外延片相关论文
分析表明,单晶硅晶圆抛光片外延生长过程会产生多种缺陷,包括亮点、划痕、滑移线、橘皮、条纹、线状缺陷、雾等,有些可以通过强光......
本文主要对硅外延片表面微缺陷分析方法进行研究,通过配置一定比例的重铬酸钾及氢氟酸腐蚀液,严格按照试验方法的操作步骤对硅外延......
光学损耗是表征激光器性能的重要参数,对激光器的阈值电流、斜率效率有直接的影响.测量激光器的光学损耗对于激光器的研究具有巨大......
本文在实验的基础上,总结了电化学C-V的一些测试经验,提出了一种适用于测量AlGaInP LED外延片中载流子浓度纵向分布的电解液,获得......
采用气相掺N，掺Zn过补偿液相外延工艺，以H为载气和保护气氛生长H为载气和保护气氛生长GaP:N时，当H中O和HO的含量过高时，外延片的光致发......
目前LED照明的发展非常迅猛，主要得益于LED光源的快速发展和非常好的前景。据报道，今年二月实验室LED光源光效己达208流明/瓦，且色温......
学习沟通执行河北普兴电子科技股份有限公司是中国电子科技集团公司第十三研究所控股的股份制公司,成立于2000年,是国家认定的高新......
分析了硅ＣＶＤ外延的机理模型，综合性优化了工艺技术，使多项参数获得显著提高。
The mechanism model of silicon CVD epitaxy was analy......
本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—......
本文根据最新资料，综述了目前国内外半导体发光器件的现状和发展趋势，并对我国应如何发展光电器件提出建议。
Based on the latest ......
“魔镜”技术是我国西汉时期的一项创造发明，由此引发出的“魔镜”检测方法现在已被有效地应用于各种镜状表面缺陷的检测。本文介绍......
在完成硅平面晶体管管芯和上部电极制备后，用低能量氩离子束进行背面轰击，能显著增大高频和超高频小功率晶体管的电流放大系数，提高特......
报道了MBE生长的GaAs材料VCSEL与MISS混合集成构成的光子开关。将MBE生长的超薄AIAs层氧化为AxOy层用作MISS器件的超薄半绝缘层，从......
本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所......
有关专家分析认为,半导体发光器件,特别是发光二极管(LED)和液晶(LCD)发展迅速,并成为光电器件中发展速度最快的产业。 半导体发......
由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表......
我们对多晶硅吸荣和SiO_2背封二种工艺进行了系统的深入的实用性研究，解决了VLSI用外延片衬底的关键技术，提高了硅片质量并实现产业......
提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型InGaAsP／InP激光器结构（SPB－BC）．用P－InP做衬底．500μm腔长，最大输出功率为80mW，调制带宽6．0GHz......
据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET......
进入大直径时代的硅材料产业北京有色金属研究总院万群近些年，电子信息产品的发展令人信服地感受到我们所处的时代是信息时代。而信......
本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微......
实测数据表明：ＧａＰＮ发光二极管（ＬＥＤ）ｐ型层厚度ｄ为１２～１７μｍ时，管芯光强最高．ｄ增大，一方面可使表面复合的影响减小，提高内量子效率；另一方面又会使内吸收增大，降......
检测硅抛光片及硅外延片中的生长管道和星形结构缺陷，常规的方法是化学腐蚀法。该方法对样片有破坏性。本文介绍一种检测硅片中生长......
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大......
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材......
选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬......
本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） ......
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光......
随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展 ,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要......
国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,近日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥......
报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管 (LED)的实验结果。在室温下 ,正向电压为 3.3V和电流为 35 0mA时 ,其轴向亮度为 16× 1......
希腊雅典国家科研中心与德国哈雷Max Planck学院的研究人员开发出一种类似于单片技术的工艺流程,用以将Ⅲ—Ⅴ族光电子器件与商业......
日前,清华大学工程物理系技术物理研究所利用离心分离技术获得了同位素纯硅—28,并与本校微电子所合作,在普通硅片上外延成单晶状......
国际市场硅片需求小幅增长根据 Gartner Dataquest 的统计,全球硅片市场在经历了2001年31%的大幅衰退之后,于2002年再度反弹回升,......
据新华网报导,一块薄如纸、面积只有小米粒大小的芯片可以发出耀眼的光芒,在大白天也像闪烁的星星一样光芒四射。由深圳方大集团......
美国Cree公司与美海军研究院合作,研制出一种用MBE生长的AlGaN/GaN HEMT 结构,其室温霍尔迁移率达到了最高水平,为1920 cm2/Vs。上......
中科院半导体所王占国院士透露国家在“十一五”规划中重点发展17类新材料。首先是硅基微纳电子材料。我国将发展2-3个满足100-45 ......
STMicroelectronics公司的S.Joblet和法国国家科学研究中心研究所的同行们在Si(001)衬底上生长出GaNHEMT。他们声称,这种Si(001)衬......
Technologies and Devices International(TDI)公司声称取得一项技术突破,制造出工业界第一块6英寸GaN外延材料。上述蓝宝石上GaN......
