绝缘栅相关论文
1999年5月11日,阿尔斯通公司与上海城市交通明珠线开发有限公司在上海签订了一份供货合同,即阿尔斯通公司为上海地铁3号线制造28列......
介绍了GTO晶闸管和绝缘栅两极型晶体管（IGBT）两种电子器件在日本铁路牵引中的应用。IGBT（额定值达4.5kV、600A）与GTO（额定值达4.5kV、2k......
离子敏感场效应晶体管具有若干不同于寻常传感器的特点:赵小型、全固态、集成化和自身阻抗变换等.它是一种很有发展前途的传感器.......
用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研......
介绍了一种使用绝缘栅控双极型晶体管（ＩＧＢＴ）设计的脉冲功率预调器，它使用在某雷达发射管测试台中。对预调器各部分组成和工作原理作了叙述......
给出一种用于中频感应加热装置的ＭＯＳＦＥＴ逆变电源．在ＭＯＳＦＥＴ的控制信号方面，提出了一种新的控制方法，即正弦波控制法，它能够自动地产生‘死区时间’，对......
在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟软件中，采用简单易行的等效电路模拟法，建立了改进型等效电路模型，实现了对功率开关器件特性的模拟。通过与实验结果比较，证......
功率半导体器件领袖国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)日前推出用于马达控制的POWIRTRAIN标准及微型模块的最新版......
据日本《电子技术》1998年第3期报道，日本村田制作所采用GaAs半导体衬底，制作了毫米波工作频率的场效应管。器件采用了该公司独特的G......
对绝缘栅双极晶体管(IGBT)来说,最高开关频率主要是受制于总的开关能量的损耗。这在单晶体管和双晶体管结构的功率转换应用中尤其......
设计能开关中等电压等级的兆瓦级功率电路的设备是一项艰巨的任务。两种现有的半导体开关技术，即门极可关断晶闸管（GTO）和绝缘栅极双......
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有......
本文概述了场效应管的分类和设计。设计按常规程序考虑，特殊的ＭＯＳ管还要考虑相关许多其它因素，以及理论与实践结合后的取舍。
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以 Ｐ Ｍ Ｏ Ｓ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化的动态过程进行了计算机模拟，进而提出了可以抑制杂质分凝效应的栅氧化新模式该成果对 Ｐ沟......
(5)场效应管与晶体三极管的比较: ①晶体三极管在正常放大工作状态,其发射结为正向偏置,输入端需要向信号源吸取电流,其输出电流......
图1 使用这种低成本电路可驱动高端FET或IGBT。图1所示是可以为脉宽调制器与高端IGBT(绝缘栅双极三极管)或MOSFET开关之间提供接......
场效应管有结型和绝缘栅型(MOS)两大类。结型场效应管的电路符号如图1所示。分为 N 沟道和 P 沟道两种类型,结型场效应管均为耗尽......
中国“十一五”规划已明确提出：单位国内生产总值能源消耗比“十五”期末要降低20％左右。由于电力是目前中国主要的工业能源,因此,要......
许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅......
IGBT管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低......
2.绝缘栅型贴片场效应管的检测绝缘栅型贴片场效应管是在一块低掺杂的P型硅片上,通过扩散工艺形成两个相距很近的高掺杂N区,分别作......
场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,它有P型和N型两种导电沟道,并且还有结型和绝缘栅(金属氧化物)型两种结构。结型是利用PN......
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和......
电力电子电路是在各方面都得到保障情况下综合运用电力、电子等各种先进技术,在这个基础之上对电能的幅值、相位、频率等各种参量......
制备了一种GaN MOSHEMT器件,器件栅长为0.35μm,栅介质为HfO_2,并对其进行两端和三端的IV特性测试,以及界面态导致的栅延迟问题进......
逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计......
介绍了IPM的基本工作特性和常用IPM驱动和保护电路的设计方法,并给出了一个驱动和保护电路的设计实例。
Introduced the basic wo......
著名元器件及消费电子产品供应商东芝公司,供应的元器件包括存储器、ASIC、通信芯片、晶体管和显示器件等。这里仅介绍东芝公司晶......
低功耗ＪＦＥＴ输入运算放大器在ＪＳＤ－７３１－ＹＡ型源跟随器中的应用生理学教研室张季叶迟先煊边淑玲原ＪＳＤ－７３１－ＹＡ型源跟随器是进行神经电生理实验时，作为放大器的输入......
美国惠普Ｍ９０１２Ａ型监护仪是一台多参数。多功能监护仪，可监测病人心电ＥＣＧ、血氧饱和度和脉搏Ｓａｏ２／ＰＬＥＴＨ、ＣＯ２和呼出ＣＯ２、无创血压ＮＢＰ等，并可由打印机记录出一切参数......
提出了一种直接热氧化电子束蒸发Ti薄膜生成TiO2绝缘栅的方法,制备出了Metal-TiO2-AlGaN/GaN结构。XRD分析表明氧化温度高于400℃......
驱动机床主轴电机的主轴伺服单元，一般是通过半导体开关元件对机床电流进行开关控制。由于常用的开关频率为数f赫兹，故电机会产生刺......
设计了一种电流型脉宽调制(PWM)控制的逆变点焊机,它采用绝缘栅极晶体管(IGBT)作为开关器件,电源结构简单,控制精度高,控制性能优......
动态绝缘栅场效应晶体管(IGFET)双稳电荷读出放大器的分析指出,最佳的自锁(Iatching)波形是一个初始阶跃电平后面接着斜率逐渐增加......
本文介绍由绝缘栅场效应晶体管(IGFET)开关电容存储单元组成一个全动态译码、1024字×1位的P沟道随机存储器。采用10伏的驱动电路,......
闪速存贮器介绍刘自平郭庆利闪速电擦除可编程存贮器（ＦＬＡＳＨＥＥＰＲＯＭ）简称闪速存贮器。是继电擦除可编程存贮器（ＥＥＰＲＯＭ）之后出现的新一代可在线编程，掉电后......
介绍一种微电流放大器的设计（ 附工作原理图） ，指出应重点注意的一些关键性问题及进一步提高性能的途径。
This paper introduces th......
随着IGBT芯片越来越薄和电流增益越来越低,电流集中效应在IGBT短路关断过程中变得更显著,尤其是在自夹挤模式下。为了提高IGBT短路......
本文主要是介绍BD-101型半导体表面钝化台.评述了用化学汽相淀积方法生长二氧化硅膜使硅表面钝化的工作.该项工作导致集成电路用的......
用300埃SiO_2-300埃Si_3N_4绝缘栅制造了n沟、p沟硅栅FET (场效应晶体管)。这些器件具有低的漏泄电流和适用于动态FET存贮器。由于......
