硅栅相关论文
从ＣＭＯＳ到ＨＣＭＯＳ曾庆贵半导体成电路的发明是２０世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作，因此有人称之为硅集成电路。现在也有......
基于电流跟随器和负反馈原理，并结合电流镜像与虚地技术，得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的１２０ｋＨｚ～８ＭＨｚ恒定带宽，增益０～６０ｄＢ可调，最高稳定工作频率５ＭＨｚ，功......
本文论述了双栅ＭＯＳＦＥＴ的特性和工作原理，简单介绍了Ｎ沟Ａｌ双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构设计和制造工艺
This article discusses the characteristics and worki......
BL1101系列电路是由上海贝岭微电子制造有限公司采用硅栅 CMOS 工艺制造的电话机专用拨号集成电路,能输出双音多频(DTMF)或脉冲(P......
沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏......
本文研究了n型硅阳极化的高选择和自终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构．采用这种FIPOS（FullIsolationbyPorousOxid......
本文介绍了一种用遗传算法结合宽度搜索技术对栅阵列布局设计优化的新方法。由于栅阵列布局是一个排列问题，传统的遗传杂交会导致栅......
利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）、二次离子质谱（ＳＩＭＳ）等表面分析手段，对硅栅ＭＯＳ结构Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面进行分析，发现该界面不是突变的，存在着成份过渡区．根据多晶硅薄膜的成......
采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源......
分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压倍增器模型．用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等......
提出一种完全新型的ＶＤＭＯＳ－ＮＭＯＳ全兼容功率集成结构的设计方法．该结构采用与ＶＤＭＯＳ工艺兼容的对接（ＢｕｔＪｏｉｎｔ）沟道结构形成ＮＭＯＳ器件，利用ＶＤＭＯＳ工艺中ｐ＋区反刻过程形成ＮＭＯＳ器件的有......
通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧......
在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与......
本文描述了一种微电子工艺制造中的切割曝光技术，用这一技术在一台Ｇ线投影曝光机上制备出深亚微米图形．由此进一步研制成功０．２５μｍＰ＋多晶硅栅......
本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I—V技术分离氧化物......
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应，对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应......
亚特兰大——AC米兰 亚特兰大本赛季已沦落到意甲谷底,四轮比赛仅拿到一分,保级成了他们现在最大的任务。AC米兰这个赛季简直是神......
文章指出了电路版图设计规则检查中经常遗漏的项目，并给出了编写检查这些项目的语句及技巧。就如何编写一个好的设计规则检查指令文......
东芝公司的研究人员认为，２ｍｍ以下的薄栅介质是开发高性能晶体管的最佳材料。这意味着栅材料从现在采用的重掺杂多晶硅栅和ＳｉＯ２栅氧化层向金......
提出并演示了一新型的低成本亚 5 0纳米多晶硅栅制作技术 .该技术的特点是它与光刻分辨率无关 ,即不需要高分辨率光刻技术 .纳米尺......
体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断......
本项目涉及当今最先进的可控硅技术,主要特点:一是可实现触摸开、关(快触332ms时)无机械动作,无电弧无噪声。二是触摸式功率调节(......
LDMOS 功率管工作在线性区时,R_(DSon)取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准LDMOS 功率管漂移区的一端与栅极没有......
介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件,分析它们的结构、特点及参数的异同,为整机设计用户提供参考。
Introducing FAIRC......
对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高......
2005年3月30日,西北惟一的大规模集成电路制造企业——西安西岳电子科技有限公司的6英寸集成电路芯片生产线在西安高新技术产业开......
富士通计划在2006年制造同时采用高k介质和金属栅的低功耗器件,这大约比发展规划提前一年。富士通的先进LSI研发主管 Toshihiro Su......
瑞萨(Renesas)公司宣布开发出一种具有低成本制造能力的极高性能晶体管技术,该技术用于45nm及45nm以下的微处理器和系统级芯片(SoC......
日本瑞萨科技为计划在2008年投入量产的45nm工艺SoC(系统级芯片)开发出了低成本CMOS技术。通过采用在pMOS中使用金属栅、在nMOS中......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超......
研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功......
用CMOS集成电路装出的整机获1978年全国科技大会奖,并参加了南极考察,经受住了考验。任务下达1973年,西安风雷仪表厂电子车间接到......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头,不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言,在提供的产品方面,Global......
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率......
针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCO......
基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,......
为提高绝缘体上硅材料(SOI)中的埋氧层(BOX)的抗总剂量辐射能力,采用离子注入方式,使用氮氟复合注入,对材料的BOX进行了离子注入改......
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比......
