单晶硅片相关论文
半导体硅片是半导体产业链的上游，是制作芯片的核心材料，贯穿了芯片制作的全过程，半导体硅片的质量和数量制约着下游终端领域行业的发......
首次采用有机碱——四甲基胍替代传统的氢氧化钠或氢氧化钾作为制绒刻蚀剂，邻苯二酚和硅酸钠作为制绒添加剂进行单晶硅片制绒，并通过......
为了提高单晶硅片的抛光效率,探究了碳酸胍(Guanidine carbonate,GC)和聚乙二醇(PEG)对硅片在含双氧水的抛光液体系中化学机械抛光......
硅单晶抛光片是制造集成电路的基础材料,在硅单晶抛光片生产制备过程中,切片工序是重要的环节,切割过程产生的热累积是硅片几何形......
The reflectivity reaches the lowest point at a right texturization time.Both large and small pyramid sizes lead to simil......
本文分析和讨论了单晶硅片一次缺陷和二次缺陷对太阳单晶硅电池片/组件的影响。一次缺陷主要指拉单晶过程中残存的热应力、位错、......
协鑫集成科技股份有限公司（002506.SZ）系全球领先的一站式综合能源服务解决方案提供商及服务商，公司将打造成为轻制造、重服务的系统......
本文采用溶胶凝胶旋涂工艺在制绒后的单晶硅片表面制备了ZnO减反射薄膜,采用锌离子浓度分别为0.6mol/L和1.0mol/L的两种不同溶胶,......
采用磁过滤脉冲真空电弧共沉积方法,在单晶硅片上制备了系列Co-C纳米颗粒膜,对制备态薄膜进行了不同温度的真空退火处理.分别采用X......
本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中......
采用磁控溅射钛靶，以甲烷和氩气为前驱体，在单晶硅片表面制备了类富勒烯碳薄膜。采用高分辨率透射电子显微镜对薄膜的微观形貌进行了......
近些年来,通过体外培养获得细胞薄层用于组织工程及缺损修复得到了广泛的关注.从Okano教授利用温敏的聚合物表面温润性的变化获取......
采用金属辅助化学刻蚀方法(MACE),在常规碱溶液制备的金字塔表面制备表面形貌良好、反射率低的硅纳米线微结构.详细探究Ag辅助刻蚀......
近几十年来,固体太阳能电池作为一种在缓解能源短缺和环境污染方面有巨大前景的绿色能源,促进了太阳能光伏发电技术的迅猛发展。当......
本文以简单的金催化常压化学气相沉积法,在单晶硅片上合成了塔状锗纳米结构(简称锗纳米塔).这种锗纳米塔的横截面为准六边形,从底......
本文通过介绍氢气生产在多晶硅生产过程中的实际应用,强调了氢气安全生产对多晶硅的重要性,为多晶硅行业生产提供了有价值的参考。......
在（１１１）晶向的ｎ型单晶硅片上，用电化学腐蚀的方法成功地制备出多孔硅膜，室温下，在３４４ｎｍ波长的光激发时用肉眼观察到明亮的桔红色荧光（５７７ｎｍ）。研究了ＨＦ浓度......
简单介绍了硅场发射三极管的制造，三极管的I－V特性，在实验和理论上研究了栅门高度对发射电流的影响。
Briefly introduce the fabric......
本文研究了在微波等离子体ＣＶＤ系统中，金刚石在Ｃ６０蒸发膜表面的成核行为，观察到金刚石晶核聚集现象，并且讨论了这种成核行为的产生机理。
In......
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．
Ferroelectric thin films......
采用直流反应磁控溅射法淀积ZrN薄膜发现在（100）晶向硅片上ZrN薄膜按（111）晶向生长，控制生长工艺可以获得ZrN（111）晶向的外延生长膜．
The ......
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激......
原电子工业部第46研究所长期承担抗辐射加固硅单晶制备技术研究任务,曾取得一系列成果,其研究水平和产品均居国内领先,是我国唯一......
本文通过对单晶硅片抛光过程接触压力场分布的理论分析和计算就如何选择合理的抛光参数（抛光垫的弹性模量、抛光垫的厚度等）以得到高......
采用射频（RF）磁控溅射的方法，成功地在（100）单晶硅片上沉积制备出了高品质的c-BN薄膜，并通过对基片的高能离子束的预处理，有效地改善了c－BN......
本工作首先采用化学刻蚀法制备出各种特征的多孔硅，然后通过扫描电镜（ＳＥＭ）技术，对多孔硅的表面形貌进行了表征，并分析了多孔硅表面微结构的......
测量获得了金刚石压腔系统中碳化钨基座单轴下的总压应力(F/N)-应变(ε/μm/m)关系:F=3.395ε+12.212(R~2=0.999 9),研制出可以在......
由海尔公司占40%股份、总投资达2.7亿美元的8英寸晶圆厂即将落户青岛高新技术开发区。根据初步协议,此晶圆厂的主要投资方泰国正......
《中国电子报》2003年10月28日报导,投资额达3亿元人民币的单晶硅片工厂,在上海宝山城市工业园区上海申和热磁电子公司生产基地建......
中国财政部和国家税务总局日前发布通知称,自2002年1月1日起至2010年底,对增值税一般纳税人销售其自产的集成电路产品(含单晶硅片......
国内家电业老大海尔总投资2.7亿美元的8英寸晶圆厂即将落户青岛高新技术开发区。这将是继首钢NEC之后环渤海地区的第二条大规模8......
日前,上海申和热磁电子公司投资3亿元人民币,在上海宝山城市工业园区建成单晶硅片厂。该厂到2004年底月产5英寸硅片将达40万片,成......
随着 IC技术的进步 ,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径 ( Φ≤ 2 0 0......
据SEMI消息,今年第一季度全球硅片出货面积比上季度增长3％,比去年同期增长29％。第一季度硅片总出货面积为18．84亿平方英寸,而去年第四......
据SEMI消息,今年第一季度全球硅片出货面积比上季度增长3%,比去年同期增长29%。第一季度硅片总出货面积为18.84亿平方英寸,而去年......
硅光电池是一种把光能转换为电能的敏感元件。其结构示意图见图1。它是在 n 型单晶硅片的一个表面上扩散入 P 型光敏杂质而制成。......
1.前言使用薄片砂轮进行研磨加工是一种众所周知的高效精加工的方法。采用固体结合剂能够克服离心力紧紧把持住磨粒,可以在高速精......
根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除......
设计了一种电化学双槽腐蚀装置,研究了不同电解液的浓度对制备多孔硅形貌和光学特性的影响。研究结果表明采用此装置制备的多孔硅......
通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1HF、50......
