扩散工艺相关论文
二氧化硅乳胶是一种新型的液态扩散源。为满足需要,本所除研制并生产掺杂单个元素的乳胶源外,还研制出几种掺杂双元素的二氧化硅......
从协调快速晶闸管主要参数之间矛盾关系、降低功率损耗以及并联均流应用等方面,论述了改善快速晶闸管通态特性的重要意义。在影响......
利用Zn扩散形成非吸收窗口技术,制备了大功率红光660 nm半导体激光器。对封装后的器件进行电流电压(I-V)特性测试。由于材料本身串......
一、前言 SiO_2乳胶扩散源的出现,开辟了氧化扩散工艺的新领域,由于它具有一般固态,液态源扩散所没有的一系列优点,可以它的出现......
随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断地改善。本文以扩散工艺为例,同时在计算机上采用SUPREM-Ⅲ软件进行扩散初......
本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得......
有关片状磷源扩散性能,以及在器件扩散工艺中应用情况,国内外已有不少文章报导。虽然这种扩散源工艺上还存在不足之处,但已被公认......
本文叙述了硼微晶玻璃片(国外简称为 Boron~(+TM),国内简称为PWB)在硅微波低噪声浅结平面型晶体管扩散工艺中的使用方法和系统的几......
本文介绍了一种用固态磷扩散源作磷扩散的工艺方法与反应机理,工艺设备及扩散条件与结构参数的关系,同时实验地确定了该扩散工艺方......
一、引言 扩散是硅平面工艺中必不可少的工艺手段,在半导体器件生产中占有非常重要的地位。随着电子工业的发展,作为掺杂剂的扩散......
在半导体器件工艺中,多数情况是在硅衬底中掺 p 型或者 n 型杂质形成 pn 结。而最基本的 pn 结形成方法,一般采用杂质的热扩散法......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
我们对隔离、基区制备两道工序,以相同条件进行低温预扩散,通过调整再分布的条件,获得隔离的深结和基区的浅结.此工艺减少和简化......
本文介绍了为克股液态铝源缺点而开发的陶瓷片状铝源的制备,有关性质及扩散工艺实验,并给出了初步实验结果.
This paper introduc......
用腐蚀剥层并结合阳极氧化染色和磨角阳极氧化染色两种方法测试了半开管扩散InSb器件p-n结的结深.两种测试方法结果基本一致。通过......
TiNi形状记忆合金和纯钛由于其优良的性能而受到广泛关注,尤其是Ti Ni合金薄膜由于具有形状记忆功能而广泛的应用于微驱动行业,而......
随着科技水平的提高,人类对可再生能源不断深化认识,尤其是太阳能的开发和利用日益受到人们的重视。单晶硅太阳电池因其在转换效率......
对LN晶片进行了Sr2+扩散的实验研究,研究表明,LN晶体的Sr2+扩散宜选择LNLi:SrO=80:20的陶瓷粉为扩散源,于950℃下扩散25h。Sr2+扩......
晶体硅太阳电池制作过程中磷扩散工艺对其电学性能存在一定的影响.本文通过Silvaco软件对单晶硅太阳电池的一步扩散和两步扩散进行......
本文通过生产实际案例，研究了SPC质量管理工具在半导体磷扩散工艺中的应用，运用SPC控制图判断准则，对生产过程中的质量异常情况进行了......
在低成本、两种纯度的P++颗粒硅带衬底(SSP)上,采用RT化学气相沉积(CVD)技术制备了多晶硅薄膜电池.无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备......
作为制备晶体硅太阳电池的核心技术,扩散后方块电阻的均匀性显得非常重要。通过对现有晶体硅太阳电池扩散工艺进行改进,提出一种间......
M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉用于晶体硅太阳能电池片扩散工艺,具有全自动化、高产能、减压扩散等特点,介绍该型号设备结构组成及......
为满足军工企业快速扩散制造模式下对工艺快速反应能力的需要，提出了扩散工艺数据管理的框架，对其关键技术进行了研究。结合某航天企......
针对低成本、易操作和安全无污染的半导体掺杂要求提出了一种选择区扩散掺杂方法。利用电子束曝光光刻开窗,采用改进的二氧化硅乳......
扩散工艺是制作半导体的关键结构PN结的一种常用方法。本文在介绍了扩散的定义、扩散工艺在半导体生产过程中的作用原理和应用范围......
通过不同扩散工艺实验,研究了热浸渗铝钢的抗氧化和剥落性能及其机理.结果表明,随扩散温度升高和时间延长,扩散层的空洞不断增加,......
本文通过不同扩散工艺制备了Cu-Zn-Fe合金粉末,并对粉末的物理性能进行了检测,结果表明颗粒结构和颗粒形貌是影响粉末松装密度、流......
通过对热浸镀铝的20号碳钢进行不同扩散工艺试验，研究了渗铝层在800℃氧化过程中的组织形貌变化和抗氧化性能。结果表明，当扩散温度......
日立金属自1983年起涉及钕铁硼稀土永磁材料的专利申请共1113项,近年日立金属对中国市场非常的重视,通过分析发现其近年在中国重点......
<正> 季华,中芯国际存储器技术开发中心助理主任,负责 MTD部门模组工艺开发,目前专注于90nm、110nm 和130nm 技术(DRAM.Flash 等)......
本文结合作者在集成电路创造工艺中应用计算机辅助设计（以下简称：微电子工艺ＣＡＤ）所做的部分工作，着重介绍了目前较为成熟、且使用越来越广......
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<正>1.TVS二极管的介绍:TVS是由硅通过扩散工艺形成P-N结的半导体二极管器件,包含有齐讷击穿（低压）和雪崩击穿（高压）击穿机制。主要用......
利用TCAD中ATHENA半导体工艺仿真软件模拟了N型叉指背接触（IBC）单晶硅太阳能电池,采用ATLAS研究了不同电阻率情况下,N型硅片衬底厚度......
就太阳电池制备工艺而言,人们一直致力于传统工艺的优化和新工艺的开发,希望能够进一步实现电池转换效率的提高和生产成本的降低。......
在工业化晶体硅太阳能电池工艺中,丝网印刷技术一直都是研究的重点。丝网印刷分为电极工艺和烧结工艺。电极工艺主要作用是电极的......
目前，能源和环保是世界两大热点。随着经济的发展、社会的进步，人们对能源提出越来越高的要求，寻找、开发新能源成为当前人类面临的迫......
作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小......
泡发射极浅扩散工艺已成功地应用于ECL电路制造中。选用简便的Ti-A1金属化可解决EB结退化问题,并且VBE能满足电路的重负载求要。适......
主要研究电池片生产过程中不同扩散工艺、扩散温度，以及扩散方式对发黑单晶硅片产生的影响，使用光致发光测试仪测试发黑单晶硅片经过......
太阳电池由于能够对太阳能进行有效吸收,并转换为电能,而得到广泛应用。在实际应用中发现,单晶太阳电池组件常常会出现光衰现象,因......
综述了镀铝技术的发展现状,分析了扩散式渗铝工艺的基本工艺过程及其结构特点,根据设备生产工艺要求,制定实验项目,论证了渗铝钢管......
