静电放电失效阈值,通过ESD实验前、后直流参数和热分布变化获取不足10%的器件表现为永久性失效,而90%以上的器件表现为潜在性失效的结果......
介绍了单管 5 W 大栅宽多胞微波砷化镓 M E S F E T 器件的优化设计、关键工艺技术的创新、器件特性测试等,特别是器件具有高反向击穿电压......
本文介绍了高压硅堆二极管测试与印字流水线实时控制系统,该系统利用自行研制的高压测试仪测试高压二极管的反向漏电流,利用三菱公司......
耗尽基区双极晶体管也称为双极静电感应晶体管(BSIT),其电流放大系数(hFE)具有负的温度系数.双极结型晶体管(BJT)的hFE具有正的温度系数.将BSIT与BJT并联,采用BJT常规......
利用ECR-PECVD技术将Si3N4薄膜成功地应用于UHF大功率晶体管浅结芯片中的钝化膜,使芯片电特性有较好改善,完全避免了芯片后加工工序中......
1 二极管的结构具有一个PN结的半导体器件称为半导体二极管,简称二极管。在PN结的N区和P区分别引出一个电极,再用金属、塑料或玻......
对新型半导体器件——双注入结型场效应管的电流-电压特性进行了详细分析,并得出解析表达式,为该器件的设计和应用提供了理论依据。
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三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性- 通过产品统计分析与实验研究,找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、CE 反......
2.晶体三极管的主要参数晶体三极管参数是用来表示晶体管特性和范围的,因此选用晶体管时必须了解它的主要参数。晶体三极管主要参......
实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。......
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶......
利用冠醚对金属离子所具有的选择性络合作用,用于晶体管生产中硅片表面的清洗,取得了初步结果。经冠醚的甲苯溶液处理过的晶体管,......
研究了低压化学气相淀积方法制备的 n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管 (HJD)在 30 0~ 4 80 K高温下的电流密度 -电压 (J- V)特......
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生......
提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法 ,并通过MPW在charted 0 35 μm工艺中实现 .为了减小串连电阻 ,肖特基的版图......
1.二极管的外形自然界中的物质,如金属中的金、银、铜、铁、铝及非金属中的石墨、碳等,它们对电流的阻力很小,具有良好的导电本领,......
这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器,其测量范围为0~1000V,可满足一般测量要求。1.电路原理晶体管反......
1.带阻尼行输出管的检测用万用表R×1Ω档,测量发射结(基极b与发射极e之间)的正、反向电阻值。正常的行输出管,其发射结的正、反向......
LED发光需要电流,电流一般是通过一个电源流至LED。典型的LED驱动电路会用一只晶体管来提供电流,一只串联电阻用于降低LED上施加的......
图1中的简单晶体管测试仪可以判断出晶体管的类型,并且能帮助检测出晶体管的发射极、集电极和基极。其方法是检查被测晶体管三个端......
利用MOCVD方法在蓝宝石(0001)衬底上生长PIN型AlGaN/GaN外延材料,研制出背照式AlGaN基PIN日盲型紫外探测器,用紫外光谱测试系统和......
汽车用混合式集成电路调节器的发展过程中,随着输出级功率管饱和电压降的下降和反向击穿电压的增加,为了经受温度周期变化,因此进......
采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向......
利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺......
在CMOS集成器的使用过程中,容易在输入端出现破坏性电压,为保护电路不易损坏,需要在电路前端添加保护电路。根据CMOS集成器的输入......